利用光纤光栅在双侧悬臂梁中的啁啾实现对挠度和应力的传感研究

报道一种利用双侧悬臂梁展宽光纤光栅带宽实现对挠度和应力线性传感的新方法,理论研究与实验结果表明,光纤光栅的带宽对挠度及外力均很敏感,并呈线性关系,实验上传感范围超过17nm,传感灵敏度分别达到0．658nm/mm及5．32nm/N。     

双间隙谐振腔的高频分析

 从麦克斯韦方程组出发,运用电磁场的匹配条件,导出了双间隙谐振腔等效周期结构横磁模的色散关系及场分布表达式。然后通过数值计算,求出了双间隙谐振腔的谐振频率和场分布,并分析了谐振腔的结构尺寸对频率的影响,为C波段双间隙输出腔的设计提供了理论依据。     

两种带电尘埃颗粒的等离子体鞘层玻姆判据

采用流体方程和尘埃充电自洽模型研究了鞘边含有两种尘埃颗粒的等离子体玻姆判据. 通过拟牛顿法数值模拟了鞘边两种尘埃颗粒的存在对尘埃自身充电以及离子马赫数的影响. 两种尘埃颗粒中含量较少的尘埃颗粒数密度的增加, 导致两种尘埃颗粒表面悬浮势一个降低, 一个升高. 含量较少的尘埃颗粒的数密度越多和半径越小, 都会导致离子马赫数增大. 另外鞘边无论何种尘埃颗粒的速度增加, 鞘边离子马赫数都将减小. 关键词： 等离子体鞘层 尘埃颗粒 玻姆判据     

监测点波长对高双折射光纤环镜轴向应变灵敏度的影响

研究了高双折射光纤环镜监测点波长对轴向应变灵敏度的影响. 经理论推导得出高双折射光纤环镜轴向应变灵敏度公式. 结果表明: 当高双折射光纤材料选定后, 灵敏度随着监测点波长的增大而增大; 当监测点选定后, 监测点的灵敏度为常数, 波长变化与应变成线性关系. 实验选取不同波长的波峰进行应变灵敏度监测, 对各监测点进行数据拟合, 实验结果与理论分析一致. 研究结果对提高高双折射光纤环镜应变、温度等灵敏度具有指导意义. 关键词： 波长 灵敏度 监测点 高双折射光纤环镜     

变形核的电荷密度分布

本文应用原子核的宏观模型提出了一种比较简单的计算变形核电荷密度的方法.具体计算了¹⁹²Os、¹⁵⁴Gd、¹⁵²Sm、¹⁷⁴Yb、及^{144,148,150,152}Sm等原子核的电荷密度分布.结果表明,宏观模型计算的结果能较好地与实验测量结果相符合.因此,只要根据变形核基态到各转动态跃迁几率或电多极矩的实验值,则可按本文方法,从理论上预言变形核的电荷密度分布.     

核科学百年讲座第七讲核科学技术在材料科学中的应用

核科学技术和材料科学的结合产生了一门新兴的交叉学科——核材料(也称核固体)，主要指核技术在材料分析、物质改性和新材料研制合成中的应用．文章介绍核技术在材料科学中的应用历史、现状及其前景，包括基本物理原理．     

利用啁啾光纤光栅色散特性实现波长可调谐的主动锁模掺铒光纤环行腔激光器

在环形腔主动锁模光纤激光器中引入啁啾光纤光栅，利用啁啾光纤光栅的大色散特性，通过调节调制频率，实现波长调谐，调谐范围2nm。所得脉冲为重复频率2．5GHz，脉宽约60ps的正啁啾脉冲，。     

基于光纤光栅的可调谐半导体激光器

本文利用光纤光栅(FBG)形成外腔反馈及F-P半导体激光器的多模特性,得到波长稳定、可调谐的半导体激光光源,系统研究了不同反馈比率对激光器光谱特性的影响.通过向FBG施加轴向拉力和压力可实现10nm的波长调谐,得到一系列波长间隔0.94nm的激光输出,边模抑制比达35dB,光谱线宽小于0.2nm.     

6,6‘—二（二苯基氧化膦甲基）—1,1’—氮氧化—2,2‘—联吡啶与…

合成了硝酸铒与四功能团含磷萃取剂６，６’－二（二苯基氧化膦甲基）－１，１’氮氧化－２，２’－联吡啶的配合物。用四圆衍射仪测定了配合物的晶体结构。金属离子周转的配位水分子已全部被取代。     

PULSED LASER DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF FERHOELECTHIC Pb(Zr, Ti)O3 THIN FILMS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O₃ thin films were prepared by pulsed exeimer laser deposition on silicon-on-insulator and Pt-coated silicon-on-insulator substrates, and rapid thermal annealing was per-formed to crystallize the films, Based on the analysis by X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and measurements of electrical properties, the films were revealed to be polycrystalline perovskite structure with mainly (100) and (110) orientations, and their crystallization was found to be dependent on annealing temperature and annealing time. The films show good ferroelectricity, with P_r=15μC/cm², E_c= 50kV/cm, high resistivity and high dielectric constant.