DETERMINATION OF CAPTURE BARRIERS OF DEFECTS FOR GaAs ALLOYS AND TRANSIENT PHOTO-RESISTIVITY SPECTROSCOPY

Si-doped Ga_0.7Al_0.3As grown by molecular beam epitaxy (MBE) and undoped Ga_0.47Al_0.53As grown by chemical beam epitaxy (CBE) have been investigated using a new deep level characterization method-transient photo-resistivity spectroscopy, which we recently developed. This method measures directly the capture process of deep centers. In GaAlAs, apparent capture barrier energy E_B= 0.25eV of DX center was determined and intrinasic capture barrier energy E_σ = 0.16eV was directly measured. In GaInAs, a defect with capture barier energy E_B= 0.2BeV was observed. The result proved that DX centers capture electron only from band L, belonging to small lattice relaxation model. The theoretical deduction of transient photo-resistivity spectroscopy was improved.     

周期受击陀螺系统随时间演化波函数的多重分形

研究了周期受击陀螺系统波函数的多重分形. 发现: 1)在打击次数较小时, 周期受击陀螺系统波包的扩散速度、扩散方向与打击强度相关, 打击强度越大扩散越混乱、扩散速度也越大; 2)波函数在相空间的精细结构的分布范围随着打击强度的增大而扩大, 最后充满整个相空间; 3)局部分维a的分布范围对应波函数在相空间的分布, 规则态时a 的分布范围最宽, 过渡态的a的分布范围较窄, 而混沌态的a的分布范围则最狭窄且稳定.     

炔功能化的芘衍生物在有机场效应晶体管的应用

利用Sonogashira偶联反应在芘的1,3,6,8位引入炔键合成了一个X型化合物(SiPy)．它的光物理性质、热学性质、薄膜形态和有机场效应晶体管性质被研究．热重分析结果表明SiPy具有高的稳定 性．原子力显微镜图像显示SiPy的薄膜形态依赖于衬底的温度．基于SiPy的薄膜OFET器件被制作,SiPy呈现p型半导体特征．     

苯乙酮基吡啶季铵盐与醇的反应

苯乙酮基吡啶季铵盐具有多种反应活性,但它带有的羰基的反应性很少引起人们的关注.研究发现苯乙酮基吡啶季铵盐在碱性条件下与醇(或酚)反应时,吡啶基带着α-碳原子离去,生成相应的苯甲酸酯类物质.与醇反应时产率较高(80%~98%),与苯酚反应时,产率为48%.     

压力脉动信号相关三维烟速测量方法研究

利用互相关法测速无需正确测量信号绝对值的优点，研制了应有和电子微压计提取高温烟气压力脉动信号的水冷三维取压探针，及相关法三维高温烟气流速测量装置。实验室台架测试，在烟气温度500℃-800℃，流速10．22m/s-20.49m/s范围，速度相对误差在4．26％－8．61％之间，方向相对误差为－1．79％－3．47％，有较高的精度度。是实现炉内高温烟气速度场准连续测量的好方法。     

WQD-1沸石离子交换性能的研究

测定了W_QD-1沸石在一价碱金属离子混合溶液中的分配系数、饱和交换量和在25℃时，NH⁺₄/K⁺、NH⁺₄/Na⁺交换等温线。得出该沸石一价离子选择性序列为：Cs⁺>Rb⁺>K⁺>Na⁺>Li⁺, Na⁺/K⁺交换自由焓变ΔG(T,P)=-6.745 KJ/mol。     

5-[(4-乙酰基苯基)偶氮]-8-氨基喹啉的合成及其与钯的显色反应研究

合成了新试剂5-[(4-乙酰氨基苯基)偶氮-8-氨基喹啉(AAPAQ),其结构经红外光谱和元素分析证实.光度法测定其酸离解常数pK_(■_2)=3.58.研究了非离子表面活性剂Twccn80存在下,试剂与钯的显色反应.在酸性介质中,钯与AAPAQ形成1:2的紫蓝色配合物,其最大吸收峰位于570nm,摩尔吸光系数为6.1×10~41.mol~(-1).cm~(-1)。钯量在0-18μg/25ml范围内符合比尔定律.方法简便、快速,可不经分离,直接用于钯催化剂中钯的测定.     

分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究

利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能 关键词：     

Bi-2212元件的超导限流特性测试与数值分析

Bi-2212元件(Bi-2212monofilar bulk element)是开发24KV/630A超导限流器(SFCL)的元件之一。本研究从实验和理论上探讨了Bi-2212元件的直流伏安特性、交流损耗特性、限流特性和局部温度分布。结果发现Bi-2212元件的临界电流增加了3.3倍而工作温度从77K降低到65K。尽管Bi-2212导体是线圈排列,但是其交流损耗的测量值与Norris方程的计算结果相似,温度都在77K和65K之间。故障期间每段温度的测量值与数值分析的结果一致。     

带终止事件的多类型复发事件的一般加性乘积比例模型

带终止事件(例如死亡)的复发事件经常出现在医疗和日常观测中,大多数模型假定协变量效应是乘性的,并在给定生存分布条件下对事件复发率建模.在本文中,我们对带终止事件的复发事件数据建立一般加性乘积比例模型,这里所谓的终止事件就是阻止复发事件的再发生.利用估计方程法和逆概率加权方法,我们分别提出两种估计回归参数和基本均值函数的方法.并且建立了估计的渐近性质.