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Improved Programming Efficiency through Additional Boron Implantation at the Active Area Edge in 90nm Localized Charge-Trapping Non-volatile Memory 下载免费PDF全文
XU Yue YAN Feng CHEN Dun-Jun SHI Yi WANG Yong-Gang LI Zhi-Guo YANG Fan WANG Jos-Hua LIN Peter CHANG Jian-Guang 《中国物理快报》2010,27(6):164-166
As the scaling-down of non-volatile memory (NVM) cells continues, the impact of shallow trench isolation (STI) on NVM cells becomes more severe. It has been observed in the 90nm localized charge-trapping non-volatile memory (NROMTM) that the programming efficiency of edge cells adjacent to STI is remarkably lower than that of other cells when channel hot electron injection is applied. Boron segregation is found to be mainly responsible for the low programming efficiency of edge cells. Meanwhile, an additional boron implantation of 10°tilt at the active area edge as a new solution to solve this problem is developed. 相似文献
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设计了一种双局域共振原理的Helmholtz型声子晶体结构,该结构采用U字型嵌套设计,分为内外两个腔,摆脱了内腔空气对带隙上限的影响,使得低频带隙上限得以大大提高.在分析低频带隙形成机理和影响因素时,将弹性杆-弹簧模型引入理论计算,使得简化模型计算精度得以提高.研究表明:该结构具有良好的低频带隙特性,其最低带隙范围为86.9~445.9 Hz.结构低频带隙主要受晶格常数、壁厚、细管宽度和长度的影响.在保持其它参数不变的情况下,带隙上限随晶格常数、壁厚和细管长度的增加而降低,随细管宽度的增加而增加;带隙下限随晶格常数、细管长度的增加而降低,随细管宽度、壁厚的增大而增大.该研究为低频噪声控制提供了一定的理论支持,拓宽了声子晶体的设计思路. 相似文献
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目标定位是光电转塔典型功能和任务之一,对其定位精度的考量也是转塔作战技术指标之一,针对该问题,从理论和仿真角度进行了分析。分析目标定位中用到的坐标系及其相互转换关系,给出光电转塔视轴反演、有源目标定位、无源目标定位的算法流程,通过仿真实验加以验证,考虑了定位过程中可能的随机误差来源,并分析是否采用均值滤波及其对定位结果的影响,最后通过Monte-Carlo分析计算了定位精度。分析结果表明:1)有源定位比无源定位的精度高,在仿真假设条件下,精度约提高1倍;2)均值滤波后,定位精度有较大提升(约提高15倍);3)18 km距离时典型无源定位精度在80%置信度条件下约为39.4 m;4)统计直方图反映出80%置信度CEP半径及最大误差距离随载机位置、姿态、转塔视轴等(体现在目标载机距离上)不同参数的变化结果。 相似文献
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