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讨论了不同发射机理对铁电阴极材料性能的要求,对PZT(锆钛酸铅)系铁电陶瓷工艺过程中的关键步骤进行了研究。通过掺杂改性和改进预烧条件等手段,有效地改善了材料的性能参数,制备出相对介电常数大于3 000的弛豫相铁电陶瓷和压电常数大于500×10-12C/N的铁电相铁电陶瓷。在初步的发射实验中,使用改进工艺后的PLZT8/65/35制备的铁电阴极,触发脉冲5.4 kV时,获得的发射电子电流密度达到800 A/cm2/sup>,远大于C-L定律计算的发射电流。 相似文献
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束流在270°偏转磁铁系统输运过程中的损失计算 总被引:1,自引:0,他引:1
为计算医用加速器中束流经过270°偏转磁铁系统电子损失所造成的辐射剂量问题,将束流传输相应的计算公式和蒙特卡罗抽样方法相结合,在一阶近似条件下计算了电子在偏转系统中的输运过程,分析了不同初始条件对电子输运和电子损失的影响;模拟结果表明能散是产生电子损失的主要因素之一.计算得到了损失电子所处位置、能量和飞行方向等信息,把计算得到的信息作为蒙特卡罗程序的输入源,进一步计算出束流损失所产生的辐射剂量分布,从而能更完善地设计医用加速器照射头的屏蔽.文中给出在电子束初始半径为1mm、散角为5mrad、能散为10%条件下电子损失率为13.5%,损失电子主要是向加速器照射头部上方辐射出去. 相似文献
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为计算医用加速器中束流经过270°偏转磁铁系统电子损失所造成的辐射剂量问题, 将束流传输相应的计算公式和蒙特卡罗抽样方法相结合, 在一阶近似条件下计算了电子在偏转系统中的输运过程, 分析了不同初始条件对电子输运和电子损失的影响;模拟结果表明能散是产生电子损失的主要因素之一. 计算得到了损失电子所处位置、能量和飞行方向等信息, 把计算得到的信息作为蒙特卡罗程序的输入源, 进一步计算出束流损失所产生的辐射剂量分布, 从而能更完善地设计医用加速器照射头的屏蔽. 文中给出在电子束初始半径为1mm、散角为5mrad、能散为10%条件下电子损失率为13.5%, 损失电子主要是向加速器照射头部上方辐射出去. 相似文献
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The beam dynamic code PARMELA was used to simulate the transportation process of accelerating electrons in S-band SW linacs with different energies of 2.5, 6 and 20MeV. The results indicated that in the ideal condition, the percentage of electron beam loss was 50% in accelerator tubes. Also we calculated the spectrum, the location and angular distribution of the lost electrons. Calculation performed by Monte Carlo code MCNP demonstrated that the radiation distribution of lost electrons was nearly uniform along the tube axis, the angular distributions of the radiation dose rates of the three tubes were similar, and the highest leaking dose was at the angle of 160° with respect to the axis. The lower the energy of the accelerator, the higher the radiation relative leakage. For the 2.5MeV accelerator, the maximum dose rate reached 5% of the main dose and the one on the head of the electron gun was 1%, both of which did not meet the eligible protection requirement for accelerators. We adopted different shielding designs for different accelerators. The simulated result showed that the shielded radiation leaking dose rates fulfilled the requirement. 相似文献
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采用Monte Carlo模拟程序MCNP4B对电子-光子在CT靶物质中的耦合输运进行了模拟. 对几种靶的光子效率和X射线前向性随靶厚度变化进行了计算和分析. 模拟计算结果表明, 与电子加速器中常用的Au, W等高Z靶相比, Cu靶具有特殊的辐射物理性质: 1) 光子效率对Cu靶厚度不敏感. 通常, 对于高Z靶, 光子效率在靶厚度为某特定值时达到最高值, 然后随靶厚度增加而迅速减小; 而对于Cu靶, 光子效率在达到最大值后, 靶厚度再增加时, 光子效率仅略有减小, 且变化趋于平缓. 2) 电子束轰击Cu靶时, 虽然光子效率较低, 但是角分布具有很好的前向性, 且前向剂量率可与Au靶、W靶相当. 实验结果表明, 用能量为20MeV的电子轰击Cu靶时, 前向0°附近的X射线剂量率达到并超过了用W靶时的结果, 而且剂量率角分布比W靶的前向性好. 相似文献
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