航空胶片冲洗机直流电机调速控制系统设计

针对航空胶片冲洗机控制困难表现其电机负载不均匀，低速运行情况下电机震动剧烈．研制了专用的反馈控制系统．以双89C51单片机为核心组成控制电路，编写了系统操作程序和数字PID控制程序．对PID参量对控制系统稳定性的影响进行了分析，得出适应于本系统的PID控制规律，并经过大量的试验，获得了能使各档速度稳定运行下的PID控制参量．实践表明，该控制系统运行稳定可靠，低速控制准确度在3％以内，中高速准确度达到1％．     

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB₆作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB₆基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB₆微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB₆基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB₆材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.     

Electronic Structures of Wurtzite GaN with Ga and N Vacancies

The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth.     

退火对电子束热蒸发Al2O3薄膜性能影响的实验研究

 用电子束热蒸发方法镀制了Al₂O₃材料的单层膜，对它们在空气中进行了250~400 ℃的高温退火。对样品的透射率光谱曲线进行了测量，计算了样品的消光系数、折射率和截止波长。通过X射线衍射仪（XRD）测量分析了薄膜的微观结构,采用表面轮廓仪测量了样品的表面均方根粗糙度。结果发现随着退火温度的提高光学损耗下降，薄膜结构在退火温度为400 ℃时仍然为无定形态，样品的表面粗糙度随退火温度的升高而增加。引起光学损耗下降起主导作用的是吸收而不是散射，吸收损耗的下降主要是由于退火使材料吸收空气中的氧而进一步氧化，从而使薄膜材料的非化学计量比趋于正常。     

解高维广义对称正则长波方程的Fourier谱方法

１引言对称正则长波方程（ＳＲＬＷＥ）是正则化长波方程（ＲＬＷＥ）的一种对称叙述［１］用于描述弱非线性作用下空间变换的离子声波传播．［１］得到了方程组（１．１）的双曲正割平方孤立波解、四个不变量和数值结果、明显地,从（１．１）中消去ρ,得到一类正则长波方程（ＲＬＷＥ）代替（１．２）中第三项、第四项对ｔ的导数为对ｘ的导数,得到Ｂｏｕｓｓｉｎｅｓｑ方程．［２］对一类广义对称正则长波方程组提出了谱方法,证明了古典光滑解的存在性和唯一性,建立了近似解的收敛性和误差估计。［３］研究了高维对称正则长波方程整体…     

组合KdV与MKdV方程的显式精确解

本文通过直接代数方法与假设方法的一种结合,求出了组合ＫｄＶ和ＭＫｄＶ方程的一些显式精确行波解．     

氢原子在Ru(0001)表面的化学吸附

用密度泛函理论研究了氢原子的污染对于Ru(0001)表面结构的影响. 通过PAW(projector-augmented wave)总能计算研究了p(1×1)、p(1×2)、(3^(1/2)×3^(1/2))R30°和p(2×2)等几种氢原子覆盖度下的吸附结构, 以及在上述结构下Ru(0001)面fcc(面心立方)格点和hcp(六方密堆)格点的氢原子吸附. 所得结果表明, 在p(1×1)-H、p(1×2)-H、(3^(1/2)×3^(1/2))R30°-H和p(2×2)-H几种H原子覆盖度下, 以p(1×1)-H结构单个氢原子吸附能为最大. 在p(1×1)-H吸附结构下,由于氢原子吸附导致的Ru(0001) 表面第一层Ru 原子收缩的理论计算数值分别为-1.11%(hcp 吸附)和-1.55%(fcc 吸附), 因此实际上最有可能的情况是两种吸附方式都有一定的几率. 而实验中观察到的“清洁”Ru(0001)表面实际上是有少量氢原子污染的表面. 不同覆盖度和氢分压下氢原子吸附的污染对Ru(0001)表面结构有极大的影响,其表面的各种特性都会随覆盖度的不同而产生相应的变化.     

纳米Sb2O3的制备与性能研究

由于Sb2O3是一种性能优良的无机阻燃剂,并与卤素阻燃剂有很好的协效作用[1],1998年,全球用于阻燃的Sb2O3达80kt以上,占阻燃剂总耗量的7%[2]。但由于其本身的极性特点,加入到纤维、塑料等高分子材料中,材料的力学性能受到很大损失[3],因此对传统的微米级的Sb2O3进行超细、表面处     

劳动和社会保障办公系统的开发与应用

采用Lotus Domino/Notes文档数据库 Oracle关系数据库的独特结构模式,集成了Microsoft Office Outlook系统软件,主要功能通过浏览器/服务器(B/S)方式实现,系统设计采用了组件化、模块化的思想,为工作流程的定制和公文流转过程的控制提供了强大功能.     

聚合物支载噁唑类化合物在不对称反应中的应用

聚合物支载噁唑类化合物主要包括聚合物支载噁唑烷酮、噁唑啉和硼杂噁唑啉等,其在不对称反应中主要用作手性助剂、手性催化剂及催化剂配体.由于其便于分离提纯、可以回收重复使用且立体选择性没有明显降低等优点在不对称反应中得到了广泛的应用.综述了近年来聚合物支载的噁唑类化合物在不对称反应中的应用