Characteristics of Nd：GdVO4 Laser with Different Nd-Doping Concentrations

We report the properties of a compact diode-pumped continuous-wave Nd：GdV04 laser with a linear cavity and different Nd-doped laser crystals. In a 0.2at.% Nd-doped Nd：GdVO4 laser, 1.54 W output laser power is achieved at 912nm wavelength with a slope efficiency of 24.8% at an absorbed pump power of 9.4W. With 0.3at.% Nd-doping concentration, we can obtain the either single-wavelength emission at 1064nm or 912nm or the dual-wavelength emission at 1064nm and 912nm by controlling the incident pump power. From an incident pump power of 11.6 W, the 1064nm emission between ^4Fa/2 and ^4I11/2 is suppressed completely by the 912nm emission between ^4Fa/2 and ^4I9/2. We obtain 670 mW output of the 912nm single-wavelength laser emission with a slope efficiency of 5.5% by taking an incident pump power of 18.4 W. Using a Nd：GdV04 laser with 0.4at.% Nd-doping concentration, we obtain either the single-wavelength emission at 1064nm or the dual-wavelength emission at both 1064nm and 912nm by increasing the incident pump power. We observe a strong competition process in the dualavelength laser.     

稀土固体超强酸SO2-4/TiO2-La3+催化硝化甲苯的研究

研究了以固体超强酸SO2-4/TiO2-La3+作为催化剂,浓硝酸和甲苯为原料合成硝基甲苯,并考察了影响反应的因素.结果表明,催化剂用浓度为1.0 mol·L-1硫酸浸泡3小时,反应催化剂用量为硝酸质量的10%,反应时间为3小时,反应温度为55℃是最适宜的反应条件,甲苯转化率达90.14%,邻对比达0.89.     

S[a,b]类中边界Nevanlinna-Pick插值(Ⅱ)

继续作者最近的研究,用所谓的Hankel向量方法建立S[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlinna-Pick插值问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间解集之间明确的一一对应关系.通过N[a,b]函数类与S[a,b]函数类之间的联系,从而由BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述获得BNP(S[a,b)问题的可解性准则和解的参数化表示.     

超流研究的历史回顾

回顾了超流发现的历史，介绍了超流的一些现象、理论以及新近的研究结果。强调指出超流与超导一样是一种宏观量子现象。     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

亚直不可约DQrC-环

在文[1]中我们引进了DQ_rC-环,本文给出了忠实的与不忠实的DQ_rC-环为亚直不可约环的充分必要条件.由于DQ_rC-环是比DQC-环更广泛的环类,所以本文推广了W.Burgess等人在DQC-环方面相应的工作.     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

一种能补偿热效应的高功率端面泵浦Nd:YVO4激光谐振腔的设计

针对激光二极管端面泵浦的Nd:YVO₄全固态激光器,提出了一种利用双晶体,对Nd:YVO₄的热效应进行补偿的方案,同时该方案又能提高最大输出功率,避免由于插入附加光学元件所导致的损耗,满足调Q以及提高腔内倍频效率的要求.