新型有机荧光探针分子的设计合成及在生物医学中的应用

近年来,荧光化学传感器以其高选择性、高灵敏度、实时原位监测、简便快捷等优点,受到人们的普遍欢迎.开发一些具有高灵敏度、高选择性、实时原位检测性能的荧光化学传感器,特别是开发一些具有实际应用价值的荧光化学传感器,一直都是人们追求的目标.论文根据分子识别和光化学传感的基本原理,结合生物医学检测的需要,设计了几种能够在水相中识别生物医学上重要生物活性分子的荧光探针分子.主要工作和结果概述如下.     

含氮亲核试剂在2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑环上取代反应的研究

本文报道了制备2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑和其进一步与多种亲核试剂反应. 2-巯基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑经过甲基化, 而后用KMnO~4氧化得到2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑衍生物. 其结构由元素分析,IR, ^1H NMR 和MS确定.化合物4对大肠杆菌和枯草芽孢杆菌有较强的抑制性能.     

聚苯胺对抗坏血酸的电催化氧化及磁效应

磁场对生物体系及其中物理现象和化学反应的影响历来是人们关注的焦点[1]．磁场能影响分子、细胞、组织、器官乃至整个生物体系的新陈代谢功能．磁场对化学反应的影响通常是通过对自由基（对）施加作用而体现的，磁场改变了未成对电子的自旋方式，从而改变了反应的墙，进而改变化学反应的速率[2]．此外，磁场对电化学体系的影响也有报导[3]，外加磁场激发溶液流动，产生磁流体动力学效应（MHD）[4]，增大传质速度，影响电化学进程．本文研究聚苯胺（PAN）修饰电极上抗坏血酸（AA）的电催化氧化，并讨论了膜厚、溶液pH值、AA浓度（CAA…     

照度对呋喃西林水溶液的表观光反应级数的影响

研究呋喃西林水溶液光解反应的表观反应级数和光照度以及浓度的关系。配制三种不同浓度的呋喃西林水溶液, 分别考查其在三种光照度下的降解反应级数。试验表明当光照度一定时，呋喃西林水溶液的光反应级数随浓度的减小而增大，当初浓度一定时，光反应级数随照度的增大而增大。呋喃西林水溶液在光作用下的表观反应级数与药物的初浓度和入射光的照度都有关。     

Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R

We investigate a new structure of high-power 660-nm AlGaInP laser diodes. In the structure, a p-GaAs layer is grown on the ridge waveguide serving as the current-blocking layer, and nonabsorbing windows are only fabricated near the cavity facets to increase the catastrophic-optical-damage level. Stable fundamental mode operation was achieved at up to 80roW without kinks, and the maximum output power was 184roW at 22~C. The threshold current was 40 mA.     

有优先权两部件温贮备可修系统的模糊可靠性

利用普通可靠性和模糊可靠性的基础理论，在开关完全可靠的情况下，建立了有优先权两个不同型部件和一个修理设备组成的温贮备Markov可修系统的模糊可靠性数学模型，利用模糊数学的原理和方法、LS变换推导出该模型的一些模糊可靠性指标。     

低温下单壁碳纳米管拉曼光谱温度效应研究

在单壁碳纳米管的低温拉曼光谱测量过程中,发现径向呼吸模(RBM)和正切拉伸模(GM)的拉曼频移在低温下的温度效应和在高温时的温度效应存在着很大的区别,在低温下拉曼光谱的频移和温度并不呈线性关系。而且,在温度为210K时,单壁碳纳米管内部的振动结构可能发生了变化。在低温下单壁碳纳米管拉曼峰的强度的变化是不可逆的。     

金属氮宾与亚胺的复分解反应

综述了近几年来金属氮宾与亚胺的复分解反应,主要集中在锆、钼 钛等过渡金属上。     

程序变湿法研究双氯西林钠的稳定性

报道了一种研究固体药物对湿度稳定性的新的实验方法——程序变湿法, 通过一次程序变湿和一次程序变温加速试验, 得到与湿度和温度有关的药物降解的全部动力学参数; 设计了用电子计算机控制程序变湿和程序变温的装置, 其湿度波动小于±0.5%, 温度波动小于±0.1 ℃; 以双氯西林钠为体系, 采用线性程序变湿和倒数程序变温实验研究了其稳定性. 结果表明程序变湿和变温加速实验与恒温恒湿对照实验得到的降解动力学参数基本一致.     

SiC based Si/SiC heterojunction and its rectifying characteristics

The Si on SiC heterojunction is still poorly understood, although it has a number of potential applications in electronic and optoelectronic devices, for example, light-activated SiC power switches where Si may play the role of an light absorbing layer. This paper reports on Si films heteroepitaxially grown on the Si face of (0001) n-type 6H-SiC substrates and the use of B₂H_6 as a dopant for p-Si grown at temperatures in a range of 700--950~\du. X-ray diffraction (XRD) analysis and transmission electron microscopy (TEM) tests have demonstrated that the samples prepared at the temperatures ranged from 850~℃ to 900~℃ are characterized as monocrystalline silicon. The rocking XRD curves show a well symmetry with FWHM of 0.4339° Omega. Twin crystals and stacking faults observed in the epitaxial layers might be responsible for widening of the rocking curves. Dependence of the crystal structure and surface topography on growth temperature is discussed based on the experimental results. The energy band structure and rectifying characteristics of the Si/SiC heterojunctions are also preliminarily tested.