三材料线性掺杂石墨烯纳米条带场效应管性能

采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNRFET)不仅能够有效地抑制短沟道效应(SCE)和漏极势垒降低效应(DIBL),而且相对于其它几种结构而言,它有更好的亚阈值斜率以及更高的开关电流比.另外,还研究了非对称栅结构对石墨烯场效应管的影响,结果表明,当上栅和下栅同时向源端移动的时候,可以改善器件的电流开关比.     

高动态范围激光雷达回波信号的全波形采集方法仿真研究

针对一些激光雷达系统中回波信号动态范围较大,难以对其进行强弱兼顾的高性能采集的问题,提出了利用高速数字化仪进行全波形采集,再配合算法软件处理的一种软硬件联合采集方法。对于其中的软件光子计数算法,还提出了一种脉冲甄别电压阈值的动态选择方法来提高计数准确度。为了对比验证方法的可行性,建立了光电探测采集的全链路器件仿真模型。基于一套优选器件的典型参数,仿真对比了全波形采集方法与现有方法的采集误差,验证了所提出的全波形采集方法及动态阈值选择算法的有效性与技术优势。该研究为高动态范围、微弱光信号的探测方法,提供了软硬件结合的新思路。     

Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs

This paper investigates the effects of gamma-ray irradiation on the Shallow-Trench Isolation (STI) leakage currents in 180-nm complementary metal oxide semiconductor technology. No hump effect in the subthreshold region is observed after irradiation, which is considered to be due to the thin STI corner oxide thickness. A negative substrate bias could effectively suppress the STI leakage, but it also impairs the device characteristics. The three-dimensional simulation is introduced to understand the impact of substrate bias. Moreover, we propose a simple method for extracting the best substrate bias value, which not only eliminates the STI leakage but also has the least impact on the device characteristics.     

基于TPRA—tree面向预言查询的时空索引

基于TPR-tree典型的移动对象索引方法,提出了TPRA—tree．TPRA—tree从频繁更新的移动对象运动方向的角度进行构造,减少了结点面积,减小了结点间重叠．实验结果表明：TPRA-tree的更新和与查询性能优于TPR-tree．     

Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe, Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜.产物的显微照片及XRD图谱结果表明, 该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13 nm 左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性.光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394 nm)、蓝光峰(420 nm)、绿光峰(480 nm)组成.Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420 nm处的蓝光峰增强.     

基于主动轮廓模型的EAST等离子体边界重建

通过分析等离子体边界的等磁通特性,利用主动轮廓模型进行边界重建,给出了主动轮廓的能量计算方法、重建算法、边界磁通和初始轮廓的确定方法。利用EAST实验数据对边界的重建测试表明,该算法具有良好的准确性和实时性。     

聚吡咯纳米线(管)的合成

聚吡咯纳米线(管)是一种极具应用潜力的新材料.本文综述了聚吡咯纳米线(管)的各种合成方法.并对各方法的优缺点进行了评述.     

膦催化下α-溴甲基丙烯酸酯对C60的[3+2]环加成反应

在碳60官能化修飾研究工作中,我們曾實現了在三丁基膦催化下碳60與2,3-丁二烯羧酸酯的反應,得到了碳60駢環戊烯羧酸酯。^[1] Zhang等曾報道三苯基膦和碳酸鉀共同催化下α-溴甲基丙烯酸酯對缺電子烯烴發生[3+2]環加成反應生成環戊烯基羧酸酯衍生物。^[2] 本文報道在相同的條件下碳60與α-溴甲基丙烯酸酯的反應。     

细致能级光电离与辐射复合速率系数的计算及讨论

在以前所计算的细致能级光电过程截面数据的基础上,用修正的Gramm-Schmidt方法做三次样条函数的最小二乘拟合,在LTE近似条件下,取光子分布函数为Planck分布,自由电子分布函数为Maxwel分布,给出了光电离与辐射复合速率系数积分在样条参数下的表达式,并计算了类氦铷、类氦铌离子光电离与辐射复合速率系数。分析了能级跃迁下的速率系数向轨道跃迁速率系数的过渡关系,并对文[1]给出的半经验公式进行了评价。     

甘草三萜内酯的13CNMR研究

本文讨论了24-羟基甘草内酯(1)甘草内酯乙酸酯(3)等甘草三萜类化合物的¹³CNMR谱、对其化学位移进行了指定。结果表明,1和3均系18β-构型,可由C₁₂和C₁₀特征化学位移识别。这些化合物密集谱线的多重性由质子宽带去偶,单频偏共振去偶和PRFT(Partially Relaxed FT)谱比较分析完成。选择适当的脉冲间隔,可由PRFT谱方便地识别这些化合物的季碳,CH,CH₂和CH₃。