Yb^3＋对Tm^3＋间接敏化与基质晶格关系

Yb^3 敏化Tm^3 有两种方式,一种是直接敏化上转换,另一种是间接敏化上转换。前种直接采用980nm激光激发,而后者可用807nm激光激发,无疑后者有利于提高上转换发光的量子效率。由于基质晶格的晶体场强度不同,对称性有高有低,造成的稀土离子的能级分裂不同,通过分析双掺BaY2F8,Cs3Yb2C19等材料的光谱资料并结合生长的双掺Yb^3 ,Tm^3 :ZnWO4单晶光谱的实际测试与分析,提出了Yb^3 和Tm^3 间的间接敏化共振能量传输的新观点,并具体分析了能形成这一上转换机制的条件。与间接敏化非共振能量传输不同,一是Yb^3 的^2F5/2→^2F7/2的跃迁应与Tm^3 3H4→^1G4能级间隔尽可能接近;二是Yb^3 激发态能级^2F5/2与Tm^3 的^3H4能级尽可能接近。这要求基质材料的晶体场场强要弱,对称性要低。间接敏化共振能量传输极有可能引起光子雪崩上转换,这将为探索实用上转换激光晶体提供有益经验。     

一氧化氮在Nafion-钴席夫碱膜修饰电极上的电催化氧化及其测定

将一种杂环席夫碱N,N′-2 ,6 -二乙酰吡啶缩双苯胺和Nafion修饰在铂电极上 ,然后与钴 (Ⅱ )反应 ,得到Nafion -钴席夫碱膜修饰电极。实验结果表明 ,该修饰电极具有良好的机械、化学和电化学稳定性 ,对生物分子一氧化氮的电化学氧化有显著的催化作用。以1.5次微分线性扫描伏安法测定一氧化氮 ,当浓度在2.8×10-6～8.4×10-8 mol/L范围时 ,氧化电流与浓度有良好的线性关系 ,抗坏血酸、精氨酸及亚硝酸根不干扰测定。     

用修饰电极导数伏安法同时测定多巴胺和肾上腺素

研究了２,６－吡啶二甲酸在玻碳电极上电化学聚合的实验条件及修饰电极的电化学特性,发现该聚合物膜修饰电极对多巴胺和肾上腺素的电化学氧化有显著的催化作用,而对抗坏血酸等阴离子没有响应。利用在修饰电极上循环伏安阴极过程多巴胺和肾上腺素的峰电位不同,采用阴极化导数伏安法可同时测定多巴胺和肾上腺素。     

Imperfect bifurcation of systems with slowly varying parameters and application to Duffing's equation

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎＰｈｙｓｉｃｓ,Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ,ＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＬｉｆｅＳｃｉｅｎｃｅｅｔｃ.,ｔｈｅｒｅｅｘｉｓｔｓｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎｐｒｏｂｌｅｍｗｉｔｈａｐａｒａｍｅｔｅｒ ｘ=ｆ(ｘ ,λ)　　 (ｘ∈Ｒｎ,λ∈Ｒ) ,(1 )ｗｈｅｒｅλｉｓａｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｐａｒａｍｅｔｅｒｏｆｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎａｎｄｆ(ｘ ,λ) ∈Ｒｎｉｓａｎｎ＿ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｖｅｃｔｏｒｆｉｅｌｄ .Ｔｈｅｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎｐｒｏｂｌｅｍｗｉｔｈａｃｏｎｓｔａｎ…     

ZnWO4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析

ZnWO4单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好,是制备氧化锌薄膜的优良衬底.本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4单晶衬底上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜对薄膜晶核发育过程和形貌进行了详细的分析.实验结果表明:在结晶刚开始,系统将经历成核--长大的过程,随着生长过程的进行,在主晶轴上(一次轴)上又长出二次轴、三次轴等等,最后逐渐形成树枝状晶核.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的,故在晶核发育过程中又出现了三种不同的生长形态--成核生长、枝晶生长和分形生长.     

掺镨钒酸钆晶体的研究

生长了新型激光晶体Pr:GdVO4,经XRD分析可知生长的晶体与纯GdVO4晶体结构一致,晶体质量良好.室温下测试了晶体400～3000 nm范围内的吸收光谱.通过对吸收光谱研究,发现σ谱图中各吸收峰吸收强度更大,宜选择入射光传播方向和电矢量均垂直于光轴的方向进行激光实验.采用404 nm的激发源抽运Pr:GdVO4晶体,测试其荧光光谱,发现其在可见波段有宽且强荧光发射(604 nm、616 nm),对应于1D2→3H4.比较不同浓度晶体的荧光谱,荧光强度呈现如下趋势:0.5;>0.7;>0.32;.     

TiCl4处理对TiO2薄膜显微结构以及染料敏化太阳电池性能的影响

本文通过粉末涂敷法制备了纳米TiO2多孔膜,并用40 mM的TiCL4水溶液对多孔膜进行了表面处理,发现TiCl4处理对多孔薄膜的显微结构有重要影响.通过纳米TiO2多孔膜的表面形貌分析,发现TiCl4处理降低了薄膜因高温烧结而出现的"龟裂"现象,同时薄膜中微空洞数量增加,分布更均匀,进而显著提高了染料敏化太阳电池的光电转化效率.     

一种新的液相色谱检测器——抑制化学发光反应检测器

化学发光分析法以其仪器设备简单、操作方便、分析快速、灵敏度高、线性浓度范围宽等显著优点,引起人们极大的兴趣。然而,由于化学发光反应固有的选择性差的缺点,使得这种高灵敏检测方法在分析应用中受到很大限制。如何将高灵敏度的化学发光检测法与高选择性的物理或化学手段相结合,这     

LD激发的ZnWO4:Er3+晶体上转换发光

采用Czochralski法生长出ZnWO₄:Er³⁺(Er=0.02mol)单晶,测量了吸收光谱和激发光谱。在波长966nm功率500mW的激光二极管(LD)激发下观察到上转换发光。强度最大的发射峰位于547和558nm,发射光谱分析表明,上转换激发过程与双光子步进吸收有关。     

晶化时间及硅源对SAPO-5分子筛的结构及模板剂状态的影响

通过改变硅源和晶化时间的方法,采用水热法合成了系列SAPO-5分子筛材料,用X光衍射(XRD)和²⁷Al MAS NMR对产物的晶相结构进行表征,用¹³C CP MAS NMR研究了不同阶段的产物中模板剂的存在状态。结果可见:以SiO₂凝胶为硅源时;薄水铝石反应物有较高的活性,在48h的晶化时间内,延长晶化时间有助于SAPO-5分子筛的完整结晶,当晶化时间超过48h时,其中已形成的SAPO-5的结构部分被破坏,并转化为SAPO-34.且SAPO-34的量随晶化时间的延长而增多。当以Si(OEt)₄为硅源时,铝反应物的反应活性较低,在72h的晶化时间范围内,延长晶化时间有助于SAPO-5产物的形成,使其结构愈加完整,在SAPO-5分子筛的形成过程中,模板剂的状态随分子筛结构的变化而变化,由于三乙胺(Et₃N)模板剂中的甲基和亚甲基所处位置不同,其弛豫时间受分子筛结构的影响较大,可用其中甲基的¹³C MAS NMR诺线的强度及化学位移来表示分子筛结构的完整性。