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41.
42.
We investigate the sudden birth and sudden death of entanglement of two qubits interacting with uncorrelated structured reservoirs. The system is initially prepared in two-qubit extended Werner-like state. We work out the dependence of the entanglement dynamics on both non-Markovian environments and the purity of initial state, and show that non-Markovian environments and the purity can control the time of the two-qubit entanglement sudden death and the reservoirs' entanglement sudden birth. Furthermore, under the conditions of different purity and initial entangIement, the revival of qubits' entanglement can manifest before, simultaneously or even after the disentanglement of their corresponding reservoirs. 相似文献
43.
针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低. 相似文献
44.
通过求解系统的Milburn方程,研究了两个二能级原子和单模场相互作用系统中原子间纠缠和贝尔不等式破坏随时间的演化特性,讨论了偶极相互作用、场与原子的失谐量对纠缠度以及贝尔不等式破坏的影响.结果表明:原子间偶极-偶极相互作用对纠缠度和贝尔不等式破坏有显著影响,失谐量增大会使两原子的纠缠度和贝尔不等式破坏变大,并且两原子所能达到稳定的纠缠受偶极相互作用系数与失谐量两者之差的影响.同时还发现两原子的纠缠与贝尔不等式破坏并不是单调的函数关系,很小的纠缠也可以产生贝尔不等式破坏.
关键词:
Milburn理论
偶极-偶极相互作用
失谐量
贝尔不等式破坏 相似文献
45.
A new one-dimensional phenomenological model based on the dynamic strain aging mechanism is developed. In order to account for the elastic shrinkage induced by the Portevin-Le Chatelier effect, elastic deformation is considered under the boundary conditions of the present model. The simulated results are found to be in good agreement with the experimental observations. 相似文献
46.
The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth. 相似文献
47.
GFAAS法基体改进剂对氯化物背景干扰清除及机理 总被引:3,自引:0,他引:3
本文探讨了石墨炉原子吸收光谱法(GFAAS)中的酒石酸、草酸和柠檬酸等七类基体改进剂在283.3nm波长氘灯测量方式对氯化物背景吸收干扰的清除效果,认为基体改进剂的作用是与干扰物形成了低沸点的挥发物,并讨论了其形成机理。 相似文献
48.
正交试验选择组织电极的最佳分析条件 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用正交试验法对花椰菜组织L-抗坏血酸传感器和香蕉组织儿茶酚类化合物传感器的分析条件进行了优化,通过与单因子分析方法及4种儿茶酚类化合物之间正交试验结果的比较,说明用正交试验选择组织传感器的最佳分析条件,在少量的试验次数内,得到较多的分析实验信息,是一种较理想的试验方法。 相似文献
49.
50.
利用猪肝组织膜配合氨气敏电极,研制了丝氨酸生物催化传感电极。丝氨酸浓度的测定范围为5.1×10~(-5)~3.2×10~(-3)mol/L,检出限为3.1×10~(-5)mol/L。研究和讨论了电极的最佳工作条件,并测定了实验条件下酶催化反应的米氏常数Km。该电极用于合成样品分析,效果满意。 相似文献