抛物势量子点中强耦合双极化子量子比特的性质

基于LLP幺正变换,采用Pekar型变分法得到了二维量子点中强耦合双极化子的基态和第一激发态的能量和波函数,进而构造了一个双极化子的量子比特。数值结果表明:在量子比特内,两电子的空间几率密度的时间振荡周期T0随电声子耦合强度α、量子点的受限强度ω0以及介质的介电常数比η的增加而减小;在量子比特内,两电子的空间几率密度Q随时间t、角坐标φ2及介电常数比η的变化而作周期性振荡;两电子在量子点中心附近区域出现的几率较大,而在远离量子点中心区域出现的几率很小。     

气相色谱-质谱法同时测定皮革制品中10种有机锡化合物

建立了气相色谱-质谱法(GC-MS)同时测定皮革制品中10种有机锡化合物的分析方法。应用液液萃取提取皮革制品中的有机锡,通过四乙基硼化钠衍生后,采用GC-MS进行测定,内标法定量。结果表明,方法的线性范围为20～500ng/mL,相关系数≥0.9990;方法的定量限为0.05mg/kg,平均回收率为80.1%～111.0%,相对标准偏差小于9.6%。该方法准确、灵敏,可用于皮革制品中10种有机锡化合物的分析。     

气相色谱-质谱法同时测定皮革制品中9种酚类化合物

建立了气相色谱-质谱法(GC-MS)同时测定皮革制品中9种酚类化合物的分析方法。样品用丙酮溶液超声提取,将提取溶液与氢氧化钾溶液混合乙酸酐衍生化反应。衍生产物经正己烷提取后,采用GC-MS进行分析,内标法定量。结果表明,方法的线性范围为50～500ng/mL,相关系数≥0.9990;方法的定量限为0.05mg/kg,平均回收率为87.1%～114.3%,相对标准偏差小于8.5%。该方法准确、灵敏,可用于皮革制品中9种酚类化合物的分析。     

基于二到六位比特编码的单量子比特丢失纠错

鉴于利用光子在光纤中传输来进行量子通信时, 最难纠正的错误是光子丢失情况, 提出一种两位逻辑比特到六位物理比特的编码方案. 当1个光子丢失时, 通过补充处于特定初始态的光子, 并执行一系列逻辑操作与投影测量便可纠正错误, 使得输出态与输入态一致. 方案在执行过程中无需辅助比特, 在一定条件下的通信效率比以往方案有所提高.     

基于高维动态R-Vine Copula的股份制商业银行系统性金融风险计量研究

以精准计量系统性金融风险为主要目标,采用R-Vine Copula方法解决股份制商业银行系统性风险精准计量问题.研究过程进行GJR-GARCH与GPD模型拟合、过滤、PIT,实现动态R-Vine Copula建模、仿真,以历史重现原则仿真VaR,并与静态模型作比较,最终得出动态R-Vine Copula模型更优胜结论.研究意义在于为系统性金融风险计量提供了新的模型支持,为系统性金融风险预警提供了更精准的量化方法准备,期望对于新时代金融风险的监管防控与学术研究起到抛砖引玉的作用.     

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30?V偏压.经过1?Mrad（Si）总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响. 关键词： 碳化硅 肖特基 辐照效应 偏压     

高效阴离子交换色谱-积分脉冲安培检测法同时测定黄酒中的单糖和低聚糖及其指纹图谱的构建

建立了黄酒中葡萄糖、果糖、异麦芽糖、异麦芽三糖、麦芽糖、潘糖、麦芽三糖共7种糖类的高效阴离子交换色谱分离-积分脉冲安培检测的方法。以氢氧化钠和醋酸钠为淋洗液进行梯度洗脱,CarboPac^TM10阴离子交换柱进行分离。该方法可在26 min内实现黄酒中7种糖类的定量分析,在0.5~50 mg/L浓度范围内线性关系良好,样品定量限为0.1 g/L,加标回收率为76.5%~108.4%,精密度(RSD)为3.02%~8.23%。将该法用于不同厂家不同批次的绍兴加饭酒中各种糖类含量的检测,基于所得的检测结果,利用中位数法构建了标准指纹图谱,并采用夹角余弦法评价了各个样品与标准指纹图谱之间的相似度。结果初步显示,不同厂家加饭酒之间的相似度差别较大,该法可作为区别不同厂家酒的依据之一。     

High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiCSchottky barrier diode at room temperature

This paper reports that Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated and irradiated with 1~MeV electrons up to a dose of 3.43×10¹⁴~e/cm². After radiation, the Schottky barrier height φ _B of the Ni/4H-SiC SBD increased from 1.20~eV to 1.21~eV, but decreased from 0.95~eV to 0.94~eV for the Ti/4H-SiC SBD. The degradation of φ _B could be explained by interface states of changed Schottky contacts. The on-state resistance R_S of both diodes increased with the dose, which can be ascribed to the radiation defects. The reverse current of the Ni/4H-SiC SBD slightly increased, but for the Ti/4H-SiC SBD it basically remained the same. At room temperature, φ _B of the diodes recovered completely after one week, and the R_S partly recovered.     

NMR指纹图谱与模式识别方法

NMR指纹图谱与模式识别方法相结合在食物的研究中得到广泛应用,已经成功应用于食品的产地的区分,质量判定和转基因食品的安全考察等领域中. 本文综述了近些年NMR指纹图谱与模式识别方法在这些领域的应用. 