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512.
应变锗空穴量子点是实现超大规模量子计算最有前景的平台之一.由于锗空穴不受超精细相互作影响,有着较长的自旋弛豫时间和量子退相干时间,且锗中本征的强旋轨道耦合和空穴载流子的低有效质量,使得全电场操控空穴自旋量子比特得以实现,极大地降低了器件加工难度,增加了量子点的可扩展性.本文介绍了一种使用应变锗异质结制备重叠栅空穴双量子点器件的方法,完成了应变锗异质结性质测量,空穴双量子点器件制作,单量子点输运性质和双量子点输运性质研究,双量子点耦合可研究调节性研究,以及外磁场存在下的漏电流性质研究和泡利自旋阻塞解除机制的研究.这些工作为未来实现高质量自旋量子比特制备和高保真度量子逻辑门操控提供了实验平台和基本参数. 相似文献
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氨(NH3)作为重要的化工原料对农业及国计民生发展有直接影响。工业合成氨需高温高压、能耗高和污染重。低温等离子体技术是一种可持续,有潜力的合成氨途径,已成为国内外研究热点。本工作以氮气和氢气为原料,在低温常压下采用纳秒脉冲介质阻挡放电等离子体合成氨,通过单因素实验系统研究脉冲峰值电压、脉冲重复频率、气体总流量、N2和H2体积比(V(N2)∶V(H2))等因素对合成氨速率及能量产率的影响规律。进一步通过正交实验评价确定影响合成氨反应速率因素的主次顺序为:脉冲峰值电压>脉冲重复频率>气体体积比>气体总流量。影响合成氨能量产率因素的主次顺序为:脉冲峰值电压>气体体积比>脉冲重复频率>气体总流量。结合两部分实验,最终得到合成氨的优选条件:脉冲峰值电压16 kV、脉冲重复频率6 kHz、脉冲上升沿100 ns、V(N2)∶V(H2)=1∶1、气体总流量200 mL/min。此时NH3合成... 相似文献
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对固定化酶的载体进行功能化修饰,通过改善载体和酶的界面连接可使酶分子在载体表面形成高度有序的二维排列,从而提高酶的催化活性和操作稳定性.用柠檬酸修饰的Fe3O4磁性纳米粒子(CA-Fe3O4)易于磁性分离且表面富含羧基,可作为一种优良载体通过吸附法固定化氯过氧化物酶(CPO)构筑CPO@CA-Fe3O4酶反应器、共固定化CPO和葡萄糖氧化酶(GOx)构筑GOx&CPO@CA-Fe3O4级联酶反应器.将酶反应器应用于催化氧化结晶紫染料的脱色时,两种酶反应器均显示出良好的催化活性、对底物的亲和性与专一性、热稳定性,在实际水样中也有良好的应用效果.与CPO@CA-Fe3O4相比, GOx&CPO@CA-Fe3O4酶反应器因级联反应中H2O2的原位产生而表现出更优异的催化性能... 相似文献
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采用高效液相色谱-电感耦合等离子体质谱法(HPLC-ICP-MS)分析人尿中砷甜菜碱(AsB)、二甲基砷(DMA)、砷胆碱(AsC)、亚砷酸盐(As(Ⅲ))、一甲基砷(MMA)、砷酸盐(As(V))6种砷形态。样品经水稀释后,采用Dionex IonPac As7阴离子交换色谱柱为分析柱,20 mmol/L碳酸铵(2%甲醇)和100 mmol/L碳酸铵(含2%甲醇)为流动相,梯度洗脱,HPLC-ICP-MS分析砷形态。6种砷形态在0~100μg/L范围内线性关系良好,相关系数(r)均大于0.999,检出限为0.05~0.15μg/L,不同浓度水平砷形态的相对标准偏差(RSD)均小于5.0%。3种不同浓度水平的加标回收率为91.8%~108%,有证标准物质“冷冻人尿中砷形态”(NIST SRM 3669)中5种砷形态的测定结果在标准值范围内。实验结果表明,该方法准确可靠、灵敏度高、分析时间短,适用于人尿中砷形态的分析测定。同时研究了食用不同含砷食物后尿中砷形态的种类,结果显示不同的含砷食品,其砷在人体内的代谢转化不同。 相似文献
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519.
采用固相合成法制备Er2O3掺杂(Gd1-xErx)2Zr2O7(x=0,0.1,0.2)陶瓷材料,利用X射线衍射仪、激光导热仪以及傅里叶变换红外光谱仪对陶瓷材料的物相结构、热导率及高温红外发射率分别表征并对结果进行分析。结果表明,在Rad+pc模型中(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样的热导率随掺杂量先降低后升高,总体上,Er3+的掺杂降低了Gd2Zr2O7的热导率,而Cape+pc模型中(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样热导率首先随温度升高而逐渐降低,800℃出现拐点随温度呈增大趋势。随Er2O3掺杂量的增加,(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样1100℃红外发射率(3~5μm)与光子热导率具有相同变化趋势,发射率的降低导致了热导率测试值的增大,这一现象与材料晶格振动相关。 相似文献
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首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料 Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2原始样品(P-LRMO), 然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量 Ga2O3原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及 X射线光电子能谱(XPS)结果表明在 P-LRMO表面成功合成了 Ga2O3包覆层。电化学测试结果表明:含有 3 %Ga2O3的改性材料 G3-LRMO具有最优的电化学性能, 其在 0.1C倍率(电流密度为 25 mA·g-1)下首圈充放电比容量可以达到 270.1 mAh·g-1, 在 5C倍率下容量仍能保持 127.4 mAh·g-1, 优于未改性材料的 90.7 mAh·g-1, 表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在 1C倍率下循环 200圈后仍有 190.7 mAh·g-1的容量, 容量保持率由未改性前的 72.9 %提升至 85.6 %, 证明 Ga2O3包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且, G3-LRMO在 1C倍率下循环 100圈后, 电荷转移阻抗(Rct)为 107.7 Ω, 远低于未改性材料的 251.5 Ω, 表明 Ga2O3包覆层能提高材料的电子传输速率。 相似文献