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薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究非晶SiO2缺陷能级上电子的隧道效应,移植实验的XPS芯能级谱技术,用DV-Xα计算界面SiO2/ZnS的能带断错,认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制. 相似文献
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研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响,使用的辐照剂量为1015 n/cm2.通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷,这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm,与高温超导相干长度相当,并且在退火过程中稳定存在,而小的点缺陷在退火过程中消失.磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化,临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失.然而对辐照的样品退火处理后,其超导电性明显改善,临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品,鱼尾峰也向高场移动.这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高. 相似文献
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在微波辐射条件下合成了两种新的离子液体金属配合物[Ni(m-HNDA)2(H2O)4](1),[Zn(m-HNDA)2(H2O)4]·H2O(2),用元素分析、红外光谱、紫外光谱对它们进行了表征,通过X射线单晶衍射测定了它们的晶体结构.在晶体结构中,标题物通过基团间的嵌合作用,π-π相互作用和分子间氢键自组装成了三维网状的多孔结构.由氢键和π-π相互作用的强弱推测标题物的稳定性次序2>1,与实测热稳定性次序完全吻合;电化学性质表明,金属的配位改变了配体的循环伏安性质.另外,两种配合物可在水溶液中高选择性的识别氟离子. 相似文献
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