光谱色散匀滑技术与衍射光学器件联用性能的空间频谱分析

基于空间频谱分析方法，建立了光谱色散匀滑技术(SSD: Smoothing by Spectral Dispersion)与衍射光学器件(DOE: Diffractive Optical Element)联用性能的简化分析模型，为SSD与DOE联用时，SSD参量的优化提供了理论依据.数值模拟了SSD各参量，包括脉冲时间、调制频率、位相调制系数、光栅线色散系数等对束匀滑性能的影响.模拟结果表明，SSD参量经过优化选取，且波前畸变随时间快速变化时，能获得良好的束匀滑性能.     

用于快点火研究的超短脉冲的相干合成

 利用傅里叶光学方法，建立了一个基于远场的多束超短脉冲相干合成的理论模型。研究了一个口径为50 cm，脉宽为1 ps的超短脉冲相干合成系统的各种误差对脉冲远场时域和空域特性的影响。结果表明：若要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90％，该系统的相位延迟误差小于0.63，沿x方向角度误差小于0.37 μrad，沿y方向角度误差小于0.34 μrad；若要求远场叠加脉冲的时域展宽小于25％，系统的剩余啁啾因子应小于1.32(不考虑相位延迟)或1.52(考虑0.63的相位延迟)。     

导体壳内外的电场彼此独立的简易证明

本文提供了一种证明导体壳的内外电场彼此独立的简易方法.     

“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究

 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼（Mo）丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA，上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明：Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发，箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线，探测到的最小热点直径小于30 μm。     

高双折射微结构光纤特性的研究

采用基于单轴各向异性完美匹配层吸收边界的频域有限差分方法研究一种椭圆芯高双折射微结构光纤的特性.通过计算，分析了空气孔尺寸和孔距对模式双折射、泄漏损耗以及模式截止波长的影响；综合研究了双折射微结构光纤的几种特性及其相互之间的影响和制约关系；并首次采用有效面积的方法研究高双折射微结构光纤的模式截止特性，分析单模传输条件；从而为高双折射微结构光纤的设计提供了一定的理论依据.     

快中子照相中的点扩展函数计算

 快中子照相中，基于反冲核原理探测快中子的有机闪烁体平板是普遍采用的快中子辐射转换体。模拟了D-T中子垂直入射BC400闪烁体平板，计算了不同厚度平板闪烁体的点扩展函数，对14.1 MeV快中子照相中闪烁体固有分辨率随厚度的变化进行了研究。计算结果表明，在不考虑二次中子与闪烁体作用及背景噪声等情况时，点扩展函数几乎不依赖于闪烁体厚度。同时，计算还表明在一定的分辨率范围内，由于荧光收集效率的限制，闪烁体厚度增加并不会改善图像对比度。     

超声波波型转换与表面波的检测

分析了超声波纵波、横波、表面波3种波型的产生条件和声速关系,检测了超声波在固体表面的波型转换,并测量了声表面波的速度,讨论了声表面波在超声延迟线方面的应用.     

振动谱学研究中的光谱线型函数

本文讨论了在振动谱带计算拟合处理中的光谱线型函数问题,推导出适用于单道及多道拉曼光谱仪及色散型红外谱仪谱带线型公式。通过实验及拟合计算证实了它们的适用性并讨论了可能的误差源。理论计算和实验验证结果说明:在振动谱的谱带拟合计算中,应使用根据测谱条件计算求得的谱带线型函数,以保证拟合结果的可靠性。     

Thin strain-relaxed SiGe grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si_0.7Ge_0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar⁺ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe.     

大电流稳定发射铁电阴极的模拟与实验研究

讨论了铁电阴极的发射机理, 借助MAFIA对不同电极结构的铁电阴极表面电场分布进行了模拟计算. 计算中发现, 发射面电极结构对铁电阴极表面三界点处的场增强效应影响很大,特别是具有孤岛电极结构的铁电阴极具有更大的三界点场强,从而获得更大和更稳定的发射电流. 通过对电极结构及其工艺的改进,使用PLZT铁电阴极在实验中得到了大于100A的电流.