谈可换元方程

高于二次的整式方程叫作高次方程 .关于一元三次和四次方程的解法 ,虽然在 1 5世纪时 ,已由卡当和笛卡儿等数学家给出 ,然而其过程过于繁杂 .因而在中学数学里 ,关于高次方程求解的研究 ,重点放在特殊高次方程 .常见的特殊高次方程有 :二项方程、三项方程 (它的特例为准二次方程 )和倒数方程等 .解高次方程的关键是降次与消项 .换元是解题的一个重要方法 .解高次方程时 ,利用换元能简化方程的项 ,有时也能直接降次 ,因而换元也是解高次方程的主要手段 .我们把这一类能够利用换元求解的高次方程简称“可换元方程” .可换元方程不是一般性的 ,…     

解线性方程组的数值对称化方法

本文提出了解下述分块形式的线性方程组一种新的并行数值对称化方法,它是对称区域分裂法的离散模拟。将原问题分裂为四个对称的子问题,求解两个子问题后我们即可得到问题的精确解。它适用于MIMD并行计算机。文末附有数值例子。     

超声波轴向应力仪的研制

本文叙述了用超声方法测量材料轴向应力的计算公式,介绍了超声波轴向应力仪的工作原理,并利用该仪器对M36×260高强度螺栓进行了轴向应力的测量。实验结果表明:该仪器的声时测量精度为10~(-10s),轴向应力的测量精度优于0.4kgf/mm~2(约3.9N/mm~2)。     

热辐射定律实验

量子力学和相对论是近代物理学的两大支柱。而黑体热辐射定律的研究对量子力学的创立起过特殊的作用。为了使学生对黑体辐射规律有直接的认识,我们研制了这套实验仪(暂定名:RF—1型热辐射定律实验仪),让学生方便地进行分组实验。     

SCHWARZ ALTERNATING METHOD AND MULTIGRID METHOD

In this paper we propose and establish the convergence of several asynchronous parallel algorithms which are defined by combining the Schwarz alternating method with the multigrid method in two ways. In the first we divide the original problem into p related subproblems, then the multigrid method is used to solve these subproblems iteratively. In the second approach we regard the Schwarz iterative method as the smoothing step of multigrid method. All algorithms proposed in this paper can be used on an MIMD computer.     

截取回归方法及其用于自行车需求分析的尝试

以往,我国经济领域所采用的预测方法一般限于回归分析、曲线拟合或定性分析,大多从宏观上进行讨论,对微观分析却很少涉及:而截取回归是进行微观分析的一种方法。虽然很早有人研究截取变量,但把截取变量与回归分析结合起来的工作,是1958年由J· Tobin开始的.G.S.Maddala, T.Amemiya,李龙飞等对截取回归方法也作了深入的研究。 本文主要结合我国自行车需求分析探讨一般截取回归模型,导出极大似然函数的解的算法,做出假设检验,推出几个个量预测式及它们之间的大小关系,并在个量预测的基础上求出总量预测式,为经济预测提供了一个新的途径。 …     

用同一个晶体管发射超声单脉冲和调制波的声速仪

一、工作原理用同一个晶体管发射超声单脉冲和调制波的声速仪的工作原理如图1所示.图1中脉冲回波重合法时序逻辑电路周期性地产生发射同步信号,信号经开关K1选通后,分别被送往单脉冲形成电路或调制波形成电路,然后再经过开关K2送在发射电路.当电源切换开关K3将高压直流电压VH送入发射电路时,该超声波声速仪处于发射超声单脉冲波的工作状态,发射电路输出幅度很高、边沿很陡的电脉冲,经过输出高频插座去激励压电晶片产生单脉冲的超声波,压电晶片与电感构成一个调谐回路路.当电源切换开关K3转向另一侧,将低压直流电压VL送入发射电路,该声速…     

生产计划中阶梯型价格原料最优配置

按照规模经济效应,商品价格会随着订购量的增大而减小(即打折).根据生产实际,本文提出了商品的阶梯型价格,建立了最优生产计划模型.该计划模型有选择性地生产能够获最大利润的产品,并且可以对生产所需的原料进行最优配置;基于最优化理论与方法,给出了求解所建模型的有效算法,通过实例验证了算法的可行性和有效性.     

Influences of SiO2 laser-induced protective layers and damage threshold of annealing on the Ta2O5 films

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold （LIDT） of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity （EFI） distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.