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偏心对汇聚激波诱导的RM不稳定性影响的数值研究 总被引:1,自引:0,他引:1
数值研究汇聚激波与四种形状(圆形、小振幅单模、大振幅单模和正方形)的二维气柱界面相互作用,激波汇聚中心与界面同心和不同心(即偏心)时Richtmyer-Meshkov(RM)不稳定性的发展规律,重点考察界面中心的压力及混合区面积在两种情况下随时间的变化.数值方法使用VAS2D程序,该方法采用有限体积法结合网格自适应技术,能够达到时间和空间的二阶精度.结果表明,偏心情况下RM不稳定性是其在同心情况下的扰动和偏心小扰动叠加的结果.在本文采用的偏心程度下(20%),偏心对于圆形无扰动界面发展的影响主要表现在后期界面出现微小扰动结构;而对于单模和正方形这种原本有扰动的界面,偏心使扰动结构呈现不对称及扭曲,同时也影响了界面中心压力和混合区面积,因而加剧了不稳定性的发展. 相似文献
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在太赫兹(THz)成像、雷达探测、相干通信等许多应用领域中,THz辐射源的频率稳定性是直接影响其应用效果的核心问题之一。基于双光子迁移效应建立了光泵THz激光器输出激光频率漂移的物理模型,推导出THz激光频率漂移的解析计算公式。以光泵甲醇(CH3OH)为例, 给出了不同压强下的甲醇吸收谱线,定量分析了泵浦光频率漂移和泵浦功率对THz激光频率稳定性的影响,并讨论了THz激光腔内工作气体压强对THz激光频率漂移的影响。研究结果表明:随着泵浦光功率的增加,THz激光频率的漂移量逐渐增加;随着THz腔内工作气体压强升高,THz激光的频率漂移逐渐下降;当泵浦光频率漂移量在一定范围时,将出现THz激光的频率漂移量极值,且泵浦光的频率漂移量等于工作气体吸收谱线宽度的1/4时,THz激光输出的频率漂移达到极值。由此可见,在实际工作中,不仅需要合理选择腔内的工作条件(压强、温度),而且还需要采取措施将泵浦光的频率漂移控制在一定范围以内,以提高THz激光的输出频率稳定性。 相似文献
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A new velocity map imaging spectrometer is constructed for molecular reaction dynamics studies using time-resolved photoelectron/ion spectroscopy method.By combining a kHz pulsed valve and an ICCD camera,this velocity map imaging spectrometer can be run at a repetition rate of 1 kHz,totally compatible with the fs Ti:Sapphire laser system,facilitating time-resolved studies in gas phase which are usually time-consuming.Time-resolved velocity map imaging study of NH3 photodissociation at 200 nm was performed and the time-resolved total kinetic energy release spectrum of H+NH2 products provides rich information about the dissociation dynamics of NH3.These results show that this new apparatus is a powerful tool for investigating the molecular reaction dynamics using time-resolved methods. 相似文献
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Sasobit对SBS改性沥青性能的影响研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为揭示温拌剂Sasobit对SBS改性沥青性能的影响,本文分别进行了不同温拌剂含量沥青的三大指标、布氏粘度、粘温扫描、动态剪切流变和低温弯曲流变等试验。结果表明:Sasobit使SBS沥青软化点降低,虽然其温度敏感性增大,但对针入度和延度影响不大。温拌沥青在105℃以上高温区粘度明显下降,这对施工有利;但随温度的降低,粘度却比原样提高,这对实际使用有利。依据三大指标和粘度试验结果,本文提出SBS沥青的Sasobit最佳掺量为3%。粘温扫描曲线显示,含Sasobit沥青粘度增大,特别是在75℃以下的温度区域,这对夏季抗车辙有利。此外,温拌剂Sasobit使SBS沥青的PG分级的高温等级提高,而对低温等级影响不大。 相似文献
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本文采用两种多功能有机羧酸配体:2-(对溴)苯基-4,5-咪唑二羧酸(p-BrPhH_3IDC)和对苯二甲酸(H_2DCB)为混合配体与六水合硝酸铽,通过溶剂热反应,成功制备了一个含有一维孔道的复杂三维金属有机框架{[Tb(p-BrPhHIDC)(DCB)_(0.5)H_2O]·H_2O}_n。采用红外光谱、元素分析以及单晶X射线衍射测试了其分子结构。发现所采用的两种羧酸配体均与中心金属Tb(Ⅲ)离子配位进而桥联邻近的金属离子构成了三维框架。采用X-射线粉末衍射技术测试了晶体纯度。热分析表明该金属有机框架显示出比较好的热稳定性。固体荧光测试以及小分子识别研究表明该配合物显示出强的特征荧光发射和一定的乙腈识别能力。 相似文献
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楼建玲 李智焕 叶沿林 江栋兴 华辉 李湘庆 张双全 郑涛 葛愉成 孔赞 吕林辉 李琛 卢飞 范凤英 李忠宇 曹中鑫 马立英 Faisal 徐瑚珊 胡正国 王猛 雷相国 段利敏 肖志刚 黄天衡 付芬 章学恒 郑川 余玉洪 涂小林 张亚鹏 杨彦云 张宏斌 唐彬 田育林 欧阳珍 黄美容 徐治国 岳珂 高启 《中国物理 C》2008,32(Z2):41-43
The β-delayed neutron and γ spectra of neutron-rich nucleus 21N using β-γ and β-n coincidence measurements were presented in this paper. Thirteen new neutron groups ranging from 0.28 MeV to 4.98 MeV and with a total branching ratio 88.7±4.2% were observed. One γ transition among the excited states of 21O, and four γ transitions among the excited states of 20O were identified in the β decay chain of 21N. The ungated half-life of 83.8±2.1 ms was also determined for 21N. 相似文献
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Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor device with high-κ insulator 下载免费PDF全文
An improved vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor(DMOS) device with a p-region(P1) and high-κ insulator vertical double-diffusion metal–oxide–semiconductor(HKP-VDMOS) is proposed to achieve a better performance on breakdown voltage(BV)/specific on-resistance(Ron,sp) than conventional VDMOS with a high-κ insulator(CHK-VDMOS).The main mechanism is that with the introduction of the P-region,an extra electric field peak is generated in the drift region of HKP-VDMOS to enhance the breakdown voltage.Due to the assisted depletion effect of this p-region,the specific on-resistance of the device could be reduced because of the high doping density of the N-type drift region.Meanwhile,based on the superposition of the depleted charges,a closed-form model for electric field/breakdown voltage is generally derived,which is in good agreement with the simulation result within 10% of error.An HKP-VDMOS device with a breakdown voltage of 600 V,a reduced specific on-resistance of 11.5 m?·cm~2 and a figure of merit(FOM)(BV~2/Ron,sp)of 31.2 MW·cm~(-2) shows a substantial improvement compared with the CHK-VDMOS device. 相似文献
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调整光谱仪的光谱分辨率,可使光谱仪在满足不同目标测量需求的同时,减少数据采集、处理和存储的时间,提高仪器的整体性能。为克服传统傅里叶变换光谱仪的光谱分辨率固定的缺点,提出了一种分辨率可调的空间调制傅里叶变换光谱仪。介绍了该新型光谱仪及其干涉仪的工作原理,利用光线追迹的方法推导了光程差和横向剪切量的计算公式,并分析了新型干涉仪的光程等效模型。在此基础上,分析了光谱分辨率的调节原理。结果表明,该光谱分辨率可调的新型空间调制傅里叶变换光谱仪克服了传统光谱仪分辨率固定、稳定性差等缺点,具有分辨率可调、高稳定性、结构灵活和易于装调等特点。该研究内容为分辨率可调的干涉光谱仪的设计提供了理论基础,扩展了傅里叶变换光谱仪的实用范围。 相似文献
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