高等数学与高中数学的衔接

从高中教材和高等数学教材的内容、高等数学和初等数学的思维模式、教师的教学方法、学生的学习方法四个方面分析学生在学习高等数学时感到困难的原因,并探讨在高等数学教学中,做好高等数学与高中数学衔接的五项具体措施：上好绪论课,帮助学生建立自主学习的观念;指导正确的学习方法,培养学生的自学能力;给出数学概念要循序渐进,注意知识的衔接;加强习题指导,加深学生对基本概念的理解;及时了解学生状况,有针对性地开展教育。     

PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究

对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果. 关键词： 陷光结构 光散射能力 标量相干理论 硅基薄膜太阳电池     

非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%. 关键词： 非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面     

人类基因组研究的伦理问题

目前，人类基因组研究的伦理问题主要集中在基因隐私、基因歧视和基因组多样性等方面．本文系统地阐述了人类基因组研究的伦理问题，为人类基因组研究的方向圈定了界限．     

相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性     

橄榄苦甙的NMR数据解析

对橄榄苦甙进行了¹H和¹³C MNR检测, 通过DEPT和¹H-¹H COSY、HMQC、HMBC、NO ESY等2D NMR对其¹H和¹³C NMR数据进行了全归属和较详细的解析, 并指出其NMR数据特征.     

宽带可调谐掺Yb3+双包层光纤激光器的研究

利用闪耀光栅构成可调谐Littrow外腔,对掺Yb³⁺双包层光纤激光器的波长调谐输出进行了实验研究.激光调谐输出波长范围70nm.针对光纤内的双折射效应对激光的输出功率的影响,实验中使用了在线光纤偏振控制器,从而有效地减小了调谐曲线的起伏及其与荧光谱的差别,并得到了窄线宽、线偏振、宽带调谐的激光输出.     

三波长分光光度法测定色氨酸,酪氨酸和苯丙氨酸的研究

本文用三波长分光光度法测定色氨酸，酪氨酸和苯丙氨酸，利用计算机选择最佳波长组合，可实现三种组分的同时测定，合成样品的分析结果表明，方法的准确和精密度都令人满意。     

Study on a MEMS silicon-based non-silicon mirror for an optical switch

A micro-electro-mechanical system (MEMS) silicon-based non-silicon mirror for a 2D optical switch is designed, fabricated and measured. The result shows that the mirror has good reflective performance. And driven by static electricity, it can rotate more than 10° at voltage less than 15 V. This kind of novel mirror will have good potential applications for MEMS optical switches.     

Bi（2223）超导体的磁屏蔽效应

本文研究了Ｂｉ（２２２３）超导体屏蔽筒的磁屏蔽效应，从而得出了屏蔽效果与超导体的微观结构、临界电流密度、屏蔽空间大小有关，以及双筒套构的方法可进一步增强磁屏蔽效果的结论。