高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响

研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也小相同.如果源漏与栅交叠,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆叠栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的.     

Quantum Size Effect of Inner Cladding Fibres with InP Nano Thin Films

Optical amplified characteristics of inner cladding fibres with InP thin films are tested. The results indicate that this kind of fibres exhibit better optical amplification, which is advantageous for short lengths of fibres. The amplification coefficients of per unit length are 1.40-5.12 dB/m at the wave band from 906 to 1044 nm, 1.40- 15.35dB/m from 1080 to 1491nm, and 1.86-7.44dB/m from 1524 to 1596nm. Based on the hydrogen atomic model, we calculate the comparative size of the InP particle aB = 8.313 nm. The result displays the quantum size effect. By calculating the change of the energy band of particles with different sizes, the experimental data are explained by quantum size effect.     

桥环菁染料II:1-(N-烷基-4-吡啶基)-3-(N-烷基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯菁染料的合成和质子化及荧光性质研究

本文报道带有疏水长链的桥环菁染料的合成。并研究这类菁染料的质子化过程和平衡常数、取代效应, 以及胶束、糖淀粉和环糊精对染料的可见光谱及质子化过程的影响, 本文也考察了桥环菁染料的荧光光谱, 这些研究在理论上和实际应用有一定意义。     

与Bell多项式相关的一个新的矩阵反演及其应用

利用经典Lagrange反演公式, 本文给出了一个新的Bell矩阵反演, 由此建立了Bell多项式的一些新的性质, 其中包括一个Bell矩阵反演的封闭形式和经典Fa\`{a} di Bruno公式的一个逆形式.     

基于一维金属光子晶体平凹镜的柱矢量光束亚波长聚焦

柱矢量光束具有柱对称性的偏振分布,其独特的光场分布和聚焦特性被广泛应用于光学微操纵及光学成像等领域,并迅速向亚波长尺度拓展.通常,亚波长尺度聚焦采用等离激元透镜实现,但存在光场调控的偏振态局限性.而借助光子晶体的负折射效应,不仅能够实现亚波长聚焦或成像,而且应对正交偏振态同时有效.采用对电磁波具有更强调控能力的一维金属光子晶体结构,计算得到的能带结构和等频曲线表明其负折射效应在特定波段对正交偏振态同时有效.在此基础上设计出一维金属光子晶体柱对称平凹镜结构,通过有限元算法模拟显示了可见光波段的径向和旋向偏振光的同时亚波长聚焦行为.进一步的结果表明,改变柱矢量光束的偏振组分能够直接有效地调节焦场空间分布及偏振分布特性.所提出的平凹镜结构能够实现对任意偏振组分的柱矢量光束的亚波长尺度聚焦,且该结构的设计对于各波段情况均有参考意义.该研究结果对小尺度粒子的光学微操纵、超分辨率成像等相关领域具有潜在的应用价值.     

气相色谱-串联质谱法测定植物源驱蚊产品中82种风险性化学物质

为同时筛查植物源驱蚊产品中致敏性芳香剂和农药化合物,建立了一种基于溶剂提取/气相色谱-串联质谱（GC-MS/MS）同时检测78种致敏性芳香剂和4种农药化合物的方法。采用极性色谱柱Agilent VF-WAXms进行色谱分离,通过不同的特征离子对对部分共流出化合物进行定性定量分析。以阳性样品为研究对象对提取溶剂和提取时间进行优化,确定最佳提取条件为：以二氯甲烷为提取溶剂,在30℃恒温条件下超声提取30 min。结果表明,82种目标化合物在对应质量浓度范围内具有良好的线性关系,相关系数（r）均大于0.992 0,定量下限为0.02～5.0 mg/kg,回收率为60.0%～120%,相对标准偏差（RSD）不大于9.5%。将该方法用于驱蚊贴、驱蚊扣、驱蚊液和驱蚊凝胶等29个样品的筛查,共检出33种致敏性芳香剂和1种农药（驱蚊酯）。80%以上的样品中检出α-蒎烯、β-蒎烯和D-柠檬烯等11种致敏性芳香剂,最高含量为116～21 140 mg/kg;3个驱蚊液中检出驱蚊酯,含量为10 200～21 350 mg/kg。该方法操作简单、结果准确,可用于驱蚊产品中致敏性芳香剂和农药化合物的同时筛查和含...     

GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。     

Nd,Cr∶GSGG激光棒在应用方面的研究

实验通过对Nd,Cr∶GSGG激光棒在不同电压和泵浦脉冲宽度的条件下静态激光的输出能量及效率的分析。显示出Nd,Cr∶GSGG晶体拥有比YAG晶体更好的热力学性质,以及更高的转换效率。证明了它将在大功率激光器领域得到更广泛的应用。     

采用密度泛函理论与分子动力学对聚甲基丙烯酸甲酯双折射性的理论计算

双折射性是各种光学材料的重要性能之一,具有高双折射率的光学材料在诸多研究及工业领域的应用越来越广泛.然而,作为常用的光学薄膜及光波导材料之一的聚合物材料的双折射性通常却很弱,只能通过实验对其双折射率进行大致的表征,缺乏对其双折射率的系统性理论计算,从而限制了提高聚合物双折射性的研究.本文建立了从聚合物的单体分子结构到多分子链的系统性的双折射率理论计算方法,并借助此方法研究了导致聚合物弱双折射性的限制因素.以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为研究对象,运用密度泛函理论研究了其本征双折射率,这里的本征双折射率是指分子链完全取向时其单体单元的双折射率.计算结果表明其本征双折射率高达0.0738左右,并且通过计算给出了PMMA单体单元的平均双折射率色散曲线.采用分子动力学方法研究了该聚合物(包含20个分子链)的材料双折射率.理论计算结果表明,尽管该聚合物具有较大的本征双折射率,但是由于聚合物中分子链取向度极低,聚合物材料最终表现出来的双折射率只有0.00052.本文建立的研究方法及研究结果为研究增强聚合物材料双折射性提供了理论依据.     

桥环菁染料 1,1-((N)-甲基-4-吡啶基)-3-((N)-甲基-4-吡啶亚基)-4.5-二取代-1,4-环戊二烯甲基硫酸盐及具有不对称(N)-烷基的桥环菁染料

1,3-二(4-吡啶基)丙烷用硫酸二甲酯甲基化生成双吡啶盐(2),该吡啶盐(2)和α-二酮在碱性条件下缩合生成1-(N-甲基-4-吡啶基)-3-(N-甲基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯甲基硫酸盐(3),得率良好。1,3-二(4-吡啶基)丙烷用不同的卤代烷分步烷基化得不对称的双吡啶盐(5),(5)用上述方法和α-二酮反应得不对称桥环菁染料(6)。本工作还测定了桥环菁染料的可见和荧光光谱,并讨论了染料(3)的质子化过程和pK_b值。