非线性时滞差分方程的全局渐近稳定性

考虑非线性时滞差分方程xn+1-xn+pnxn-k=f(n,xn-l)(*)n=1,2,…其中pn＞0,k,l∈N={0,1,2,…},f(n,x)N×R→R关于x连续,本文获得了上述方程零解全局渐近稳定的充分条件,推广了文[1]的结果.     

构造正交表的分层方法

利用投影矩阵的正交分解提出了构造正交表的分层方法,作为这种方法的应用构造了一个含有9水平的36阶正交表。     

电火工品桥丝与药剂升温模型及在可靠性设计中的应用

介绍了桥丝式电火工品的电容放电和直流输入方式的桥丝升温模型、药剂升温模型及其数值求解算法 ,提出了估算感度的能量平衡方程和用于输入可靠性设计的理论计算方法。给出了一个算例 ,并与实际产品作了比较 ,结果表明 ,将该模型用于可靠性设计的理论计算是可行的。     

化学气相输运法制备ZnO晶体

采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.     

双复合离散型艾里涡旋加速光的传输特性

利用全息技术,采用二元相位处理后的离散型艾里涡旋相位,制作了一种双复合离散型艾里涡旋加速光.理论模拟和实验探究了该加速光的传输特性,以及线性因子(s)、径向层数(N)和拓扑荷梯度(ΔL)对光场的调控机制.结果表明,双加速光在传输过程中,由于离散和旋转效应,逐渐分离为多个类艾里光;通过调节传输距离及ΔL,可实现二维类艾里光至一维类艾里光之间的演化.此外,N和s可分别调节双加速光的强度分布及其在初始截面(z=0处的x-y平面)中的位置分布;ΔL也可调节分离的类艾里光之间的强度分布.     

通过式固相萃取净化/高效液相色谱-串联质谱法快速测定水产品中6种麻醉剂残留

建立了一种快速测定水产品中6种麻醉剂(普鲁卡因、利多卡因、布比卡因、丁卡因、3-氨基苯甲酸乙酯甲基磺酸盐、苯佐卡因)的高效液相色谱-串联质谱分析方法。样品以水和1%甲酸乙腈提取,提取液经PRiME HLB固相萃取柱净化,以乙腈和0.1%甲酸水溶液为流动相梯度洗脱,ZORBAX Eclipse XDB-C_(18)色谱柱(3.0 mm×150 mm,3.5μm)分离,多反应监测(MRM)正离子模式检测,外标法定量。结果表明,6种组分在各自质量浓度范围内线性关系良好,相关系数(r~2)为0.993 8～0.998 7,方法检出限(LOD)为1.5～6.0μg/kg,定量下限(LOQ)为5.0～20μg/kg,平均加标回收率为76.8%～110%,相对标准偏差为4.2%～11%。该方法前处理操作简单、快速、准确、灵敏,适用于水产品中6种麻醉剂残留的快速测定。     

具有水平流动的Rayleigh-Benard对流斑图

本文利用数值模拟,探讨了普朗特数 时有水平流动的Rayleigh-Benard对流结构．当水平流动强度 时,发现定常对流的多重稳定性．当 时,Rayleigh-Benard(RB)对流中存在三种对流斑图．它们的出现依赖于水平流动强度 和相对瑞利数 ．与 相比,在 时的行波具有不同的动力学特性．     

利用传输腔技术实现镱原子光钟光晶格场的频率稳定

为了获得高稳定度和高精确度的原子光晶格钟,光晶格场的频率必须得到锁定,线宽必须控制到特定水平用来消除交流斯塔克频移.本文提出利用传输腔技术来实现对镱原子光钟的光晶格场的频率锁定和抑制频率长期漂移的锁定方案.首先,将一个殷钢材料的传输腔锁定在基于调制转移谱技术锁定的780 nm激光场上,再将759 nm的光晶格光场锁定在传输腔上.实验结果表明,光晶格光场的线宽可以锁定和控制在1 MHz以下.光晶格光场与锁定于氢钟的光梳拍频结果显示,光晶格光场的长期频率稳定度优于3.6×10~(-10),可以确保实现镱原子光钟的不确定度进入10~(-17).     

塑性变形及疲劳损伤对304奥氏体不锈钢电磁特性的影响研究

利用MTS双轴试验机制作了具有不同塑性变形及不同疲劳损伤的试样,采用四端子直流电位法考察塑性变形和疲劳损伤对304奥氏体不锈钢材料电导率的影响,并利用极软磁磁滞回线仪测量塑性变形和疲劳损伤对材料磁性特性的影响。结果表明:首先基于实验研究发现塑性变形会导致材料电导率下降,磁特性升高;并通过微观分析得到塑性变形引起材料位错、滑移、孪晶的产生是导致材料电磁属性变化的诱因。其次,考察了疲劳损伤对304奥氏体不锈钢电磁特性的影响,表明疲劳损伤也可使材料电导率下降,磁特性升高。最后,实验研究发现塑性变形与疲劳损伤的复合作用增强了对304奥氏体不锈钢电磁特性的影响。     

Ballistic transport and quantum interference in InSb nanowire devices

An experimental realization of a ballistic superconductor proximitized semiconductor nanowire device is a necessary step towards engineering topological quantum electronics. Here, we report on ballistic transport in In Sb nanowires grown by molecular-beam epitaxy contacted by superconductor electrodes. At an elevated temperature, clear conductance plateaus are observed at zero magnetic field and in agreement with calculations based on the Landauer formula. At lower temperature, we have observed characteristic Fabry–Pérot patterns which confirm the ballistic nature of charge transport.Furthermore, the magnetoconductance measurements in the ballistic regime reveal a periodic variation related to the Fabry–Pérot oscillations. The result can be reasonably explained by taking into account the impact of magnetic field on the phase of ballistic electron's wave function, which is further verified by our simulation. Our results pave the way for better understanding of the quantum interference effects on the transport properties of In Sb nanowires in the ballistic regime as well as developing of novel device for topological quantum computations.