全文获取类型
收费全文 | 11522篇 |
免费 | 2795篇 |
国内免费 | 2455篇 |
专业分类
化学 | 2618篇 |
晶体学 | 80篇 |
力学 | 1657篇 |
综合类 | 546篇 |
数学 | 5996篇 |
物理学 | 5875篇 |
出版年
2024年 | 81篇 |
2023年 | 299篇 |
2022年 | 324篇 |
2021年 | 285篇 |
2020年 | 252篇 |
2019年 | 351篇 |
2018年 | 219篇 |
2017年 | 353篇 |
2016年 | 388篇 |
2015年 | 402篇 |
2014年 | 873篇 |
2013年 | 619篇 |
2012年 | 643篇 |
2011年 | 788篇 |
2010年 | 822篇 |
2009年 | 845篇 |
2008年 | 858篇 |
2007年 | 814篇 |
2006年 | 810篇 |
2005年 | 718篇 |
2004年 | 711篇 |
2003年 | 632篇 |
2002年 | 608篇 |
2001年 | 521篇 |
2000年 | 451篇 |
1999年 | 428篇 |
1998年 | 349篇 |
1997年 | 330篇 |
1996年 | 338篇 |
1995年 | 314篇 |
1994年 | 257篇 |
1993年 | 193篇 |
1992年 | 204篇 |
1991年 | 198篇 |
1990年 | 191篇 |
1989年 | 157篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 40篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 15篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
32.
在保持非负定性不变的前提下,本文对矩阵每一元素容许多大的扰动作了进一步的研究, 将本文的结论和C.R.Johnson提出的部分正定阵的正定完备化进行比较,容易发现对已知的正定矩阵求扰动,本文的结论比用C.R.Johnson的正定完备化计算扰动形式上更简单,同时也给出了不同于C.R.Johnson的部分正定阵的正定完备化表示的另外一个公式,推出了这些正定完备化矩阵应具有的若干性质. 相似文献
33.
非光滑非凸多目标规划解的充分条件 总被引:4,自引:0,他引:4
Kuhn-Tucker型条件的充分性一直是最优化理论中引人注意的一个问题.本文对非光滑函数提出了几个非凸概念,然后,讨论了非光滑非凸多目标规划中Kuhn-Tucker型条件和Fritz John型条件的充分性,在很弱的条件下,建立了一系列充分条件. 相似文献
34.
35.
36.
根据递推最小二乘和图像配准原理,提出了基于递推最小二乘的红外焦平面非均匀校正算法(简称ILS算法),有效降低算法的时间和空间复杂度,使噪音图像的校正处理能够实时完成.ILS算法具有噪音参量估计准确度高、收敛速度快和计算复杂度低等优点.给出了算法的推导并用仿真数据对算法的有效性进行验证. 相似文献
37.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献
38.
转移矩阵法在负折射率介质材料平板波导中的应用研究 总被引:3,自引:3,他引:0
利用严格电磁理论,推导出了适用于负折射率介质材料光波导的转移矩阵,分析讨论了转移矩阵的性质和应用.利用转移矩阵方法,推导出导波层为负折射率介质材料、覆盖层和衬底为右手材料的三层对称介质光波导的本征色散方程.用图解法研究了负折射率介质波导中TE波的异常色散特性.在负折射材料介质波导中没有零阶模,最低阶为1阶模,并且有截止频率,只有波导参量满足一定条件的时候才会存在,导模的横向波数可以为实数和纯虚数,而正折射率介质波导导模的横向波数只能为实数. 相似文献
39.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816. 相似文献
40.
NEW WAVELET BASES FOR NON-HOMOGENEOUS SYMBOLIC SPACE OpS1,1^m AND RELATED KERNEL-DISTRIBUTION SPACES
YANG Qixiang 《数学年刊B辑(英文版)》2002,23(4):551-562
This paper constructs several classes of new wavelet bases, which are unconditional bases for related operator spaces. Using these bases, the author analyzes non-homogeneous symbolic space OpSm1,1 and two related kernel-distribution spaces, and characterizes them in two wavelet coefficients spaces. Besides, some properties for singular integral operators are studied. 相似文献