倾斜式生长ZnS纳米柱状薄膜及其透射性能的研究

采用倾斜式生长的方法,在本底真空为3×10-4 Pa,生长率为0.2 nm·s-1的条件下,通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α,在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。在α=80°和85°时,样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成,扫描电子显微镜(SEM)图像显示,所形成的薄膜均呈现出了柱状结构,并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果;在α=0°时,相应测量结果表明,虽然在不同衬底上也形成了纳米ZnS晶体薄膜,但并未见柱状结构,而是形成了一层均匀且致密的薄膜。对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析。ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率,因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率。     

Thickness dependence of surface morphology and charge carrier mobility in organic field-effect transistors

With the aim of understanding the relationships between organic small molecule field-effect transistors (FETs) and organic conjugated polymer FETs, we investigate the thickness dependence of surface morphology and charge carrier mobility in pentacene and regioregular poly (3-hexylthiophene) (RR-P3HT) field-effect transistors. On the basis of the results of surface morphologies and electrical properties, we presume that the charge carrier mobility is largely related to the morphology of the organic active layer. We observe that the change trends of the surface morphologies (average size and average roughness) of pentacene and RR-P3HT thin films are mutually opposite, as the thickness of the organic layer increases. Further, we demonstrate that the change trends of the field-effect mobilities of pentacene and RR-P3HT FETs are also opposite to each other, as the thickness of the organic layer increases within its limit.     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质

研究了Gd3 Ga5O12 :Ag材料的制备及其发光性质 .Gd3 Ga5O12 :Ag材料通过固相反应法制得 ,采用X射线衍射法分析了材料的结晶度及成分 .用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件 ,得到了较好的蓝紫色发光 ,发光峰分别位于 397和 46 7nm .通过对材料的光致发光和激发光谱的研究和比较 ,得出 397和 46 7nm分别来自于氧空位和Ag 的发光 .     

ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟

计算了ZnS中电子谷间散射的速率.利用蒙特卡罗方法,研究了ZnS型薄膜电致发光器件中电子的能谷转移过程.得出了能谷转移的瞬态过程,电场对谷间分布的影响以及不同能谷中电子动能分布的特点.提出了高能谷的能量存储效应.这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据.     

CdSe/CdS核/壳型纳米晶的光谱特性

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe/CdS核／壳型纳米晶。用光吸收谱（Abs)、光致发光谱（PL）及光致发光激发谱（PLE）研究了CdS壳层对CdSe纳米晶电子结构，从而对其吸收和发光性能的影响。根据PL和PLE的结果以及带边激子精细结构的计算结果，我们用尺寸很小的纳米晶中所形成的基激缔合物解释了PL光谱与吸收边之间较大的Stokes位移。     

BaFCl:Eu~(2+)光激励发光的多隧穿能级模型

基于隧穿对复合发光的思想和位型坐标的原理,在比较了BaFCI:Eu~(2+)导带复合模型和单一隧穿能级模型的基础上,提出了多隧穿能级模型.通过隧穿转移中辐射跃迁衰减理论的推导,给出了利用光激励发光与热激励发光相比较来验证多隧穿能级模型的方法. 关键词：     

基于量子点和MEH-PPV的白光发光二极管的研究

利用无机纳米材料与有机聚合物材料相结合的方法制备白光发光二极管器件, 研究了蓝光量子点QDs(B)掺杂聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基-1, 4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV) 复合体系的发光特性及量子点QDs(B) 掺杂浓度(质量分数)不同对器件发光特性的影响. 制备了ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:QDs(B)/LiF/Al 结构的电致发光器件, 测试了器件的电致发光光谱和电学、光学特性. 当QDs掺杂浓度为40%, 驱动电压为8 V时器件能得到较为理想的白光发射. 同时, 对比研究了非掺杂体系的发光特性, 制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/QDs(B)/LiF/Al的器件, 掺杂体系相较于非掺杂体系, 器件的最大亮度增大, 启亮电压降低, 并分析了掺杂体系器件性能改善的原因.     

掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了 电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级；GaN注 入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级，能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV；GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级 ，能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV；对每一个深能级的来源 进行了讨论.光谱研究表明，掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后，可以观察到Er的1538nm 处的发光，而且对能量输运和发光过程进行了讨论. 关键词： GaN Er Pr 深能级     

BaFCl:Eu2+光激励读出过程中两种F色心的差异

研究了紫外线辐照下BaFCl:Eu²⁺的光激励发光性质.测定了在不同温度下经紫外线辐照后的光激励谱,变化范围为10—300K同时研究了两种F色心的光激励发光强度在激励读出过程中随温度的变化关系.分析了光激励谱产生差异的原因. 关键词：     

用巯基乙酸作稳定剂制备CdSe纳米晶的光学性质

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶，通过尺寸选择沉淀得到2nm到3nm之间不同尺寸的纳米晶，利用室温光吸收，光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质。紫外－可见吸收谱给了具有清晰激光特征的尖锐吸收边，这表明样品的尺寸分布很窄。光致发光研究表明，样品有两个发射带，一个具有较高能量位于吸收边，来自电子－空穴对从最低激发态能级弛豫后的辐射复合，另一个低能发射带归属于基质与纳米晶界面存在的俘获中心。PLE谱中有2个吸收带，分别是S－S和P－P跃迁。最后还给出了不同激发能量下的发光特性。