6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征

在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征.结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大.XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向.Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶ SiH4 =400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小.     

干涉型光纤水听器伪工作点控制检测方法

提出了一种用于干涉型光纤水听器信号检测的伪工作点控制方法.为了验证该方法的可行性,搭建了干涉型光纤水听器声压灵敏度测量系统,编写了实时信号采集和处理程序,对某一光纤水听器进行了测量.在频带20 Hz~2.5 kHz上,该光纤水听器的声压灵敏度为－156.5 dB(0 dB=1 rad/μPa),频响波动<±0.8 dB,与采用PGC调制解调方法测量的结果基本一致.由于传感部分不含有源器件,该方法实现了无源检测.另外,它还具有解调算法简单、检测频带宽等优点.     

基于绿色化学的基础化学实验改进——以“二氧化碳相对分子质量的测定”为例

以“二氧化碳相对分子质量的测定”为例,分析了传统实验中存在的试剂用量大、“三废”排放多等问题,以绿色化学为突破口,采用氢氧化钠-酚酞溶液替代火柴进行验纯,使用注射器代替碘量瓶集气,通过上述方法对实验进行优化设计,达到了绿色化、准零排放的要求,可以增强学生的环保意识。     

基于3×3耦合器干涉仪的正负反馈判断及高频振动探测研究

研究了基于3×3耦合器的光纤马赫-曾德尔干涉仪的三路输出干涉信号的特点,针对相位衰落问题,提出了一种根据所得的正交信号来判断反馈正负性的方案。实验通过LabVIEW软件来实现正交信号的获得及反馈输出信号的处理。测量和分析得到了直接输出反馈信号时会出现干涉信号短暂偏离稳定点的情况,整个过程的时间约为35 ms,而采用所提反馈正负判断方案后,相位稳定所需时间约为18 ms。通过一个光纤准直聚焦系统把光入射到被测物体表面并接收反射光,探测到了与输入信号频率一致的1.5 MHz的高频振动信号。验证了正负反馈判断方案及设计干涉系统的可行性和有效性。     

Nd3+:GdScO3晶体场能级及拟合分析

采用提拉法生长出了钕掺杂钪酸钆晶体(Nd³⁺:GdScO₃),通过低温吸收光谱和室温发射光谱,对其中Nd³⁺的实验能级进行分析指认,确定了Nd³⁺:GdScO₃的66个实验Stark能级,拟合了其自由离子参数和晶体场参数,拟合均方根误差为13.17 cm^-1.与Nd³⁺:YAP和Nd³⁺:YAG相比, Nd³⁺:GdScO₃的晶场强度较弱.弱的晶体场强度有可能是Nd³⁺:GdScO₃晶体具有优良激光特性的原因之一.本文数据集可在https://www.doi.org/10.57760/sciencedb.15702中访问获取.     

聚酰胺螺旋纤维的多级自组装行为研究

以含聚异丙二醇（PPG）链段的聚醚胺和己二酸为原料,合成了温度响应性聚酰胺APA;FT-IR和GPC的结果表明合成产物具有酰胺结构的聚合物;Micro-DSC和变温紫外测试的结果表明,合成的APA具有33℃的最低临界互溶温度;TEM和AFM的结果表明当组装体溶液浓度为1 mg/mL时,APA在常温下可以组装成长纤维,其形成经历了“胶束-胶束多聚体-胶束融合-长纤维”等多级自组装过程.而当温度升为60℃,这些长纤维会转变为平均螺距为35 nm的螺旋纤维.螺旋纤维的形成本质上是当温度高于LCST时,APA纤维中的PPG链段坍塌,从而诱导纤维发生扭转,最终导致螺旋结构的出现.     

车载液氢容器关键技术

主要介绍了车载液氢容器系统的几个关键技术难题，其中主要包括其典型系统的结构组成，经典工艺系统流程以及基本工作原理和常用的三种增压方式，其中包括冷却水和电加热联合增压系统，热气回流增压系统，真空压力控制增压系统；同时因为氢气是一种易燃易爆的危险介质，因此也简要介绍了其安全系统的各个方面。最后根据当前国内外车载容器的发展状况，提出了今后的发展方向。     

闭环光纤陀螺的输出误差特性研究

针对工程实际的需要，通过对闭环光纤陀螺模型参数的对比研究，分析了闭环光纤陀螺零偏稳定性的变化，并利用Allan方差具体分析了闭环光纤陀螺的输出误差特性中的角随机游走、零偏不稳定性、速率漂移斜波等的变化，从中找出规律性的关系。     

Epitaxial growth of Ge_(1-x)Sn_x films with x up to 0.14 grown on Ge(00l) at low temperature

We characterize the structures of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge(00l) by molecular-beam epitaxy at low temperature. The results show that Ge1-xSnx films are fully strained even at high Sn composition. The in-plane lattice parameters remain exactly the same as that of the substrate. Depth sensitivity analysis of the lattice parameters indicates that the strains of the epitaxial films are all in homogeneity. The films are fully strained. Poisson ratios, the force constants for the bonds between Ge and Sn are estimated and discussed in the present paper. Raman results show Ge–Ge, Ge–Sn,Sn–Sn vibrational modes. The Sn–Sn bond aggregation may respond to the high quality of our films. The fully strained epitaxy films with high content of Sn may be useful in designing the high quality GeSn films.     

First-principles calculations on Si(220) located 6H–SiC(10■0)surface with different stacking sites

6H–SiC(10ˉ10) surface and Si(220)/6H–SiC(10ˉ10) interface with different stacking sites are investigated using first-principles calculations. Surface energies of 6H–SiC(10ˉ10)(case I, case II, and case III) are firstly studied and the surface calculation results show that case II and case III are more stable than case I. Then, the adhesion energies, fracture toughness values, interfacial energies, densities of states, and electronic structures of Si(220)/6H–SiC(10ˉ10) interfaces for three stacking models(AM, BM, and CM) are calculated. The CM model has the highest adhesion energy and the lowest interfacial energy, suggesting that the CM is stronger and more thermodynamically stable than AM and BM. Densities of states and the total charge densities give evidence that interfacial bonding is formed at the interface and that Si–Si and Si–C are induced due to the hybridization of C-2p and Si-3p. Moreover, the Si–C is much stronger than Si–Si at the interface,implying that the contribution of the interfacial bonding mainly comes from Si–C rather than Si–Si.