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31.
研究了Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce_(0.01),Tb_(0.02)体系中Gd的子晶格在Ce→Gd→Tb能量传递中的中介作用规律及GdP_5O_(14),GdP_5O_(14):Ce,GdP_5O_(14):Tb和Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce,Tb的荧光光谱、激发光谱。结果表明,当x>0.7时,结构从单斜Ⅱ(C2/c)的层状结构变为单斜I(P2_1/c)的带状结构,Ce ̄(3+)的发射光谱和Gd ̄(3+)的吸收光谱交迭增加等是Ce ̄(3+)→Gd ̄(3+)→Tb ̄(3+)能量传递几率增加的主要原因。 相似文献
32.
本文引进了Abel群XL2(R)和2-PSF环,利用它们刻划了PSF环.作为应用,研究了群环和二次域上的模结构. 相似文献
33.
34.
设二元函数f(x,y)有稳定点P(x_0,y_0),并设f_(xx)(x_0,y_0)=A,f″_(xy)(x_0,y_0)=B,f″_(yy)(x_0,y_0)=C,△=AC-B~。当△=AC-B~2=0时,f(x,y)在点P(x_0,y_0)处是否有极值的问题,一般教科书都未进行过具体地讨论,本文对这一问题进行了初步地探 相似文献
35.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
36.
牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶 总被引:2,自引:0,他引:2
研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618. 相似文献
37.
The decay process J/ψ→p X X→p P,where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P. 相似文献
38.
39.
关于PFI-代数与剩余格 总被引:10,自引:0,他引:10
本文提出了一种强FI代数-PFI代数,并且深入研究了它的性质,借此进一步揭示了FI-代数和剩余格之间更加密切的联系,进而以FI-代数为基本框架建立了R0-代数、正则剩余格等逻辑系统的结构特征(包括对隅结构)及其相互关系.这种以FI-代数为基础来统一处理剩余格和R0-代数的方法,同样适合于格蕴涵代数和MV代数等代数结构,而且从中更能清楚地看出它们之间的密切联系,也将有助于对相应形式逻辑系统与模糊推理的研究. 相似文献
40.