K-Li冷碰撞散射特性的理论研究

本文应用量子方法和半经典方法计算了表征锂(6Li,7Li)原子和钾(39K,40K,41K)原子间超冷碰撞特性的散射参数,如s波散射长度,有效力程,p波散射长度等.超冷温度下6Li-39K单重态和三重态原子间的弹性散射截面主要为s波贡献,随着碰撞能量的增加散射截面有丰富的形状共振出现,计算发现单重态和三重态散射截面均存在显著的i波形状共振.此外,本文应用简并内态近似获得了超精细态相互作用时的s波散射长度.     

SiN自由基X2∑+,A2∏和B2∑+电子态的光谱常数研究

采用内收缩多参考组态相互作用(MRCI)方法,结合价态范围内的最大相关一致基aug-cc-pV6Z,计算了SiN自由基X2∑+,A2∏-和B2∑+电子态的势能曲线.采用Davidson修正来避免由于MRCI方法本身的大小一致性缺陷产生的误差.为了提高计算精度,进一步考虑了相对论修正和核价相关修正对势能曲线的影响.相对论修正是利用二阶Douglas-Kroll哈密顿近似在cc-pV5Z基组水平进行的;同时核价相关修正是在cc-pCV5Z基组水平进行的.对这些势能曲线进行拟合,得到各种水平下三个电子态的光谱常数(Te,Re,ωe,ωexe,αe和Be),并详细分析了Davidson 修正、相对论修正和核价相关修正对光谱常数的影响.与其他理论结果和实验数据进行比较,可知本文的结果更精确、更完整.     

Further investigations of the low-lying electronic states of AsO~+ radical

The high level quantum chemistry ab inito multi-reference configuration interaction （MRCI） method with large V5Z basis set is used to calculate the spectroscopic properties of the 15 A-S electronic states （X1∑＋, A I П, 1 △, 1 ∑, 3∑＋, 3П, 3△, 3△ , 5∑＋, 5П, 5△, 1П （II）, ofAsO＋ radical correlated to the dissociation limit As＋（3pg） ＋ O（3pg） and As＋（IDg） ＋ O（1Dg）. In order to obtain better potential curves and more accurate spectroscopic properties, the Davidson modification is taken into account. With the potential energy curves （PECs） determined here, vibrational levels G（v） and inertial rotation constants Bu are computed for all the bound electronic states when the rotational quantum number J equals zero （J = 0）. Except for the states X1∑＋, A1П , it is the first time that the multi-reference configuration calculation has been used on the 13 A-S electronic states of the AsO＋ radical. The potential energy curves of all the A-S electronic states are depicted according to the avoided crossing rule of the same symmetry. Spin-orbit coupling effect （SOC） is introduced into the states X1 ∑＋, A1 П, 3П to consider its effects on the spectroscopic properties. Transition dipole moments （TDMs） from A1П 1, 3 П1 states to the ground state X1∑0＋ are predicted as well.     

ASYMMETRY PARAMETERS AND DIFFERENTIAL CROSSSECTIONS FOR PHOTOIONIZATION-EXCITATION OF HELIUM

Asymmetry parameterβ2 for photoionization of helium leaving the He+ ion in the n = 2 level and differential cross sections(DCSs) in the n = 2, 3, 4 levels with photon emission angle θ=90°are provided at photon energies 69－76.8 eV employing the R-matrix method with a 20-term target representation, in which five polarization orbitals 6l are included. The asymmetry parameter β2 and the DCS, in the n=2 level in the region of 69－73eV, are in good agreement with available experimental and theoretical results. Above the n = 3 threshold, we present new theoretical results along with measurements. No theoretical and experimental results can be used to compare with the present calculations of the DCSs for photoionization into the He+ ion in the n = 3, 4 levels.     

BCl分子X~1Σ~+,a~3Π和A~1Π态的光谱性质

采用Davidson修正的内收缩多参考组态相互作用方法(MRCI+Q)及Dunning等的相关一致基aug-ccpV6Z计算了BCl分子X1Σ+,a3Π和A1Π态的势能曲线.利用总能量外推公式,将这3个态的总能量分别外推至完全基组极限.对势能曲线进行核价相关修正及相对论修正计算,得到了同时考虑这两种修正的外推势能曲线.拟合势能曲线得到了3个态的主要光谱常数Te,Re,ωe,ωexe,Be,αe和De等,它们与已有的实验结果较为一致.利用获得的势能曲线,通过求解双原子分子核运动的径向Schrdinger方程,找到了BCl分子X1Σ+,a3Π和A1Π态的全部振动态,并得到了相应的振动能级和惯性转动常数等分子常数.还计算了a3Π—X1Σ+和A1Π—X1Σ+的跃迁偶极矩、Franck-Condon因子,预测了若干跃迁的辐射寿命.     

用耦合簇理论及相关一致五重基研究OH(X2H)自由基的光谱性质

利用耦合簇理论CCSD(T)和相关一致五重基aug-cc-pV5Z对OH自由基X2H态的光谱性质进行了计算,获得的De,Re和ωe分别为4.6225 ev,0.09701 nm和3743.1644 cm-1,这与实验结果非常相符.在0.06-2.45 nm的核间距范围内对OH(X2Ⅱ)进行单点能计算,并将计算结果拟合成了Murrell-Sorbie函数.利用得到的解析势能函数,首先计算了该自由基的其余3个光谱常数(ωeχe,αe和Be),其结果与实验值也很相符.接着通过求解双原子分子核运动的径向Schr(o)dinger方程,找到了J=0时OH(X2Ⅱ)的全部15个振动态.最后还计算了每一振动态的振动能级、振动经典转折点、惯性转动常数和离心畸变常数.     

O2的外电场效应研究

本文首先采用多种方法,分别在不同的基组水平下,对O2的几何构型进行了优化,然后用密度泛函(DFT)(b3p86)方法在6-31G(d)基组水平上,在不同的外电场作用下,对O2的平衡结构进行了优化计算.在得到稳定几何构型的基础上,计算和讨论了偶极外电场对O2基态的几何构型、电偶极矩、原子电荷数的分布、振动频率、轨道能级分布等性质的影响.     

一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法

在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上, 提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法. 利用这一修正后的可加性规则并使用“电子-C, H, O, N原子”散射总截面的实验数据, 在50—5000 eV内计算了电子被NO, N₂O, NO₂和C₂H₆分子散射的总截面, 且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较. 结果表明, 利用这一方法修正过的可加性规则进行计 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

密度泛函方法对SiO分子基态(X 1 Σ+)势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95**,6-311G,6-311 + + G,6-311 + + G**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进行单点能扫描,用正规方程组拟合SiO分子基态(X 1 Σ+)的Murrell-Sorbie函数,得到解析势能曲线.最后,由得到的解析势能函数计算了相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),并与实验值进行了比较.     

基态S和D原子的低能弹性碰撞及SD(X2Π)自由基的准确相互作用势与分子常数

使用Gaussian03程序包提供的CCSD（T）理论及Duning等的相关一致基cc-pVnZ和aug-cc-pVnZ （n=2, 3, 4, 5）, 对SD（X²Π）自由基的平衡核间距、谐振频率及相互作用势进行了计算, 并拟合出了相应的光谱常数. 在CCSD（T）/aug-cc-pV5Z理论水平下, 光谱常数D₀, D_e, R 关键词： 弹性碰撞 总截面 光谱常数 分子常数