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51.
无机阴离子的毛细管电泳分析 总被引:9,自引:2,他引:9
本文研究了常见无机阴离子的毛细管电泳规律,考察了分离电压、电解质熔液组成、浓度、pH值等对分离的影响,建立了高效、快速的无机阴离子毛细管电泳分析方法。在选定的实验条件下,各种常见无机阴离子在5min内达到完全分离,对Br^-和Cl^-的分离柱效每米可达76万理论板数。迁移时间的相对标准偏差小于1%,峰面积的相对标准偏差小于5%,各离子的最低检测浓度为0.05 ̄0.5μg/ml。 相似文献
52.
本文用 DSC、TG、IR 研究了抗癌药倍半氧化羧乙基锗在温度低于587K 的 DSC 曲线上出现的两个吸热峰的性质。实验结果与 Minora Tsutsai 所作的结论:“试样在低于593K 没有熔化与分解的迹象”不一致。本实验表明在较低温下出现的吸热峰是由于试样晶体的熔化引起,而在高温下出现的吸热峰则归因于试样的分解。实验还联系试样的聚集态结构解释了热处理对低温吸热峰的影响。 相似文献
53.
用射频磁控溅射结合传统退火的方法制备LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)阴极薄膜.X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜等手段表征了不同掺杂的LiCo0.8M0.2O2薄膜.结果显示,700℃退火的LiCo0.8M0.2O2薄膜具有类似α-NaFeO2的层状结构.通过对不同掺杂锂钴氧阴极的全固态薄膜锂电池Li/LiPON/LiCo0.8M0.2O2的电化学性能研究表明,电化学活性元素Ni的掺杂使全固态电池具有更大的放电容量(56μAh/cm2μm),而非电化学活性元素Zr的掺杂使全固态电池具有更好的循环稳定性. 相似文献
54.
A new estimation based on the Shannon entropy for the power-law distribution parameter is presented, The maximum likelihood estimation (MLE) of the parameter is discussed and the relation between the MLE and the moment estimation of the parameter is given out. It is shown that the minimum Shannon entropy estimation is equivalent to the MLE giving the log expectation. 相似文献
55.
利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
56.
管理中的Nash平衡与Braess悖论现象 总被引:3,自引:0,他引:3
本给出了交通规划、经济贸易以及其它管理中的一些Nash平衡和Braess悖论实例,分析了Nash平衡和Braess悖论现象及其本质特征,指出它们在管理工作中具有普遗性和潜在应用性。 相似文献
57.
不等式组与变分不等式的极大熵函数方法 总被引:1,自引:1,他引:0
利用极大熵函数方法将不等式组及变分不等式的求解问题转化为近似可微优化问题,给出了不等式组及变分不等式问题近似解的可微优化方法,得到了不等式组和变分不等式问题的解集合的示性函数. 相似文献
58.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
59.
60.
本文对弯曲通道凸壁面单排孔30°喷射时气膜冷却流场的近场特性作了比较精细的测量,测量的数据包括壁面静压分布、速度矢分布及气膜冷却有效温比分布。测量表明,弯曲通道凸壁面上30°喷射时对流场的干扰,在孔近场区是显著的,在孔下游约一倍孔径的范围内,流向及侧向的压力变化均甚大;而在进一步下游,主流绕流射流所产生的结构复杂的“绕流区”也是明显的.由于壁面曲率的影响,射流贴附壁面的程度,在M<1.0时,要优于平壁;而当M>1.0时,由于射流的“穿透”作用,其附壁程度又劣于平壁.在X/D>10之后,射流产生的扰动已趋衰减,射流的侧向扩散使流场的三维特征逐渐消失,而接近于二维连续缝槽气膜冷却流场的规律.在本试验条件下,M=0.5左右,可以获得最佳的气膜冷却效果。 相似文献