Bi2WO6/g-C3N4复合型催化剂的制备及其可见光光催化性能

利用溶剂热法,把Bi2WO6纳米颗粒植入g-C3N4层间和表面成功地制备了Bi2WO6/g-C3N4复合型光催化剂。通过XRD、SEM、TEM、BET和UV-Vis分别对样品的结构、组成、形貌、比表面积、光学性能进行了表征。结果表明,g-C3N4层状结构被部分剥离成碎片且与Bi2WO6纳米颗粒形成了复合物。Bi2WO6/g-C3N4复合型光催化剂与单一Bi2WO6相比不仅扩展了可见光的响应范围、增大了比表面还加速了光生电子与空穴的分离。结果表明,Bi2WO6的最佳负载量为60wt%时,复合型光催化剂具有最高的可见光催化活性且性能稳定、易回收。     

应力调整对石英玻璃珠低速冲击破碎行为的影响

结合高速摄影技术,应用SHPB加载装置,分别使用钢制、铝制和有机玻璃制3种透射杆,对直径约7.90、11.80、15.61 mm 3种尺寸的石英玻璃珠进行了低速冲击实验。根据不同透射杆条件下的玻璃珠破碎过程中的载荷-位移曲线,结合有限元软件计算玻璃珠在冲击作用下载荷的变化情况以及实验过程中玻璃珠的应变,探讨了应力调整对玻璃珠破碎过程的影响。结果表明:相同冲击条件作用下,改变透射杆的材料,会改变玻璃珠破碎过程中的载荷分布,即透射端边界波阻抗的改变会导致反射波发生改变,从而导致玻璃珠内部载荷发生变化;透射杆为铝材和有机玻璃材质时,玻璃珠在破碎过程中的载荷明显下降,在加载过程中伴随着垫块的变形,玻璃珠内部的应力调整时间变长;透射杆为钢杆时,玻璃珠的应变主要表现为两端最大,越靠近中间应变越小,对于透射杆为铝杆和有机玻璃杆的玻璃珠,透射端局部出现了卸载行为。采用有机玻璃透射杆之后,局部应力和变形降低的结果使得玻璃珠在经受较大的变形之后发生破碎,表明玻璃珠的破碎行为由局部变形和局部变形梯度共同控制。     

冲击下混凝土试样应变率效应和惯性效应探讨

结合混凝土试件的真三轴静载冲击实验结果,分别运用考虑应变率效应的Holmquist-Johnson-Cook (HJC)模型和考虑静水压效应的Drucker-Prager (DP)模型进行数值分析,以探讨研究混凝土试样应变率效应和惯性效应的方法。在探究混凝土的应变率效应和横向惯性效应的关系时,使用HJC模型的数值模拟结果来拟合DP准则的各个参数。结果表明:随着应变率的升高,混凝土的强度会提高,并且这种强度的提高,也有一部分原因是第一应力不变量I₁的增大所导致的。因此,混凝土试件的应变率效应和横向惯性约束具有较强的耦合作用。理论和数值分析了冲击下试样内部的横向应力分布特征与应变率、静水压和试样尺寸的关系,结果发现:试样内部横向应力的幅值随着应变率、静水压的升高而增大,但随着试样尺寸的增大而减小。为了探讨横向惯性带来的强度提升效果,提出了一个有关冲击方向最大应力σ_x和等效应力σ_e的参数ξ,且ξ=(σ_x?σ_e)/σ_x。此参数具有尺寸效应、应变率效应和静水压效应,但是此参数与应力三轴度的关系表现出应变率无关特性,可为应变率效应的研究提供新的思路。     

折叠腔内的偏振效应对绿光输出稳定性的影响

 将Jones矩阵法与耦合波方程结合起来分析折叠腔腔内倍频中的绿光问题。在用Jones矩阵法分析折叠镜的偏振效应基础上，通过数值求解耦合波方程讨论了这一效应对绿光输出稳定性的影响，计算结果与相关实验结果的比较表明，合理设计的折叠腔可以比线性腔更有效地抑止绿光波动。     

甲烷与二氧化碳转化制合成气的研究 Ⅰ.负载型钴金属催化剂的催化性能

采用固定床流动反应装置研究了高温焙烧的负载型钴金属催化剂对甲烷与二氧化碳转化制合成气的催化性能，考察了催化剂活性组分、预处理温度及反应条件等对合成气生成量的影响，并用色谱法测定了催化剂上的积炭量．结果表明，钴负载量高于１２％时，在１０７３～１４７３Ｋ焙烧的Ｃｏ／Ａｌ２Ｏ３催化剂不仅具有高的催化活性，而且具有独特的抗积炭性能．ＴＰＲ，ＸＲＤ和催化反应结果表明，来源于ＣｏＡｌ２Ｏ４尖晶石的金属Ｃｏ以及ＣｏＡｌ２Ｏ４尖晶石对催化剂的活性和抗积炭性能起着关键作用，其活性特征在许多方面不同于低温焙烧的Ｃｏ／Ａｌ２Ｏ３或Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂．     

氧化石墨烯增强Cu-Nb 复合线材结构及性能影响研究

本文采用粉末套管法成功制备出氧化石墨烯增强的 GO/Cu-Nb 多芯(192 芯) 复合线材及未掺杂氧化石墨烯的 Cu-Nb 多芯(192 芯) 复合线材. 通过金相、SEM 及拉曼光谱等表征不同尺寸下两种复合线材的芯丝组态、 界面特征及特征峰. 结果表明, 氧化石墨烯由于良好的自润滑特性较好地协调了芯丝与基体的变形, 其弥散分布有效阻隔了 Nb 颗粒团聚及大尺寸晶粒的产生, 芯丝变形更均匀, 形态更规则. 力学和电学性能测试结果表明, 掺杂氧化石墨烯后,Cu-Nb 复合线材的力学与电学性能均明显提升, 分析认为, 氧化石墨烯的尺寸大小、 分散均匀性及热处理是影响线材综合性能提升的主要原因.     

金刚石氮-空位色心单电子自旋的电场驱动相干控制

金刚石氮-空位(nitrogen-vacancy,NV)色心量子体系因在室温条件下具有可实现单自旋寻址与操控、长量子相干时间等独特优势,在固态量子计算、量子精密测量等领域展现了巨大的应用潜力,其中单自旋的精确操控技术对于NV色心应用的发展尤为关键.NV色心量子体系中常用的自旋操控方法都是通过共振的交变磁场来驱动和操控NV色心电子自旋.本文开展了利用交变电场对NV色心电子自旋进行调控的技术研究.通过电极所产生的交变电场成功驱动了NV色心自旋在|ms=-1>与|ms=+1>两个△ms=±2的磁禁戒能级间的跃迁,并观测到受控自旋在相关能级的布居度周期性变化而展现出的Rabi振荡现象.进一步的研究表明,电场驱动Rabi振荡的频率受驱动电场功率的调控,与驱动电场的共振频率无直接关系.将自旋电控制技术与磁控制技术方法相结合,能够实现对NV色心3个自旋能级间直接跃迁的全操控.自旋电控制技术的发展将进一步推动NV色心量子体系在量子模拟、量子计算、电磁场的精密测量等领域研究和应用的发展.     

微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层北大核心CSCD

碘化铯膜层对紫外光以及X射线具有很高的光电转换效率,但在空气中容易发生潮解。介绍了微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层的制备与保护效果。使用扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)对碘化铯薄膜光阴极微通道板的镀膜深度和厚度进行测试,采用氧化铝作为碘化铯薄膜光阴极的保护膜层,并分别制备了厚度为2 nm、5 nm和10 nm的氧化铝保护膜层。在空气中存放不同时间后,碘化铯薄膜光阴极微通道板表面未发生明显潮解变化,其增益约为8800,暗计数率约为4.1 counts·s^(−1)·cm^(−2)。试验证明,氧化铝能够作为微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层。     

A novel Si-rich SiN bilayer passivation with thin-barrier AlGaN/GaN HEMTs for high performance millimeter-wave applications

We demonstrate a novel Si-rich SiN bilayer passivation technology for AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with thin-barrier to minimize surface leakage current to enhance the breakdown voltage. The bilayer SiN with 20-nm Si-rich SiN and 100-nm Si$_{3}$N$_{4}$ was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) after removing 20-nm SiO$_{2}$ pre-deposition layer. Compared to traditional Si$_{3}$N$_{4}$ passivation for thin-barrier AlGaN/GaN HEMTs, Si-rich SiN bilayer passivation can suppress the current collapse ratio from 18.54% to 8.40%. However, Si-rich bilayer passivation leads to a severer surface leakage current, so that it has a low breakdown voltage. The 20-nm SiO$_{2}$ pre-deposition layer can protect the surface of HEMTs in fabrication process and decrease Ga-O bonds, resulting in a lower surface leakage current. In contrast to passivating Si-rich SiN directly, devices with the novel Si-rich SiN bilayer passivation increase the breakdown voltage from 29 V to 85 V. Radio frequency (RF) small-signal characteristics show that HEMTs with the novel bilayer SiN passivation leads to $f_{\rm T}/f_{\rm max}$ of 68 GHz/102 GHz. At 30 GHz and $V_{\rm DS} = 20$ V, devices achieve a maximum $P_{\rm out}$ of 5.2 W/mm and a peak power-added efficiency (PAE) of 42.2%. These results indicate that HEMTs with the novel bilayer SiN passivation can have potential applications in the millimeter-wave range.     

2D NMR对马蹄香中马兜铃内酰胺Ⅳ的结构解析

通过核磁共振技术对从马蹄香中分离得到的马兜铃内酰胺IV进行了结构解析,第一次报道了该化合物的碳谱数据,并通过二维核磁共振(HSQC,HMBC)对其碳和氢信号进行了全归属,更正了文献[6, 7]中H-2和H-5信号的归属错误.