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对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
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CaoYun ZhaoHongwei MaLei ZhangZimin 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):154-154
High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2. 相似文献
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高能h-A碰撞 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV2/c2测量的结构函数比值RA(x,Q2),通过重标度模型解释了WA-78组对(π-,P)+A→μμ+X过程在2mμ≤mμμ≤1.5GeV和0.1≤xF≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m1l和xF区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与RA(x,Q2)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系. 相似文献
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用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在GaAs(100)面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种,结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关,较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体,因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层,氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。 相似文献
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