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31.
本文采用上升液滴法,研究了三辛基氧化膦(TOPO)-环己烷溶液从盐酸体系中萃取U(IV)的动力学.按实验结果在一定的盐酸浓度下,TOPO箤取U(IV)的速率可由下述萃取动力学方程式表示:R=K[U(IV)][TOPO]_(0)在[HCl]=3M和15℃时,计算得萃取速率常数K=3.7x10~(-5).在不同盐酸浓度的溶液中,TOPO萃取U(IV)的速率与盐酸浓度的3/2次方成正比.测定了温度(15~45℃)对萃取速率的影响,求得萃取反应的表观活化能为10.8 kcal/mol. 由实验结果推测,TOPO从盐酸体系中萃取U(IV)的反应可能按下列两步进行:UCl_4+TOPO_(0)=UCl_4·TOPO_(0) (1)UCl_4·TOPO_(0)+TOPO_(0)=UCl_4·2TOPO_(0) (2)而生成界面溶剂配合物的反应(1)是萃取速率的控制步骤.  相似文献   
32.
采用脉冲激光沉积技术在氧气氛中制备了Ca2O3薄膜,X射线衍射表明薄膜属于β单斜晶系,薄膜的颗粒在纳米量级;原子力显微镜显示随着氧气压强的增加,薄膜颗粒增大,测定了薄膜的光致发光,发现沉积时氧气压强的增加可以提高纯Ga2O3薄膜的发光强度,且峰位红移,Ga2O3靶物质中掺杂少量的CeO2后所得到的薄膜,其发光强度可以明显地增加,此外,还利用发光光谱技术研究了由激光烧蚀所产生的羽状物中Ga原子或离  相似文献   
33.
脉冲激光沉积纳米NiO薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
Na Cl型 Ni O是一种 p型半导体 ,广泛用于传感器、催化剂、涂料、磁性材料及电极材料等领域[1~ 5] .最近 ,Poizot等 [6] 又报道了 Ni O可作为锂离子电池的阳极材料 ,使 Ni O成为又一新的研究热点 .纳米 Ni O粉末的制备方法有多种 ,主要包括化学沉淀法和沉淀转换法 ,Ni O薄膜的制备主要采用磁控溅射、化学气相沉积和电沉积等方法 [7~ 12 ] .脉冲激光沉积法具有操作简单和成膜纯净等优点 ,因此是制备薄膜的重要方法之一 .本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在氧气氛中使用金属镍作为靶材料 ,不锈钢作为基片 ,对 Ni O薄膜的制备进行了研究…  相似文献   
34.
本文用分子束弛豫谱研究了Ge(111)表面与氯分子热反应动态学。采用种子束技术,发现增加氯分子的入射平动能, 将有效地增加Cl2与Ge表面的化学蚀刻反应, 对分子束弛豫谱的数据分析表明, 在表面温度Ts为700-900K的范围内, GeCl2为该反应体系的唯一产物, 它的脱附过程是蚀刻反应的速率控制步骤; 并且测得脱附活化能Ed为66.0±2.0kJ·mol^-^1。此外, 对该化学蚀刻的反应机理进行了讨论。  相似文献   
35.
采用空间和时间分辨的四极质谱法了355nm脉冲激光  相似文献   
36.
本文研究了在三种不同波长的脉冲激光(365 nm, 560 nm和1064 nm)辐照下超声Cl_2分子束与多晶Ta表面的化学反应动态学. 由四极质谱和飞行时间增(TOF)测定了产物的质量分布和速度分布. 该反应的主要产物为TaCl, TaCl_2, TaCl_3及TaCl_4; 它们的TOF谱都可用Maxwell-Boltzmann分布拟合, 所得的平动温度分别在500 K—1500 K范围内. 测定了各种产物相对产率与激光能量密度和入的Cl_2分子平动能的关系. 此外, 对此气-固表面反应的机理进行了讨论。  相似文献   
37.
38.
39.
本文首次报道了钢系元素中的铀与钡、钇和铜的氧化物组成四元金属氧化物体系的超导电性,测得两种不同铀含量的新超导体的零电阻温度分别为79.0K和86.7K,即在液氮温度区都出现了超导电性。曾用X射线衍射法对上述含铀四元氧化物体系作了物相分析,发现在新的超导体中已不存在独立的铀氧化物,而形成了新的具有高临界温度的超导相。这种四元氧化物体系的粉末衍射谱与已有报道的La-Ba-Cu-O体系的钙钛矿结构或K_2NiF_4结构以及Y-Ba_2-Cu_3-O_(9-x)体系的衍射谱都不相同。  相似文献   
40.
本文研究了由TEA CO_2激光器产生的单脉冲红外激光引爆NH_3-CH_4-O_2的反应,测定了不同气体混合物的组成比、总压力及激光频率对引爆所需的最低激光能量密度(引爆阈值)的影响.还对存在Pt-10%Rh表面的上述体系进行了研究,发现金属表面能降低引爆阈值.但复相反应与均相反应所得的反应产物相同,主要是N_3,H_2O和CO_2,而且在反应过程中都产生强烈的黄色闪光.  相似文献   
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