Accurate capacitance-voltage characterization of organic thin films with current injection

To deal with the invalidation of commonly employed series model and parallel model in capacitance-voltage (C-V) characterization of organic thin films when current injection is significant, a three-element equivalent circuit model is proposed. On this basis, the expression of real capacitance in consideration of current injection is theoretically derived by small-signal analysis method. The validity of the proposed equivalent circuit and theoretical expression are verified by a simulating circuit consisting of a capacitor, a diode, and a resistor. Moreover, the accurate C-V characteristic of an organic thin film device is obtained via theoretical correction of the experimental measuring result, and the real capacitance is 35.7% higher than the directly measured capacitance at 5-V bias in the parallel mode. This work strongly demonstrates the necessity to consider current injection in C-V measurement and provides a strategy for accurate C-V characterization experimentally.     

电子体系与光子体系

文章将电子与光子以及二者在不同的约束结构（孤立原子与光子点，孤立分子与光子分子，半导体晶体与光子晶体）中的行为作了类比，揭示电子体系和光子体系有很高的可比性。     

InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究

用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H₂O和O₂的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的 关键词：     

硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途

由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．     

多孔硅发光稳定性的改进

采用在热ＨＮＯ₃中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。 关键词：     

发光多孔硅的表面氮钝化

报道对多孔硅在NH₃气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)₂和Si₃N₄所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅略有降低,而且在大气中存放三个月基本不变,这些结果表明,氮化物可以在多孔硅表面形成优良的钝化膜,这对多孔硅的实际应用及理论研究都有一定意义。     

金属-有机物界面的偶极层

利用光电子能谱了镁、金与８－羟基喹啉铝的界面。对于Ｍｇ／Ａｌｑ３和Ａｕ／Ａｌｑ３两种界面,费米能级到Ａｌｑ３的最高占有轨道边的距离都约为１．７ｅＶ,与金和镁的功函数无关。     

有机电致发光器件及其稳定性问题

有机发光二极管（ＯＬＥＤｓ）即将实用化,但其稳定性仍是急需解决的关键问题。文章简要综述了ＯＬＥＤｓ及其稳定性问题,着重从ＯＬＥＤｓ的失效过程、水汽和氧气、电极材料及其界面对ＯＬＥＤｓ稳定性的影响、有机材料本身的稳定性等方面讨论了ＯＬＥＤｓ的稳定性。