确定非线性隔振装置参数的一种方案

对单自由度刚度可调非线性隔振模型进行数学建模仿真和实验，对于待训练的神经网络模型，将数值仿真结果作为学习样本，将实验结果作为检验样本，训练成功的神经网络模型具有较好的内延能力和一定的外推能力，在设定非线性隔振装置要求的隔振效能参数后，可以给出隔振装置对应的刚度和阻尼参数，从而为设计非线性隔振装置提供了一种方案。     

液压节制杆式模拟汽车碰撞吸能装置研究

提出了一种新型液压节制杆式模拟汽车碰撞吸能装置，并对它的基本结构和工作原理进行了分析，给出较实用的力学模型和节制杆设计方法，试验结果表明，该吸能装置可以很好地再现实车碰撞过程中的速度和加速度变化过程，为车辆被动安全系统的研究提供实验手段，该方法也可用来设计其它缓冲控制装置。     

3-((4，6-二甲基-2-嘧啶基)硫代)-丙酸和菲咯啉三元稀土配合物的晶体结构和发光性能

制备了以3-((4,6-二甲基-2-嘧啶基)硫代)-丙酸(HL)和菲咯啉(Phen)为配体的2个三元稀土配合物[Eu(L)₃(Phen)]₂·2H₂O(1)和[Tb(L)₃(Phen)]₂·2H₂O(2),并对其结构进行了表征。单晶X射线衍射分析表明它们是同构的。2个稀土离子(Ln)由4个羧酸配体桥接,形成二聚体排列。其余2个羧酸配体和Phen以双齿螯合方式与Ln配位。Ln的配位数为9,具有扭曲的单端方形反棱柱配位多面体构型。固态光致发光测试表明,这2种配合物都显示了金属中心的特征发射带。     

3-((4，6-二甲基-2-嘧啶基)硫代)-丙酸和菲咯啉三元稀土配合物的晶体结构和发光性能

制备了以3-((4,6-二甲基-2-嘧啶基)硫代)-丙酸(HL)和菲咯啉(Phen)为配体的2个三元稀土配合物[Eu(L)₃(Phen)]₂·2H₂O(1)和[Tb(L)₃(Phen)]₂·2H₂O(2),并对其结构进行了表征。单晶X射线衍射分析表明它们是同构的。2个稀土离子(Ln)由4个羧酸配体桥接,形成二聚体排列。其余2个羧酸配体和Phen以双齿螯合方式与Ln配位。Ln的配位数为9,具有扭曲的单端方形反棱柱配位多面体构型。固态光致发光测试表明,这2种配合物都显示了金属中心的特征发射带。     

空间高频交变磁场对超导块材悬浮力影响研究

高温超导磁悬浮装置,如磁悬浮列车和磁悬浮轴承在高速运行时,空间磁场交变及不均匀性扰动会引发超导块材内部损耗并影响性能,传统均匀时变磁场实验研究及仿真模拟无法满足实际工程应用情况.本文通过设计不同永磁阵列得到不同波形,在高速系统驱动下得到不同交变频率下超导块材损耗特性,发现全波型损耗较半波型损耗高,并研究了不同磁场构型悬浮力衰减特性,可为高速超导磁浮应用提供实验依据.     

超声动态测距的一种直接数字解调处理方法

为了减少传统的相位差超声动态测距的复杂性,提出了一种基于直接数字解调的信号处理方法。运用STM32内部两路A/D同步采集超声测量信号与参考信号,对这两组信号数据通过最小二乘椭圆拟合方法,计算[-π,π]单周期范围内的实时相位差。在此基础上,对实时相位差进行解包裹运算,得到绝对相位差。最后,通过绝对相位差的变化量与距离变化量成正比的关系,计算出实时的动态变化距离值。实验结果表明:当目标速度不超过2.5 m/s时,该方法能够准确地将距离值直接解调出来,满足动态变化条件下跟踪测距要求。     

第一性原理研究五氯硝基苯在TiO_2表面吸附

采用基于密度泛函理论的Materials Studio(MS)程序包中的CASTEP程序优化了TiO_2(101)晶面、五氯硝基苯(PCNB)结构和TiO_2(101)对五氯硝基苯的16种吸附结构.计算了最佳吸附位点,吸附能,以及稳定吸附模型的电子结构.研究结果表明:五氯硝基苯中硝基的对位上Cl原子被垂直吸附在TiO_2(101)表面的O原子时吸附能最大,吸附结构最稳定,是TiO_2吸附PCNB的最佳吸附方式,吸附后五氯硝基苯的C-Cl键长变短,其它C—Cl键和C—N键增长,吸附过程为化学吸附.     

基于移动节点辅助定位的UWB室内定位方法

针对UWB室内定位精度易受环境影响的问题，在低速、多节点的情况下，提出了一种基于移动节点辅助定位的方法。设置一个增量队列来剔除异常点，然后使用最小二乘法计算得到定位初值。将定位初值代入扩展卡尔曼器滤波算法，得到较为准确的更新后的定位结果。当移动节点处于静止或低速状态时，其解算坐标较为精确，可以将其视作坐标已知的固定节点，来提高其他移动节点的定位精度。实验结果表明，在相同的实验环境下，所提方法的定位均方根误差比最小二乘法和Chan算法分别减小了15.89%和16.45%，最大绝对误差分别减小了60.99%和62.77%。     

二维6H-SiC光学特性的应变调控

为了减小6H-SiC的带隙、提高对可见光的吸收效率和载流子迁移速率，采用第一性原理研究了应变对6H-SiC的能带结构、光学吸收系数、载流子迁移率以及光催化特性的影响。结果表明：应变能够降低6H-SiC的导带底，但对价带顶没有影响，导致带隙减小。随着应变的增加，吸收曲线向低能级方向移动，即发生红移，有利于可见光的吸收。施加应变后空穴的载流子迁移率提高，有利于载流子移动，且空穴的载流子迁移率是电子的2.5倍，有利于空穴和电子的分离。综合应变对带隙大小、带边位置的影响可知，应变在±2%、±4%时对可见光的吸收以及光催化制氢最有效。综上所述，应变能够对6H-SiC的光学吸收和光催化特性有很好的调控作用。     

Giant Tunneling Magnetoresistance in Spin-Filter Magnetic Tunnel Junctions Based on van der Waals A-Type Antiferromagnet CrSBr

Two-dimensional van der Waals magnetic materials have demonstrated great potential for new-generation high-performance and versatile spintronic devices. Among them, magnetic tunnel junctions(MTJs) based on A-type antiferromagnets, such as CrI₃, possess record-high tunneling magnetoresistance(TMR) because of the spin filter effect of each insulating unit ferromagnetic layer. However, the relatively low working temperature and the instability of the chromium halides hinder applications ...