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The title complex L3Y(L = [O-4,6-di-tBu-C6H2-2-CH{CH(iPr2NCHCHN) }]) has been synthesized by the reaction of LiY[N(iPr) 2]4 with H2LCl and LiBu in a 1:3:2 molar ratio at 0 ℃ in THF,and characterized by single-crystal X-ray diffraction. It crystallizes in monoclinic,space group P21 with a = 14.3612(16) ,b = 14.7524(14) ,c = 16.898(2) ,β = 105.708(3) o,V = 3446.3(6) 3,Mr = 1203.50,Z = 2,Dc = 1.160 Mg/m3,μ(MoKα) = 0.90 mm-1 and F(000) = 1296. The structure was refined to R = 0.050 and wR = 0.110 for 10213 observed reflections with I > 2σ(I) . The Y ion is coordinated to three phenoxo groups and three NHC ligands to form a distorted octahedral geometry. The temperature effect on the reaction leads to the 1,2-benzyl migration of NHC ligand to form the title complex. 相似文献
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当采用近红外光谱技术对糖香料的生产过程进行在线质量监控时,糖香料的温度变化严重影响近红外光谱校正模型的预测性能,使其对糖浆样本中主要成分预测结果的平均均方根误差从2.4%增大到29.2%。本研究将近红外光谱技术与载荷空间标准化新型模型传递方法相结合,有效消除了温度变化对近红外光谱校正模型定量分析结果的影响,使其对糖浆样本中主要成分预测结果的平均均方根误差维持在3.8%的水平,实现了利用近红外光谱技术对糖香料的质量进行快速准确的监测和控制。本研究的研究结果为糖料的配制和使用提供了技术保障。 相似文献
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研究了激光选区熔化(SLM)/铣削增减材复合制造工艺对316L不锈钢滑动磨损特性的影响规律。在增减材复合加工机床上分别采用单一增材方法和增减材方法制备316L不锈钢试样,在一台加工中心上制备传统铸造316L不锈钢试样。激光能量密度E设置为112.5~183.3 J·mm-3,铣削每齿进给量设置为0.02~0.08 mm。首先测试分析了试样致密度、组织缺陷、显微组织、显微硬度及表面粗糙度。在与Si3N4陶瓷球配对的干式滑动试验后,对摩擦因数、磨损率、磨痕形貌及元素组成进行测试分析。结果表明,SLM成形材料的致密度和硬度在E=150.0 J·mm-3时取得最高值。增减材试样的表面粗糙度明显低于增材试样,在每齿进给量相同时略高于铸造铣削样。SLM成形材料的摩擦因数范围为0.93~1.03,在最致密时取得最低值并略低于铸造材料。增减材表面在30 min内的总磨损率随每齿进给量的减小而降低,其数值为8.44×10-8~12.17×10-8 mm3 相似文献
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Polarization dependence of the enhancement and suppression of four-wave mixing (FWM) in a multi-Zeeman level atomic system is investigated both theoretically and experimentally. A dressing field applied to the adjacent transition can cause energy level splitting. Therefore, it can control the enhancement and suppression of the FWM processes in the system due to the effect of electromagnetically induced transparency. The results show that the pumping beams with different polarizations select the transitions between different Zeeman levels that, in turn, affect the enhancement and suppression efficiencies of FWM. 相似文献
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本文报道了过渡金属Mn2+离子的含量对二维纳米发光材料[ZnxMg6-xAl2(OH)16]2+[S*2H2O]2-发光强度的影响,并研究了其他合成条件如Zn2+含量、硫化时间、灼烧温度等对发光材料、发光强度的影响. 相似文献
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常温下(MEIm)+I-(MEIm=1-methyl-3-ethyl-imidazolyl)与Ag2O按照物质的量比为1∶2在DMSO中反应成功的合成了线型氮杂环卡宾银碘化物[Ag(MEIm)2]+[AgI2]-,化合物通过了元素分析,1H NMR,X-ray衍射表征。配合物属于单斜晶系,空间群为C2/m,a=1.592 5(4)nm,b=0.679 07(14)nm,c=0.927 1(2)nm,β=110.247(5)°,V=0.940 7(4)nm3,Mr=689.86,Z=8,Dc=2.436 g.cm-3,μ(Mo Kα)=5.36 mm-1,F(000)=640,R=0.036,wR=0.105。配合物由阴阳离子对构成,配阳离子中2个卡宾碳原子与银原子呈线型结构。目标化合物对L-lactide的聚合具有高的催化活性。 相似文献
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分析了直流叠加脉冲电压(定义为复合电压)下次级感应电压触发快脉冲直线变压器驱动源(FLTD)中气体开关击穿延时过程,给出了击穿延时的估算公式。初步实验研究了FLTD用三电极气体开关在复合电压作用下的击穿特性,结果表明:在±70kV直流充电电压叠加300kV/30ns快脉冲电压的复合电压作用下,气体开关的击穿延时小于相同工作系数下常规触发方式的击穿延时,采用SF6气体绝缘时,击穿延时较常规触发方式减小了17%~30%;采用N2绝缘时,减小了约50%,开关工作系数为55%时,击穿延时抖动小于5ns;理论估算的复合电压下击穿延时与实测结果基本吻合。 相似文献
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采用传统固相反应法制备(La1-xGdx)4/3Sr5/3Mn2O7(x=0,0.05)多晶样品,并通过测量样品的磁化强度与温度的变化曲线(M-T曲线)、电子自旋共振谱(ESR谱)和电阻率与温度的变化曲线(ρ-T曲线),研究了x=0和x=0.05样品的相分离现象.研究结果表明,两样品在低温部分出现了反铁磁与铁磁相互竞争的现象,体现出团簇自旋玻璃态的特征.x=0和x=0.05样品分别在125—375 K和100—375 K范围内观察到类Griffiths相,同时发现掺杂使得三维铁磁有序温度(T3Dc0≈125 K和T3Dc1≈100 K)降低,而对类Griffiths温度(TG≈375 K)没有明显影响.在TG温度以上两样品均表现出纯顺磁特性.其电特性表明,x=0样品在整个测量范围内出现两次绝缘-金属转变,这是由钙钛矿锰氧化物共生现象所致.而x=0.05样品只出现一次绝缘-金属转变,表明掺杂能抑制共生现象的产生.通过对ρ-T曲线的拟合发现两样品在高温部分的导电方式基本都遵循三维变程跳跃的导电方式. 相似文献
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钙钛矿型锰氧化物(La$lt;sub$gt;0.8$lt;/sub$gt;Eu$lt;sub$gt;0.2$lt;/sub$gt;)$lt;sub$gt;4/3$lt;/sub$gt;Sr$lt;sub$gt;5/3$lt;/sub$gt;Mn$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;O$lt;sub$gt;7$lt;/sub$gt;的磁性和电性研究 下载免费PDF全文
采用传统固相反应法制备钙钛矿型锰氧化物 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品, X-射线衍射分析表明, 样品(La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7结构呈现良好的单相. 通过磁化强度随温度的变化曲线(M-T)、不同温度下磁化强度随磁场的变化曲线(M-H)和电子自旋共振谱发现: 在300 K以下, 随着温度的降低, 样品先后经历了二维短程铁磁有序转变 (TC2D ≈ 282 K)、三维长程铁磁有序转变(TC3D ≈ 259 K)、奈尔转变(TN ≈ 208K)和电荷有序转变(TCO ≈ 35 K); 样品 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7在TN以下, 主要处于反铁磁态; 在TC3D达到370 K时, 样品处于铁磁-顺磁共存态, 在370 K以上时样品进入顺磁态. 此外, 分析电阻率随温度的变化曲线(ρ-T)得到: 样品在金属-绝缘转变温度(TP ≈ 80 K)附近出现最大磁电阻值, 其位置远离TC3D, 表现出非本征磁电阻现象, 其磁电阻值约为61%. 在TCO以下, 电阻率出现明显增长, 这是由于温度下降使原本在高温部分巡游的eg电子开始自发局域化增强所致. 通过对 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7的ρ-T 曲线拟合, 发现样品在高温部分的导电方式基本遵循小极化子的导电方式.
关键词:
磁性
电性
金属-绝缘转变温度
电子自旋共振 相似文献