去氢枞醇杂环类化合物的合成及细胞毒性研究

以去氢枞酸(1)为原料,经氢化铝锂还原得到去氢枞醇(2),2与氯乙酰氯在氮气保护和DMAP催化条件下反应合成中间产物去氢枞醇氯乙酸酯(3),3与杂环化合物经亲核取代反应合成了12个新型去氢枞醇杂环类化合物(4a ～41).利用IR、1H NMR、13C NMR和HR-MS等对目标化合物的结构进行表征,采用MTT法测试目...     

质子滴线区新核素25P的鉴别

在兰州放射性束流装置RIBLL上 ,利用磁刚度B_ρ、飞行时间t_TOF和多重望远镜ΔE- E联合探测方法测量了69Me V/u 36Ar轰击Be靶产生的 P同位素碎片的同位素分布,并与 EPAX经验公式的计算结果进行了比较 ,在质子滴线区首次鉴别出了新核素25PThe mass distribution of the phosphor fragments induced by projectile fragmentation reaction of 69 MeV/u 36Ar + 9Be was measured at the projectile fragment separator RIBLL at IMP. The fragment products were identified by determining the magnetic rigidity Bρ , the time of flight t_TOF and their energy loss ΔE . The experimental isotope distribution was compared to the result of the empirical parameterization EPAX. Three events for the new nuclide 25P in the...     

RIBLL中的TOF测量

描述了一种为兰州放射性核束流线(AIBLL)研制的时间拾取装置.次级束引起闪烁薄膜发光,椭球面镜聚焦,光电倍增管读出,CAMACTDC记录次级束的飞行时间.其时间分辨可以达到140ps,计数率可以达到10⁸pps.     

用位置灵敏光电倍增管读出的CsI(Tl)探测器

报道了用双维位置灵敏光电倍增管读出的CsI(T1)探测器,其CsI(T1)晶体厚度为10mm,灵敏面积为60mm×60mm.探测器的空间位置分辨为0.81mm(FWHM).用蒙特卡罗的方法对该探测器作了进一步模拟研究,其结果与实际测试的结果很好地一致.     

谱仪放大器参数对脉冲形状分析法鉴别轻带电粒子的影响

我们利用脉冲形状分析法,通过CsI(T1)闪烁体加光二极管读出探测器对~(12)C(46.7MeV/u)+~(58)Ni反应中出射的轻带电粒子进行了鉴别。实验中发现放大器成形时间常数的选取对轻带电粒子鉴别的结果有明显影响。本文基于信号转移函数的Laplace变换方法,对这个问题进行了计算和分析,成功地解释了所遇到的实验现象。     

25MeV/u 40Ar引起的反应中碎片同位素分布的研究

本文描述了25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁷Al、⁵⁸Ni、¹¹⁵In反应中在小角区方向测得的出射碎片同位素分布及其产额,给出了出射碎片的中子数与质子数之比(N/Z)和靶核的关系. 并对出射碎片的来源进行了分析.     

大动态范围双维位置灵敏多叠层探测系统

描述了一种用于中能重离子核反应实验研究的大动态范围双维位置灵敏多叠层探测系统.该探测系统由纵向电场气体电离室(IC)、大面积双维位置灵敏穿透型Si探测器(PSSD)、大面积Si光敏二极管(SPD)和用光二极管读出的16单元CsI(Tl)闪烁体探测器阵列组成.用a放射源Am(5.486MeV)测得的IC、PSSD的能量分辨率分别为3%和2.6%.在25MeV/u ⁴⁰Ar诱发的核反应中,探测到的a粒子的能量动态范围为2—130MeV,此探测系统清楚地分辨出Z=2到Z=21的元素,对Z=18的Z分辨本领Z/△Z≈44.5,位置分辨为0.86±0.03mm(FWHM).     

大孔吸附树脂提取麦拓莱霉素的工艺研究

研究了用大孔吸附树脂从发酵液中分离提取新型大环内酯类抗生素-麦拓莱霉素的吸附工艺过程，对吸附条件进行了优化，得到了适宜的操作条件．结果表明：NKA树脂为最佳吸附剂：吸附最佳pH值为10．32；吸附流速选择为1ml／min；NaCl的加入对吸附不利，选择NaCl浓度为0．6％左右，本实验条件下，发酵液中的麦拓莱霉素浓度为0．18mg／ml；NKA的吸附量可达33．7mg／g树脂。     

微分相衬成像阵列光源

通过对用于微分相衬成像吸收光栅效率及光源空间相干性分析,提出一种新型阵列光源替代现有普通光源加吸收光栅模式.根据相位光栅自成像强度分布及吸收光栅效率对干涉成像对比度的影响分析,吸收光栅厚度一般应大于100 μm,而目前微加工工艺难以完成所要求的吸收光栅结构.结合光源亮度及成像对比度分析,给出阵列优化结构,并制作该光源,相关测试验证其可行性.     

大面积高深宽比硅微通道板阵列制作

利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.