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372.
Figure of Merit for Detectors Based on Laser-Induced Thermoelectric Voltages in La1-xCaxMnO3 and YBa2Cu3O7-σ Thin Films 下载免费PDF全文
A figure of merit (FOM) Z = Up/τr, where Up is thepeak voltage, and τr is the rise time of the laser-induced thermoelectric voltage (LITV) signal, is defined for photodetector based on the LITV and the influence of the parameters on FOM is analysed based on the time dependence of LITVs in La1-xCaxMnO3 (LCMO) and YBa2Cu3O7-σ (YBCO) thin films grown on vicinal-cut substrates. We find that the FOM increases as the photon penetration depth decreases, and linearly increases with the thermal diffusion constant D. To achieve the highest FOM, the film thickness d has to be controlled to an optimum value. We also find that the FOM is directly proportional to the laser absorption coefficient no, the laser energy density per pulse E, the illuminated length of film 1, sin(2α) [αis the vicinal-cut angle], the Seebeck coefficient anisotropy ( Sab - Sc), and is inversely proportional to the mass density ρ and the specific heat c0. 相似文献
373.
由于存在各种干扰、噪声和恶劣环境,以及模型也不应过分精确的实际,所以考虑微分对策的鲁棒性是必然和重要的.主要就微分对策中存在随机干扰和模型本身参数不确定这两类不确定性问题研究其鲁棒对策问题,并给出其相应的解. 相似文献
374.
375.
采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后将它们在H2S气流中 硫化得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对Zn S薄膜样品进行了分析.结果表明, 该ZnS薄膜为六角晶体结构, 沿(002)晶面择优取向生长, 其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O2流量比密切相关. 当气压高于1Pa 时, 得 到厚度很小的ZnS薄膜; 而气压低于1Pa时, 沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS. 另外, 当Ar/O2流量比低于4∶1或高于4∶1时, 结晶状态都会变差. 此外, 由于ZnS薄 膜具有高 的沿(002)晶面择优取向的生长特性, 使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 .
关键词:
ZnS薄膜
磁控溅射
ZnO硫化
太阳电池 相似文献
376.
377.
以1,2,3-三氮唑基杂环多羧酸H_3ctia(H_3ctia=5-(4-carboxyl-1H-1,2,3-triazol-1-yl) isophthalic acid)为配体合成了一系列三维镍(Ⅱ)-镧(Ⅲ)混金属配位聚合物[Ln_2Ni(tia)_4(H_2O)_4]_n(Ln=La (1)、Ce (2)、Pr (3)、Nd (4)、Sm (5)、Eu (6)、Gd (7)、Tb (8)、Dy (9))和{[Yb_2Ni(tia)_4(H_2O)_2]·2H_2O}_n(10)(tia=5-(1H-1,2,3-triazol-1-yl)isophthalate)。X射线单晶衍射测试表明,配合物1~10皆具有三维网格结构,其中配合物1~9同构,而配合物10的组成与1~9一样,但晶体学结构则完全不同。在可见光区域,化合物5、6、8和9分别出现了Sm、Eu、Tb和Dy的特征发射峰,其中配合物6、8和9的荧光寿命分别为234、598和2.96μs;在近红外区域,配合物4、9和10分别出现了Nd、Dy和Yb的特征发射峰,对应的荧光寿命分别为4.25、3.42和5.66μs。 相似文献
378.
Yb3+离子掺杂YAG晶体(Yb∶YAG)作为一种性能优良的激光晶体已广泛应用于高效、高功率激光领域。最新研究表明,Yb∶YAG晶体响应时间可达0.411 ns,其优良的超快闪烁特性在超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学等领域的应用引起了广泛关注,使得Yb∶YAG晶体成为超快闪烁材料研究的热点。关于Yb∶YAG的闪烁特性,文章在系统介绍Yb∶YAG作为超快闪烁晶体研究进展和发光机理的基础上,归纳总结了掺杂种类、浓度、后处理工艺、辐照、格位尺寸大小、温度等对Yb∶YAG晶体闪烁性能的影响。然后,针对Yb∶YAG目前存在的问题,给出相应的解释并提出通过离子共掺调控来改善其闪烁性能的方法。最后,对Yb∶YAG超快闪烁晶体未来的发展方向进行了展望。 相似文献
379.
在外加电场下,利用分子的旋转和取向运动是组装分子介电马达以及弛豫型分子介电体的一个主要策略。在本论文中,我们制备并表征了一个新的电荷转移晶体[C10-DMPy][Ni(mnt)2](1)(C10-DMPy+=1-decanel-N, N-dimethylpyridinium, mnt2-=马来二氰基二硫烯)。在一定的频率范围内,该化合物展现了介电弛豫行为,我们将此归于平衡阳离子的动力学位置取向和阴、阳离子间的电荷转移。该化合物的介电弛豫过程遵循Cole-Cole方程,偏离理想的Debye模型。单晶X-射线衍射表明该化合物的阴、阳离子分别独立堆积成柱状,柔性的有机阳离子与刚性的磁性阴离子构筑块间存在电荷协助氢键作用。此外,该化合物的磁行为展现为弱的铁磁耦合作用。 相似文献
380.
射频等离子体技术制备合成低碳醇用铜钴基催化剂 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频等离子体技术制备了CO加氢合成低碳醇用新型CuCo/ZrO2催化剂, 研究了等离子体气氛氮气、氢气和先氮气后氢气处理对催化剂结构和性能的影响, 并应用BET、XRD、XPS、TG和TPR技术对催化剂进行了表征. 与常规焙烧制得的样品相比, 射频等离子体技术制备的催化剂可有效抑制烃类生成, 提高总醇选择性, 大幅提高反应活性和低碳醇的时空收率. 表征结果显示, 等离子体技术使催化剂前驱体在低温下分解形成活性相, 显著提高了催化剂比表面积, 促进催化剂活性组分晶粒细化并提高其分散度, 催化剂表面的铜含量增加. 相似文献