关于建立兰州电子束辐照中心的建议

原子核科学技术是衡量一个国家现代化水平的重要标志之一,也是迅速提高各个领域科学技术水平,发展生产,提高经济效益的主要手段。原子核科学技术的发展,从1896年放射性的发现算起,迄今已近一个世纪了。它的显著特点之一就是,从一开始就紧密地与应用相结合。例如,1898年居里夫人发现镭,1901年就应用来治疗病人,从此逐步开创了核技术和医学相结合的一门新兴学科一核医学。从本世纪初起,相对论和量子力学的建立,原子物理和核物理的成就,中子和铀核......     

25MeV/u 40Ar+209Bi裂变反应的断点激发能和裂变时标测量

对25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁰⁹Bi非完全熔合反应中形成的热核,测量了与裂变碎片相符合的α粒子能谱,用运动源模型分解α粒子能谱得到了裂变断前和断后发射α粒子多重性.由断后碎片发射α粒子多重性得到断点激发能约为172.5MeV.由断前α粒子多重性得到激发能在470—600MeV范围内的热核的裂变时标约为4×10^－21S.     

三氟苯乙烯及其二聚体的化学 3.溶剂对α;β;β,-三氟苯乙烯热环化二聚反应动力学参数的影响

在393K下,测定了三氟苯乙烯在六种溶液中的热环化二聚反应的速率常数,并在其中的三种溶液中测定了速率常数的温度依赖性。反应产物为顺式与反式1,2-二苯基全氟环丁烷。反应速率常数根据Arrhenius方程计算,在n-C_6H_(14)溶液中,其logA为6.02±0.18,E_a为19.5±0.3(kcaal·mol~(-1));在乙二醇二甲醚溶液中,logA为5.31±0.19,E_a为18.0±0.3(kcal·mol~(-1));在甲醇溶液中,logA为4.93±0.13,E_a为17.1±0.3(kcal·mol~(-1))。三氟苯乙烯的热环化二聚反应按双自由基机理进行。     

水中苯氧羧酸类除草剂的液相色谱-串联质谱测定方法研究

建立了固相萃取(SPE)/超高效液相色谱-三重四极杆串联质谱(UPLC-MS/MS)同时测定水中8种苯氧羧酸类除草剂残留的方法。过滤后的样品经HLB固相萃取柱富集净化后,采用BEH C18柱,以2 mmol/L乙酸铵-乙腈作为流动相进行梯度洗脱,采用串联质谱进行检测。8种苯氧羧酸类除草剂在0.8～100μg/L质量浓度范围内线性关系良好(r=0.995 8～0.999 6),回收率为74%～90%,相对标准偏差为1.0%～12.0%,方法检出限(3S)为1.0～1.8 ng/L。该方法快速、灵敏,适用于水体中8种苯氧羧酸类除草剂残留的测定。     

大尺寸掺铊碘化钠晶体生长及闪烁性能

采用坩埚下降法，生长了体积为4 L的大尺寸NaI(Tl)晶体。对晶体进行X射线粉末衍射、紫外可见近红外透射光谱测试，结果表明，生长的晶体具有单一的物相，在600～1 600 nm的透过率高于75%。电感耦合等离子体发射光谱测试结果表明，晶体中的Tl离子浓度从头部到尾部逐渐增加。经过锻压、切割、打磨、抛光、封装等工序将NaI(Tl)晶体毛坯制成100 mm×50 mm×400 mm的方形晶体。闪烁性能测试结果表明，在¹³⁷Cs放射源激发下，晶体的平均能量分辨率为7.9%,不同位置的相对光输出和能量分辨率存在一定差异。     

TC4钛合金在模拟海水中腐蚀?磨损交互行为研究

采用自制摩擦腐蚀装置研究了TC4钛合金在模拟海水中电化学腐蚀与机械磨损间的交互作用，探究了不同电化学状态对TC4钛合金腐蚀磨损行为的影响. 在摩擦腐蚀过程中，TC4钛合金的腐蚀电位发生负偏移，腐蚀电流随着外加电位升高而增大，在零电流电势(OCP)附近TC4钛合金获得最低摩擦系数. TC4钛合金总体积损失随着外加电位的增加而增大，证实了腐蚀磨损交的交互作用随着外加电位的增加而增强；当电位从–0.5 V增大至0.8 V时，腐蚀磨损交互作用导致的材料损失占总材料损失的比例由12%增加至66%，其中腐蚀诱导磨损导致的损失量占比由7%增加至44%. OCP及其以下外加电位条件下，TC4钛合金的磨损机制为磨粒磨损；0 V电位下TC4钛合金磨损机制为磨粒磨损和疲劳磨损；0.8 V电位下TC4钛合金的磨损机制为磨粒磨损和摩擦诱导的腐蚀磨损.      

Pt掺杂Ni/NiAlOx催化菲加氢饱和反应性能研究

本研究选取菲为模型化合物,以强化芳烃吸附为目标,采用等体积浸渍法制备了系列Pt-Ni/NiAlO_x催化剂,系统考察了Pt掺杂量对催化剂结构和菲加氢饱和性能的影响。结果表明,当反应温度300℃、氢气压力5 MPa、重时空速52 h^-1时,相比Ni/NiAlO_x催化剂,掺杂0.5%Pt的0.5Pt-Ni/NiAlO_x催化剂上全氢菲选择性在反应8 h后由40%提升至67%,且表观反应速率和转化频率分别由1.53×10^-3 mol·kg^-1·s^-1和14.64×10^-3s^-1提升至1.81×10^-3mol·kg^-1·s^-1和22.16×10^-3s^-1。这主要归因于金属Pt适宜的掺杂量提高了金属Ni缺电子结构的稳定性,促进芳烃吸附,提升了菲加氢饱和性能。     

CHEMISTRY OF THE PERFLUORO AND POLYFLUORO ORGANIC COMPOUNDS——THE RELATIVE EASE OF FORMATION OF TWO PERFLUOROALKYL R ADICALS

The relative rates of formation of perfluoro iso-propyl radicals (i—C_3F_7,5(i)) and perfluoro n-propyl radicals (n—G_3F_7, 5(n)) are reported. The relative rate constants of β-scission and of bromine abstraction by perfluoro-(α-alkoxyethyl)radicals(RFOCFCF_3:R_F=i—C_3F_7, 3(i); R_F=C_3F_, 3(n)), designated as kr(i) and k,(n), were measured at 7 temperatures in the range of 50—80℃, thence the ratio of the relative rate constants of formation of perfluoro iso-propyl radicals (5(i) and perfluoro n-propyl radicals (5(n)), K_β(i):K_β(n), were obtained. These ratios range from 540—680 at 50℃ to 400—590 at 80℃, much larger than those of the corresponding hydrocarbon radicals. Finally, the differences of activation-free-energy differences between 3(i) and 3 (n), △G~≠(i—n), together with the corresponding enthalpy and entropy terms, △H~≠(i—n), △S~≠(i- n), were calculated. These kinetic parameters indicate that the much higher rate of formation of the perfluoro iso-propyl radicals is caused     

连续馈料硅单晶拉制法

常规CZ法拉制的晶体中的各种不均匀性,主要是由于晶体生长中熔休体积变化引起的生长动力学的非稳态性质造成的.美国siltee公司提出了一种从小量等体积熔体中生长晶体的连续馈料晶体拉制法,并用这种方法从8公斤熔体中拉制出直径为150毫米的P型<100>硅单晶[1].这种装置的关键部件包括:多晶熔化器、熔体输运系统和生长室中的熔体液面位置控制机构.液面控制机构的分辨率为0.02时.多晶馈料机构适于供给棒、块或粉末.补充熔体的精确的温度调节也是很重要的.由于存在大的表面张力,使输运系统不能精确地定量(0.2-0.3毫升/秒)输运熔融硅,应用虹吸原…     

80.6MeV16O轰击27Al出射类弹碎片的测量

用大面积位置灵敏电离室测量了80.6MeV¹⁶O轰击²⁷Al时产生的出射类弹碎片, 得到了从Li到Na的能谱、角分布、E-θ平面上的d²σ/dΩdE等高线图及Z分布; 导出了准弹和深部非弹的截面; 并对实验结果进行了讨论.