La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较. 关键词： 薄膜 输运性质 热电势     

磁场下MgB2的电导涨落效应

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系,测量结果表明,磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ（H）符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程,MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构,由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合。     

Nd2-xSrxNiO4多晶输运性质的研究

研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为,随着温度降低出现金属-绝缘体转变,x=1.4样品的金属性从室温开始一直保持到14K. 用变程跳跃机制很好地解释了x=0.33样品的热电势-温度关系曲线.     

氧-水蒸汽中Sr2GdRuO6纯相的合成及固相反应机理

采用氧(或空气)-水蒸汽混合气氛下的固相反应,可合成无任何SrRuO3杂相的纯相化合物Sr2GdRuO6.当由Sr2GdRuO6作先驱物,类似的固相反应体系,可成功合成无任何SrRuO3杂相的纯相RuSr2GdCu2O8化合物.此外,还讨论了有水蒸汽参与的固相反应合成Sr2GdRuO6的反应机理.结果表明,水蒸气的作用是抑制SrRuO3的形成,而不是有利于把SrRuO3杂相转化为Sr2GdRuO6相.