基于波长调制技术对强水蒸气干扰下痕量氨气的测量研究

本文采用免标定波长调制光谱技术结合修正算法实现了电厂脱硝过程中高浓度水蒸气干扰下的痕量逃逸氨浓度测量。分析和讨论了背景对实验测量信号的影响,选择信背比较高的四次谐波用于NH_3浓度的反演,并进行了实验验证。对于烟气中高浓度水蒸气的干扰,利用了H_2O强吸收峰位置标定绝对波数及NH_3吸收峰位置,此外本文提出的修正算法结合免标定波长调制算法可以同时实现H_2O和NH3浓度的准确反演,并通过实验验证了算法的正确性。最后将该修正方法应用于电厂逃逸氨浓度测量并获得了较为可靠的结果.     

Improved thermoelectric performance in p-type Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 bulk material by adding MnSb_2Se_4

Bismuth telluride(Bi_2Te_3) based alloys, such as p-type Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3, have been leading candidates for near room temperature thermoelectric applications. In this study, Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 bulk materials with MnSb_2Se_4 were prepared using high-energy ball milling and spark plasma sintering(SPS) process. The addition of MnSb_2Se_4 to Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 increased the hole concentration while slightly decreasing the Seebeck coefficient, thus optimising the electrical transport properties of the bulk material. In addition, the second phases of MnSb_2Se_4 and Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 were observed in the Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 matrix. The nanoparticles in the semi-coherent second phase of MnSb_2Se_4 behaved as scattering centres for phonons,yielding a reduction in the lattice thermal conductivity. Substantial enhancement of the figure of merit, ZT, has been achieved for Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 by adding an Mn_(0.8)Cu_(0.2)Sb_2Se_4(2mol%) sample, for a wide range of temperatures, with a peak value of 1.43 at 375 K, corresponding to ~40% improvement over its Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 counterpart. Such enhancement of the thermoelectric(TE) performance of p-type Bi_2Te_3 based materials is believed to be advantageous for practical applications.     

固相萃取-液相色谱-串联质谱法检测化妆品中的双酚A残留

建立了化妆品中双酚A残留的高效液相色谱-串联四极杆质谱联用测定方法.样品经碱性乙腈提取,氨基固相小柱净化而后测定.方法在2.0～ 100.0μg/L范围内呈良好线性,相关系数为0.99998,方法的检出限为0.02 mg/kg.在0.10,1.0,10.0 mg/kg 3个加标水平下,加标回收率为92.4％ ～98.8％,相对标准偏差为6.0％～9.4％.     

同轴电极结构下真空放电等离子体生成及传播特性

采用放电电流为100~300 A、持续时间为13 s的单脉冲电源,设计了两种同轴电极结构作为放电阳极,分别为筒状电极、喷嘴状电极。利用MAXWELL 3D电场仿真软件对两种电极结构下的电场分布进行了仿真分析,并采用探针法对放电生成的等离子体的参数进行了测量,分析讨论了同轴电极结构对真空放电等离子体生成特性的影响。选取喷嘴状电极结构作为阳极,分别测量了采用铅、铝、铜三种材质的阴极时生成的等离子体的扩散速度及能量。实验与仿真结果表明:当阳极为喷嘴状电极时阴极尖端的电场强度较大,测得放电电流较大,击穿电压较低,等离子体密度也较大;采用铝材质阴极时生成的等离子体扩散速度最快,采用铅材质阴极时生成的等离子体的离子动能最大。     

Ce掺杂In_2O_3纳米纤维的制备及其三乙胺气敏性能(英文)

用简单有效的静电纺丝法制备了Ce掺杂的In2O3纳米纤维材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和扫描电子显微镜(SEM)对合成样品的晶体结构和形貌进行了表征.结果显示,此纤维材料的平均直径约为90nm,长度达到几十个微米.气敏性能测试结果表明,4%(w)Ce掺杂的In2O3纳米纤维对三乙胺的灵敏度最高,该气敏元件对3μL·L-1三乙胺的灵敏度达到2.6,响应时间为5s,恢复时间约为6s,且具有较好的选择性.     

生物模板法合成三元硫化物及其抑菌活性

分别以橡胶乳、大豆粉、三七粉、菠菜提取物、苝醌提取物作为模板剂,采用溶剂热合成法,合成了具有不同形貌的三元硫化物,考察了其对枯草芽孢杆菌的抑菌活性性能,同时通过MTT法对三元硫化物材料进行毒性测试。通过XRD和SEM进行表征。结果表明：具有棒状结构的Bi₂S₃、雪花状的AgBiS₂、以及含有毛刺状小球的Cu₃BiS₃材料具有特殊的抑菌,且对正常细胞的毒性较低甚至没有。      

晶粒棱长、尺寸与拓扑学特征之间关系的Monte Carlo仿真研究

采用Potts模型Monte Carlo方法研究了晶粒棱长、尺寸与拓扑学特征之间的统计关系.结果表明,晶粒棱长与晶粒面数之间呈线性统计关系,并且平均N面体晶粒模型和Poisson-Voronoi组织均支持该结论.不同时刻的晶粒长大仿真数据表明,在准稳态晶粒长大阶段晶粒棱长的分布具有自相似性.个体晶粒的平均棱长随晶粒面数（或晶粒尺寸）的增加而逐渐增大,这说明一些理论模型中采用的“不同面数的晶粒平均棱长均相等”的假设具有局限性.仿真数据和纯铁实验数据均表明,晶粒尺寸与晶粒面数之间的统计关系表现为一条单调递增的凸曲线. 关键词： 晶粒棱长 晶粒尺寸 拓扑学 Monte Carlo仿真     

应用不对称一维光子晶体结构制备窄光谱LED

对周期性的GaAlAs／AlAs模块堆积组成的有缺陷的一维光子晶体的光波传输模式进行了理论与实验研究。由于堆积结构的周期性受到破坏,导致了光子晶体中模密度发生变化,光波的传播也发生了变化。对模密度和光的传播模式分别用流行的光子能态理论和光学传输矩阵进行了计算和模拟。计算发现采用不对称结构的一维光子晶体结构在实际应用中有更大的灵活性。用金属有机物化学汽相沉积方法实现一维光子晶体,并用于裁剪普通的发光二极管电致发光谱,在20mA的激发电流下,半峰全宽为2．8mm,单色性优 于共振腔发光二极管。在较大的激发电流下,带边发射的增强现象也被观测到。     

La3Ga5SiO14电光调Q的Nd:LiYF激光器研究

报道了以Nd：LiYF(Nd：LYF)为增益介质、用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体进行电光调Q的非稳腔调Q激光器的脉冲特性。Nd：LiYF的两端按σ偏振1、053μm光的布儒斯特角切割,不需另加起偏镜．实现了单一偏振光振荡。LGS晶体电光Q开关插入损耗小(2％),抗光伤阈值高(950MW／cm^2),与DKDP相比,具有不潮解等优点。当抽运能量为120J、重复率3Hz时,单脉冲输出能量为275mJ,脉冲宽度为8ns．动静比为76％．输出能量不稳定度小于3％,偏振度大于99％,光束发散角为0．7mrad。文中还对本激光器偏振特性、非稳腔设计、LiYF导热性能和热透镜效应补偿进行了分析．对LGS电光调Q开关工作性能、工作方式以及存在的问题也进行了分析。     

小长径比弹丸加装大展弦比尾翼的气动特性研究

为了提高小长径比弹丸射击质量,设计了一种大展弦比张开式尾翼,采用AUSM+格式、SST(shearstress transport)湍流模型和隐式算法(lower-upper symmetric Gauss-Seidel implicit method, LU-SGS),求解三维RANS 方程,对前体形状完全相同,不同展弦比的3 种尾翼弹进行了数值模拟,得到了三者在马赫数1.5~3.5 下的气动力特性的差异,分析其原因,并给出了不同展弦比张开式尾翼的适用范围. 计算结果表明:C型弹的升阻比较B 型弹在1.5 马赫数区域附近增加了7% 以上,当马赫数达到2.5 以上时,A 型弹的升阻比大于B 型弹和C 型弹,在3.5 马赫数区域附近A 型弹的升阻比较B 型弹增加了5.4% 以上. 3 种弹丸的俯仰力矩系数随着马赫数的增大而负向减少,且减少的趋势随着展弦比的增加而增大. A 型弹、B 型弹、C 型弹的静稳定裕度的变化范围分别为4%~20.3%,8.5%~23.2%,11.4%~25.6%.