动态压力固井用疏水缔合聚合物防窜剂的合成与性能

针对调整井在动态压力作用下，水侵导致的环空窜流问题，以AMPS、 AM、 MA和St为原料，以自由基胶束聚合法，合成了一种固井水泥浆用水溶性疏水缔合聚合物HAWSP-L，其结构经IR和SEM表征。HAWSP-L的水泥浆性能评价结果表明：HAWSP-L具备良好的抗水侵能力，含HAWSP-L的水泥浆抗窜通压力达到5.3 MPa。      

三种长链烷氧基苯甲酰基硫脲衍生物的合成及其凝胶行为

以没食子酸和溴代十四烷为原料，经过烷基化、醇化、酸化及卤代得到中间产物3,4,5-三（十四烷基）苯甲酰氯（1），化合物1通过一锅法首先与硫氰酸铵反应，然后分别与对硝基苯胺、对硝基苯肼和2,4-二硝基苯肼作用得到3种长链烷氧基苯甲酰基硫脲衍生物2、 3和4，其结构经¹H NMR， ¹³C NMR， IR和MS确证。并考察了3种化合物在20种常见溶剂中的凝胶行为。     

渤海J油田储层核磁共振测井孔隙度影响因素分析及校正

渤海J油田沙河街组储层核磁共振（NMR）测井孔隙度和岩心NMR孔隙度均低于岩心氦孔隙度，这种现象影响了NMR测井的应用效果．通过开展岩心NMR实验，对该研究区仪器采集参数、井眼环境以及储层流体性质等因素进行分析，发现造成储层NMR测井孔隙度偏低的主要原因是高矿化度泥浆滤液侵入．基于饱和不同矿化度盐水对T₂谱的影响规律，确定了需要对T₂谱进行形态校正的矿化度下限值，并建立了对应不同矿化度的T₂谱形态校正模型及NMR孔隙度校正方法．应用结果表明，校正后的NMR测井孔隙度与岩心氦孔隙度的平均相对误差从13.56%下降至2.81%，有效提高了NMR测井孔隙度的精度．     

基于铝浸润层的超薄银透明导电薄膜研究北大核心CSCD

超薄银薄膜具有高柔韧性和优良的光电性能,是用于透明导电电极的潜在材料。通过电阻热蒸发技术以金属铝作为浸润层制备超薄银透明导电薄膜。引入铝浸润层降低银薄膜的阈值厚度,使银薄膜在K9玻璃基底上以尽可能低的厚度达到连续。对不同厚度铝浸润层上银薄膜方块电阻进行测试,经SEM图像验证后得出,1 nm铝浸润层对银薄膜具有较好的浸润效果。随后采用相同的工艺在1 nm铝浸润层上制备了不同厚度的银薄膜,透过率和方阻测试结果表明,1 nm铝浸润层上制备的10 nm银薄膜方阻值可达到13Ω/,其在0.4μm~2.5μm波段内透过率可达到50%以上。     

新型干涉条纹计数器的设计与应用

针对用迈克尔逊干涉仪测量激光波长实验需要人工记录干涉环改变数量问题,研制一种干涉条纹自动计数器。该计数器不仅能显示干涉条纹改变数量,还能显示不同光强对应信号强度。同时,准确度高、操作简便,能在不同背景光强环境和光源光强条件下使用。     

Mg2+掺杂Li4Ti5O12陶瓷靶材的制备及其性能研究

本实验以Mg(OH)2作为镁源,将1wt;、2wt;、3wt;、4wt;、5wt;的Mg(OH)2粉末与纯Li4Ti5O12粉末球磨混合,使用粉末冶金的方法烧结制备出了Mg2+掺杂的Li4Ti5O12陶瓷靶材,分别研究了烧结温度为880 ℃、900 ℃、930 ℃、950 ℃、980 ℃时Mg2+掺杂Li4Ti5O12陶瓷靶材的收缩率、致密度和力学性能的变化情况;通过对Mg2+掺杂Li4Ti5O12陶瓷靶材进行XRD衍射分析和断面的SEM分析可以得出,Mg(OH)2的最佳掺杂量为4wt;,陶瓷靶材的最佳烧结温度为950 ℃.可以得到抗弯强度为83.189 MPa、相对密度为96.041;、维氏硬度为的364.26HV500、物相单一的Mg2+掺杂的Li4Ti5O12陶瓷靶材.     

高效利用稻壳热解炭制备吸附炭与硅酸钙

报道了一种稻壳热解炭高效综合利用的方法.以稻壳热解炭为碳源和硅源,采用同步溶硅活化法分离碳和硅,采用碱溶液表面修饰法制备吸附炭,采用氧化钙沉淀法制备硅酸钙并回收碱溶液.以对孔雀石绿溶液的脱色率作为评价吸附炭性能的指标,考察制得的吸附炭的吸附性能.实验结果表明,在优化的条件下(pH=7、吸附温度30℃、吸附时间60 min),吸附炭的脱色率可达到99.9%.利用X射线衍射研究了不同钙/硅摩尔比(Ca/Si)和热处理温度下制备的硅酸钙的晶型结构.发现Ca/Si摩尔比和热处理温度对硅酸钙的晶型结构存在影响.当Ca/Si摩尔比为3,热处理温度为800℃时可以获得α_L'-Ca_2SiO_4型稻壳基硅酸钙.采用统计学方法考察了Ca/Si摩尔比、反应温度和反应时间对碱回收率的影响.其影响大小顺序为:Ca/Si摩尔比,反应温度,反应时间.当Ca/Si摩尔比为3.0时,在90℃下反应1 h后碱回收率达到100%.     

Ohmic Contact at Al/TiO_2/n-Ge Interface with TiO_2 Deposited at Extremely Low Temperature

TiO_2 deposited at extremely low temperature of 120°C by atomic layer deposition is inserted between metal and n-Ge to relieve the Fermi level pinning. X-ray photoelectron spectroscopy and cross-sectional transmission electron microscopy indicate that the lower deposition temperature tends to effectively eliminate the formation of GeO_x to reduce the tunneling resistance. Compared with TiO_2 deposited at higher temperature of 250°C,there are more oxygen vacancies in lower-temperature-deposited TiO_2, which will dope TiO_2 contributing to the lower tunneling resistance. Al/TiO_2/n-Ge metal-insulator-semiconductor diodes with 2 nm 120°C deposited TiO_2 achieves 2496 times of current density at-0.1 V compared with the device without the TiO_2 interface layer case, and is 8.85 times larger than that with 250°C deposited TiO_2. Thus inserting extremely low temperature deposited TiO_2 to depin the Fermi level for n-Ge may be a better choice.     

一氧化碳参与不饱和烃类化合物羰基化反应的研究进展

不饱和烃类化合物的羰基化反应是指在过渡金属催化剂存在条件下, 将一氧化碳(CO)分子以羰基的形式插入到烯烃(或者炔烃)与不同的亲核试剂中, 合成更高附加值化学品的转化过程. 本文综合评述了羰基化反应合成高附加值化学品的重要性, 介绍了几种不同类型的羰基化反应(氢甲酰化反应、 氢酯化反应、 氢酰胺化反应和氢羧基化反应)在发展新型催化剂体系及高效合成目标产物方面的研究进展, 并对羰基化反应存在的问题及未来发展方向和趋势进行了展望.