超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性

随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入, 学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections, HCI)所引起的可靠性问题日益关注. 本文研究了超短沟道长度(L=30–150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator, SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理. 研究结果表明, 在超短沟道情况下, HCI 应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻. 通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出, 该现象是由于随着沟道长度的减小, HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的. 此外, 本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(FinFET)中的结果相反. 因此, 在超短沟道情况下, SOI平面MOSFET器件有可能具有比FinFET器件更好的HCI可靠性.     

Effect of Temperature-responsive Solution Behavior of PNIPAM-bPPEOMA-b-PNIPAM on Its Inclusion Complexation with α-Cyclodextrin

The effect of temperature-responsive solution behavior of PNIPAM-b-PPEOMA-b-PNIPAM on its inclusion complexation with α-cyclodextrin was studied. The triblock polymer was prepared by reversible addition-fragmentation chain transfer(RAFT) polymerization and formed inclusion complexes(ICs) after selective threading of the PEO segment of the triblock polymer through the cavities of α-CD units. For comparison, PPEOMA homopolymer was prepared and the inclusion complexation with α-CD was also studied. The ICs were prepared with α-CD when the polymer was in different conformations by changing the temperature, and the formed ICs were characterized by XRD, 1H-NMR, TGA and DSC. The solutions of the ICs show temperature-responsive clear/turbid transition or fluidic emulsion/gel transition depending on the concentration of the α-CD added, and the stoichiometry determined by 1H-NMR and TGA indicates that the stoichiometry of EO to α-CD of the resulted ICs increases with increasing of temperature.     

微波消解—原子发射光谱法测定蒙药材文冠木中16种元素

文冠木为常用蒙药材之一。本实验采用微波消解-原子发射光谱法测定测定蒙药文冠木中Cd 、Zn 、Mn 、Fe 、Mg 、Cu 、 Hg等 16种元素。在选定的实验条件下,测定方法的加样回收率为90.9% ～109%,相对标准偏差均小于3.51%,检出限小于0.0051mg﹒mL_-1。该方法简便、准确、可靠,可作为文冠木中多种元素含量的测定方法。     

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现，与不注氮的SIMOX基片相比，由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加，迁移率略有上升，并趋于饱和.分析认为，电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现，随氮注入剂量的提高，nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是，对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现，用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件. 关键词： SOI nMOSFET 氮注入 电子迁移率 阈值电压     

高压氧或高浓度氧在预防和治疗噪声性听觉损伤中的作用

本文报道豚鼠在噪声暴露前后吸2atm或latm纯氧对噪声性听觉损伤的影响。暴露噪声是1/3oct窄带噪声,中心频率1000Hz,强度136dB作用1h。在噪声暴露前或暴露后吸2atm纯氧可以减小噪声引起的永久性听阈偏移(对短声)。吸2atm纯氧所起的作用(预防吸氧一次或治疗吸氧六次,每次1h),相当于把噪声强度降低1OdB(从136dB降至126dB。预防吸氧(暴露前吸氧)比治疗吸氧(暴露后吸氧)效果好。吸2atm纯氧比latm有效。文中讨论了吸高压氧或高浓度氧在预防和治疗噪声性听觉损伤中的某些机理。     

低温热处理温度对SiC衬底上CuAlO2薄膜特性的影响

为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO₂与n型SiC形成的异质结作为发射结以提高该结的注入效率。本文利用溶胶凝胶(sol-gel)方法,在4H-SiC衬底上制备了CuAlO₂薄膜,研究了低温热处理温度对CuAlO₂薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。结果表明:较高的热处理温度可以促进中间产物CuO的生成,进而在固相反应阶段促进CuAlO₂相的产生,最终制备的CuAlO₂薄膜主要以CuAlO₂相的(012)晶向择优取向。随着低温热处理温度的升高,薄膜的表面均匀致密,空位缺陷含量降低,结晶质量提高。当低温热处理温度为300 ℃时,CuAlO₂薄膜晶粒尺寸约为35 nm。此外,CuAlO₂薄膜在可见光范围内的透过率超过70%,且随着预处理温度升高,薄膜光学带隙略有增加。     

Gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator MOSFETs

A gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator （SOl） devices is simulated. As verified by the mea- sured data, the model, considering both gate voltage and drain voltage dependence as well as image force-induced barrier low effect, provides a better prediction of the tunneling current and gate-induced floating body effect than the BSIMSOI4 model. A delayed gate-induced floating body effect is also predicted by the model.     

高速列车轴箱轴承载荷分布测试研究Ⅱ:实验装置及实验研究

为准确测试高速列车轴箱轴承内部滚子和滚道间接触载荷及其分布,本文选择轴承座箱体环向开槽的测试方案对轴箱轴承座进行改造,并搭建了高速列车轴箱轴承载荷分布测试实验装置.采用基于应变检测的轴承载荷分布测试方法,实测得到了宏观外部载荷在双列圆锥滚子轴承中的载荷分配,确定了单列轴承承受的外加载荷由3个滚动体分配并传递.动态测试结...     

稀土亚磷酸盐GdxTb2-x（HPO3）3（H2O）2（0≤x≤2）的微波合成、表征与性质研究

利用微波辅助合成法,成功地合成出一系列新颖的稀土亚磷酸盐GdxTb2-x(HPO3)3(H2O)2(0≤x≤2).X-射线粉末衍射分析结果表明,它们为同构的化合物.对Gd2(HPO3)3(H2O)2进行X-射线单晶衍射分析得出,该化合物结晶于P21/c空间群,晶胞参数为a=6.9124(6),b=12.8891(12),c=12.3692(11),β=100.1520(10)°.Gd2(HPO3)3(H2O)2是由GdO7多面体,GdO8多面体和[HPO3]假四面体通过共用氧原子相互连接而成的三维骨架.Gd2(HPO3)3(H2O)2和Tb2(HPO3)3(H2O)2的荧光光谱分别显示Gd3+和Tb3+的特征发光.Gd/Tb掺杂的样品中存在Gd3+-Tb3+的能量传递,它们的发光显示Tb3+的绿光发射(5D4→7F3-6),并且5D4→7F3跃迁的强度随着Tb3+掺杂量的增大而增强,这表明Gd2(HPO3)3(H2O)2引入不同浓度的发光中心Tb3+之后可以作为绿光发光材料.磁性研究表明,Gd2(HPO3)3(H2O)2中存在极弱的反铁磁相互作用.     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。