应用第一性原理对CdSe和HgTe团簇结构和电子性质的第一性原理研究

应用密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,对(HgTe)n和(Cdse)n团簇的基态结构、能隙、结合能等进行了计算,并对两种团簇的能隙、结合能随尺寸的变化关系进行了比较.     

GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究

本文对张应变GaAs层引入使InAs/Inp量子点有序化排列的机制进行了分析.为提高InAs/Inp自组装量子点特性提供了理论依据.     

半导体激光倍频晶体硫氰酸汞镉(CMTC)显微结晶的研究

采用显微结晶,系统地观察、研究了半导体激光(LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2O的溶剂体系中,不同条件下的结晶习性。结果给出：在KCl浓度为3;～10;范围,pH值为3.0～4.3范围时,结晶形态规则,各项生长速度均匀,结晶透明;pH值为2.0～3.0条件下,z轴方向生长速度变快,a轴方向生长速度变慢;杂质严重影响了结晶的质量和外形;溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。     

一种考虑电荷转移的普适相互作用势的应用──NaCl结构的碱卤离子晶体的结合能曲线

对Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒ等人提出的，基于考虑了离子间电荷转移的相互作用势的晶体结合能的普适表达式中的待定参数，以１５种ＮａｌＣｌ结构的碱卤离子晶体为对象，全部进行了重新确定，同时，指出了原文［Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．．Ｂ４４（１９９１），９６９６和Ｐｈｙｓ．ＲｅｖＢ４７（１９９３），１０７３］中在确定参数时存在的问题。从得到的结合能曲线出发计算出的等温压缩曲线与实验数据都作过了比较。     

退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的，由其X光衍射得知，生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明：分段退火样品在380nm附近出现了单一激子发射峰，而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰，同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。     

材料表面偏振双向反射分布函数模型修正

为表征物体表面偏振散射特性对目标偏振信息提取的影响,基于微面元散射模型结合KubelMunk理论,综合考虑镜面散射和漫散射,构建一种改进的偏振双向反射分布函数(pBRDF)模型,得到物体表面散射光的偏振度与材料复折射率、方位角、探测角和入射波长等因素的数学模型,并利用该模型对基础材料的复折射率进行反演.结合实际应用利用FD-1665偏振成像仪在不同影响因子条件下对目标表面进行了一系列偏振探测实验.最后将数值模拟结果和实测数据进行比较,其材料偏振特性曲线与实测数据吻合,表明修正后的模型有较高的精确度,该模型可以为后续的偏振监测和目标识别工作提供理论支持.     

Epitaxial evolution on buried cracks in a strain-controlled AlN/GaN superlattice interlayer between AlGaN/GaN multiple quantum wells and a GaN template

Epitaxial evolution of buried cracks in a strain-controlled AlN/GaN superlattice interlayer(IL) grown on GaN template, resulting in crack-free AlGaN/GaN multiple quantum wells(MQW), was investigated. The processes of filling the buried cracks include crack formation in the IL, coalescence from both side walls of the crack, build-up of an MQW-layer hump above the cracks, lateral expansion and merging with the surrounding MQW, and two-dimensional step flow growth.It was confirmed that the filling content in the buried cracks is pure GaN, originating from the deposition of the GaN thin layer directly after the IL. Migration of Ga adatoms into the cracks plays a key role in the filling the buried cracks.     

HgTe小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研究

本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下,计算了团簇 (HgTe)n(n＝1～8)的基态几何结构、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能等.比较了团簇(HgTe)n和(CdSe)n基态结构,能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等.     

Fe和Co元素在铁磁性形状记忆合金Mn50Ni25－xFe(Co)xGa25中的作用

为了进一步改善材料的性能和探索新的材料，将Mn₂NiGa合金中的Ni元素分别用Fe和Co替代，制备了Mn₅₀Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅系列合金. 研究了Fe和Co元素对Mn₂NiGa合金的结构、马氏体相变行为、磁性和机械性能等方面的影响. 关键词： 铁磁形状记忆合金 Heusler合金 50Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅')" href="#">Mn₅₀Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅     

InAlN材料表面态性质研究

运用电流-电压(I-V), 变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜 (AFM) 技术研究In组分分别为15%, 17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN 样品表面态性质 (表面态密度、时间常数和相对于InAlN 导带底的能级位置). I-V和变频 C-V方法测量得到的实验结果表明, 随着In组分增加, 肖特基势垒高度逐渐降低, 表面态密度依次增加. 变频 C-V特性还表明,随着测试频率降低, C-V曲线有序地朝正电压方向移动, 该趋势随着In组分的增加而变得更加明显, 这可能归结于InAlN表面态的空穴发射. AFM表面形貌研究揭示InAlN 表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因. 关键词： 不同In组分的InAlN材料 表面态 电流-电压特性 变频电容-电压特性