β-环糊精聚合物微球对布洛芬的吸附性能

以β-环糊精为原料,环氧氯丙烷为交联剂,采用反相乳液法制备β-CD微球。研究了β-CD徽球对布洛芬的吸附性能。结果表明,β-CD微球对布洛芬的吸附符合Freundlich型等温方程,热力学行为表明该吸附过程为吸热过程,吸附动力学方程符合准一级动力序模型,吸附平衡在120min左右达到。     

油基钻屑螺纹推进式换热器流动传热特性

对油基钻屑在螺纹推进式换热器内的流动换热过程进行了数值模拟,研究了螺杆转速、油基钻屑雷诺数Re和螺纹截面形状对流动换热的影响。结果表明:随着螺杆转速增加,传热系数、油基钻屑出口温度均增大;同时发现,当雷诺数Re<250时,壳侧Nusselt数随雷诺数Re增大而迅速增大,此后雷诺数对Nusselt数影响较小;Nusselt数随曲率比d_i/D增大而增大。为方便工程设计,利用数值结果给出了油基钻屑的流动换热关系式。     

Molecular Dynamic Simulation on Graphitization and Dehydrogenization of Hydrogenated Carbon Films in Vacuum

The thermal stability of hydrogenated carbon films with H fraction from zero to 51.5% is studied by carrying out a molecular dynamical simulation on the annealing process in vacuum. Our simulations show that both graphitization temperature and dehydrogenization temperature decrease with H fraction in the films, which is in good agreement with the available experimental data. The dehydrogenization temperature is found to be much higher than the graphitization temperature. It is indicated that graphitization is the dominant process causing the degeneration of hydrogenated carbon films.     

MoSx掺杂DLC薄膜的摩擦磨损行为Ⅰ:载荷的影响

采用射频等离子体增强化学气相沉积与非平衡磁控溅射复合技术制备了MoSx掺杂的DLC薄膜(a-C:H:Mo:S),在QG-700摩擦试验机上考察了其在不同载荷下的摩擦磨损行为.通过对摩擦表面的扫描电镜(SEM)观察及能谱(EDS)分析,简单探讨了其摩擦磨损机理.结果表明:随着载荷的增加,a-C:H:Mo:S/Si3N4体系的摩擦系数及磨损率均呈先降后升的趋势,在高速下尤为明显.初步分析认为该现象与摩擦热效应导致的接触层结构转化相关.     

Risk-sensitive reinforcement learning algorithms with generalized average criterion

A new algorithm is proposed, which immolates the optimality of control policies potentially to obtain the robusticity of solutions. The robusticity of solutions maybe becomes a very important property for a learning system when there exists non-matching between theory models and practical physical system, or the practical system is not static, or the availability of a control action changes along with the variety of time. The main contribution is that a set of approximation algorithms and their convergence results are given. A generalized average operator instead of the general optimal operator max (or min) is applied to study a class of important learning algorithms, dynamic programming algorithms, and discuss their convergences from theoretic point of view. The purpose for this research is to improve the robusticity of reinforcement learning algorithms theoretically.     

超高效液相色谱-串联四极杆质谱法测定麻辣烫中喹诺酮类药物残留

建立了麻辣烫中14种喹诺酮类药物残留的超高效液相色谱-串联四极杆质谱(UPLC-MS/MS)检测方法。采用酸化乙腈提取麻辣烫中的喹诺酮类药物残留,提取溶液经盐析和C18固相萃取柱净化后,在电喷雾离子源中正离子模式下,采用多反应监测(MRM)方式进行测定,内标法定量。结果显示,14种喹诺酮类药物在7.5~100μg/L范围内线性关系良好,相关系数均大于0.990。在3个不同加标水平下的平均回收率为75.4%~110.0%,相对标准偏差(n=6)为1.3%~10.1%,14种化合物的检出限和定量下限分别为0.5,1.5μg/kg。该方法操作简单、快速,净化效果好,灵敏度高,适用于麻辣烫中多种喹诺酮类药物残留的同时定性和定量检测。     

Molecular Dynamical Simulations on a-C：H Film Growth from C and H Atomic Flux： Effect of Incident Energy

Molecular dynamical simulation is carried out to investigate the effects of the incident energy on a-C：H film growth from C and tt atomic flux. Our simulations show that the film growth at low incident energy （1 eV） is dominated by the adsorption of H and C atoms. At moderate incident energy （10 and 20eV）, the abstraction reaction of incident H atoms with H atoms adsorbed at the surface becomes important. At high incident energy （30 and 40eV）, the a-C：H film growth is a two-step process： one is the adsorption and the shallow implantation of C atoms, and the other is the deep implantation of H atoms.     

改进的遗传优化BP-NN在变电站故障区域中的研究

BP神经网络（Back Propagation Neural Network,BP-NN）具有良好的自学习能力以及自适应和泛化能力,但运算过程中容易陷入局部极小值,同时隐含层节点数的选择也影响着诊断的效果。文中根据经验公式缩小隐层节点数范围,在小范围里寻找最优的隐层节点数。根据遗传算法(Genetic Algorithm,GA)具有全局寻优的特点,用遗传算法优化BP神经网络训练的初始权值阈值,可以避免BP神经网络陷入局部极小的问题。但是,传统遗传算法也有自身的缺点,其在全局寻优的过程中,易陷入“早熟”的问题。为了解决传统遗传算法“早熟”现象,文中提出了一种协同进化的遗传算法,即使用3个种群同时进化的遗传算法,协同进化遗传算法不但可以避免传统遗传算法的“早熟”问题,而且可以加强局部搜索提高运行效率。将协同进化遗传算法应用到BP神经网络中,仿真结果表明,该方法可以准确有效地诊断出变电站故障元件,提高变电站故障诊断过程中的容错性及效果。     

衬底温度对含硅量子点的SiCx薄膜结构及其光学特性的影响

采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si(100)和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜.在氮气氛下于1100 ℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜.采用傅立叶变换红外吸收光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和吸收谱对退火后的SiCx薄膜进行了表征.结果表明:当衬底温度从室温(25℃)升至300℃时,薄膜的晶化率增至71.3;,硅量子点尺寸增至8.9 nm,而光学带隙则减至2.42 eV;随着衬底温度进一步升高,薄膜的晶化率降至63.1;,硅量子点尺寸减小至7.3 nm,而光学带隙却增加至2.57 eV;当衬底温度从室温(25℃)升至400℃时,薄膜的吸收系数呈先增大后减小趋势.在本实验条件下,最佳衬底温度为300℃.     

脉冲功率对含硅量子点SiCx薄膜物相结构及光谱特性的影响

基于硅量子点（Si-QDs）的全硅叠层太阳电池被认为是最有潜质的高效太阳电池之一。目前所报道的硅量子点薄膜存在硅量子点数密度低、缺陷多等问题,限制了硅量子点太阳电池的光电转换效率。微波退火(microwave annealing, MWA)被认为是一种有益于制备纳米结构材料的方法。微波退火的非热效应可以降低形核能,改善薄膜的微结构和光电性能。因此,采用磁控共溅射技术并结合微波退火工艺,在不同的脉冲功率下制备了含硅量子点SiC_x薄膜;采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、拉曼(Raman)光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光(PL)光谱表征薄膜的物相结构及光谱特性;研究不同脉冲功率对硅量子点数密度和性能的影响,进而改进磁控共溅射工艺,制备硅量子点数密度较高和性能良好的薄膜。样品的GIXRD谱和Raman谱均显示其中存在硅量子点,其强度先增大后减小;通过谢乐(Scherrer)公式估算出硅量子点尺寸呈现先增大后减小的规律,脉冲功率为80 W时尺寸达到最大(8.0 nm）。在Raman光谱中还观察到中心位于511 cm-1处出现硅量子点Si-Si横向光学振动模式的拉曼峰,其强度也呈现先增大后减小的趋势;对拉曼光谱做最佳高斯(Gauss)分峰拟合,得出薄膜的晶化率均高于62.58%,脉冲功率为80 W时制备的薄膜具有最高的晶化率(79.29%)。上述分析表明薄膜中均有硅量子点的形成,且数量先增加后减小,脉冲功率为80 W时硅量子点数量最多。通过测量样品的透射率T、反射率R等光学参数,利用Tauc公式估算出薄膜的光学带隙,发现带隙值随溅射功率的增加先减小后增大,在脉冲功率为80 W时最小(1.72 eV)。硅量子点尺寸与光学带隙成反比,说明薄膜中的硅量子点具有良好的量子尺寸效应。通过PL光谱分析样品的发光特性,对其做最佳高斯拟合,发现样品中均有6个发光峰。结合Raman光谱的分析结果,可以得出波长位于463~624 nm的发光峰源于硅量子点的作用;而波长位于408和430 nm的发光峰则源于薄膜内部的缺陷态,峰位没有偏移,但强度有变化。根据发光峰对应的波长可计算其能带分布,从而确定缺陷态类型：408 nm的发光峰归因于≡Si°→E_v电子辐射跃迁,430 nm的发光峰则归因于≡Si°→≡Si-Si≡的缺陷态发光。还研究了硅量子点的尺寸对发光峰移动的影响。结果表明,随硅量子点尺寸变小（大）,发光峰蓝移（红移）。综上,溅射功率为80 W时制备的含硅量子点SiC_x薄膜性能最佳。研究结果为硅量子点太阳电池的后续研究奠定了基础。