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51.
在论文的第一部分, 研究与讨论了isotonic函数的Cauchy型奇异积分算子$T$的 H\"{o}lder连续性及$\|T[f]\|_{\alpha}$与$\|f\|_{\alpha}$间的关系. 在第二部分, 引入了isotonic函数的修正的Cauchy型奇异积分算子$T'$, 首先利用压缩不动点定理证明此修正的Cauchy型奇异积分算子$T'$存在唯一不动点, 然后给出其不动点的Mann迭代序列并证明此序列强收敛于$T'$算子的不动点. 相似文献
52.
离轴照明技术(OAI)是极紫外光刻技术中提高光刻分辨率的关键技术之一。为了实现考虑掩模阴影效应情况下离轴照明的优化选择,构造了一种新型实现OAI曝光的成像模型。将照射到掩模上的非相干光等效为一系列具有连续入射方向的等强度平行光,基于阿贝成像原理分别对掩模进行成像,最终在像面进行强度叠加实现OAI方式下空间成像的计算;并通过向投影系统函数添加离焦像差项实现不同离焦面上空间成像计算。该模型极大地简化了OAI条件下对掩模阴影效应的计算,提高了成像质量计算效率。结合光刻胶特性及投影曝光系统焦深设计要求,以显影后光刻胶轮廓的侧壁倾角为判据,获得了采用数值孔径为0.32的投影系统实现16 nm线宽黑白线条曝光的最优OAI参数。 相似文献
53.
54.
重金属锌在鱼鳃和鱼肉中的积累 总被引:2,自引:0,他引:2
用原子吸收分光光度法研究锌在鱼体内积累行为,结果表明,溶解态和颗粒态锌在鱼鳃和鱼肉中的积累,可分别用模拟方程:y=17.657ln(x)-5.791(溶解态锌,鱼鳃)、y=8.2824ln(x)-1.1144(溶解态锌,鱼肉)、y=35.79ln(x)-4.0646(颗粒态锌,鱼鳃)、y=9.0168ln(x)+3.1344(颗粒态锌,鱼肉)来表示。锌在鱼鳃和鱼肉中的积累明显超过其他金属的积累量。颗粒态鱼鳃积累尤其大于鱼肉,说明鱼在对颗粒态锌积累过程中,部分颗粒态锌是吸附在鱼鳃上的。由于生理功能不同,金鱼对锌需要量比其他金属多。 相似文献
55.
56.
57.
双螺旋辊式新型磨浆机螺旋套磨损机理的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用金相组织分析和电子显微分析技术,结合生产实际,对已磨损的输料段和磨浆段的螺旋套进行磨损表面形貌分析,探讨螺旋套磨损机理.结果表明:输料段正螺旋套能够将纸浆料旋转送入机壳内,不承受较大的挤压应力,但由于纸浆料中含有腐蚀介质,其主要的磨损失效形式以腐蚀磨损为主,磨料磨损为辅;磨浆段反螺旋套本身无正输送能力,浆料在正输送组件作用下形成高压区,纤维与浆料之间产生较大摩擦力,导致纤维分离,进而使之分丝帚化和压溃,浆料水分降低,其主要的磨损失效形式为高应力磨料磨损,并伴有腐蚀磨损. 相似文献
58.
轻、重稀土对球墨铸铁抗衰退性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
系统地研究了不同稀土含量对钇基重稀土镁球铁和铈基轻稀土镁球铁抗衰退性能的影响,得到了各种球化剂处理的铁水球化级别随保持时间的变化关系曲线。结果表明:无论Y-Mg-Si球化剂还是Ce-Mg-Si球化剂处理的铁水,随着稀土残量的增加抗衰退时间都延长,但当铁水中的稀土残量达到一定值后,初始球化级别下降;无论Y-Mg-Si球化剂还是Ce-Mg-si球化剂,稀土中等残量(0.04%-0.06%)条件下的抗衰退性能都最好,此时残镁量在0.04%-0.07%;中等稀土残量的稀土镁球化剂的抗衰退性能显著优于镁硅球化剂,而且Y-Mg.si球化剂的抗衰退性能优于Ce-Mg-Si球化剂,Ce-Mg-Si球化剂在一定条件下同样可以用于大断面球墨铸铁件的生产。 相似文献
59.
着重介绍高层组合墙片的拟静力试验.通过试验更加深入地了解高层组合墙片在竖向压力和侧向分布荷载共同作用下的破坏机理及抗侧承载力.从而为进一步提出组合墙体抗侧承载力的计算公式打下基础. 相似文献
60.
Low-Voltage Depletion-Mode Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors Gated by Ba0.4Sr0.6TiO3 Dielectric 下载免费PDF全文
We report on the fabrication and characterization of low-voltage indium-tin-oxide (ITO) thin-film transistors (TFTs) gated by a0.4Sr0.6TiO3 (BST) gate dielectric deposited at room temperature. The 400-nm-thick BST film shows a low leakage current density of 6 × 10^-8 A/cm^2 and a high specific capacitance of 83 nF/cm^2 (corresponding εr= 37). The ITO TFTs gated by such BST dielectric operate in a depletion mode with an operation voltage of 5.0 V. The device exhibits a threshold voltage of -3.7 V, a subthreshold swing of 0.5 V/decade, a field effect mobility of 3.2cm^2/Vs and a current on/off ratio of 1.4× 10^4. 相似文献