极谱法测定硫酸稀土复盐母液中的稀土总量

在pH9.0的NH3·H2O-(NH4)2SO4缓冲介质中,RE(Ⅲ)-TP的络合吸附波的波高与RE(Ⅲ)的浓度在0-10μg/mL间成线性。该方法的相对标准偏差2.23%,回收率99.51%-103.38%,用于硫酸稀土复盐母液中微量稀土总量测定,结果满意。     

超声Doppler血流信号自回归谱估计研究

本文讨论了自回归(AR)模型用于处理超声Doppler血流信号的情况。实验表明,AR谱估计比FFT周期谱具有分辨率高,随机起伏误差小等优点。     

薄铝埋点等离子体K线光谱半定量诊断

高温等离子体系统中存在等离子体流体力学运动演化过程、离子的离化分布演化动力学过程、高剥离态离子谱发射过程及发射芬光辐射输运过程等，而且高温等离子体系统通常是非平衡系统，所以定量研究高温等离子体系统的发射X光谱和高温等离子体对X光的吸收是一个非常复杂的问题。为了模拟和解释实验测得的激光等离子体发射光谱，提出了一种薄埋点靶：直径为φ200μm厚度为0．1μm的铝点埋在20μm厚的CH膜底衬中，表面再覆盖0．1μm厚CH膜。     

能谱法和催化光度法测定无机纤维中铁含量的比较研究

本文研究了铁(Ⅲ)在酸性介质中催化抗坏血酸(Vc或H2A)还原4-硝基-3’-甲基-氨基偶氮苯的褪色反应,拟定了反应的最佳条件,探讨了反应机理,建立了催化动力学测定痕量铁的新方法,该方法的检出限为2.98×10~(-11)g·mL-1,线性范围为0-200 ng·(25 mL)-1。比较了X射线能量色散谱法和催化光度法在玄武岩纤维样品中铁含量的测定,结果误差为2.89％。     

富勒烯(C_(60)/C_(70))与N,N,N′,N′-四-(对甲苯基)-4,4′-二胺1,1′-二苯硒醚(TPDASe)间光诱导电子转移过程的激光光解研究

富勒烯 (C60 /C70 )与N ,N ,N′ ,N′ 四 (对甲苯基 ) 4,4′ 二胺 1,1′ 二苯硒醚 (TPDASe)间在激光光诱导条件下 ,发生了分子间的电子转移过程 .在可见 -近红外区 ( 60 0～ 12 0 0nm) ,观测到了TPDASe阳离子自由基、富勒烯 (C60 /C70 )激发三线态和阴离子自由基 ,在苯腈溶液中 ,观测瞬态谱测定了电子从TPDASe转移到富勒烯 (C60 /C70 )激发三线态的量子转化产率(ΦTet)和电子转移常数 (Ket) .     

A New High Efficiency Multiwave Cerenkov Generator Operating at Low Magnetic Field

With a resonant cavity inserted between the second slow-wave-structure section and the tapered wavegulde, a new structure of the multlwave Cerenkov generator (MWCG) operating at low guiding magnetic field is proposed to produce high efficiency and high power microwave. Some features and potential advantages of the proposed device are analysed. The 2.5-dimensional partlcle-in-cell simulation is employed to verify the initial expectation.The results show that, with the use of an electron beam of 640keV and 8.4kA guided by the magnetic lield of 0.6 T, a stable and monochromatic X-band microwave output of 4 GW in peak power is achieved, and the average efficiency is over 30%.     

水下多路水声测量信号光纤传输系统

以一个水声被动测量系统的工程项目为平台，介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。     

多维树枝状有机分子的双光子吸收特性

利用响应理论方法,研究了新近合成的以二-(苯乙烯基)苯为主干的多分枝有机物的双光子吸收特性.结果表明这些多维有机分子显示了较好的双光子吸收特性,其中A-π-A型的有机分子具有较大的双光子吸收截面,进一步说明了到底是对称型的还是不对称型的有机分子具有大的双光子吸收截面还与分子的π中心有关.     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.