中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进,张入双调制技术,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上,引入更高频率调制－锁相测量手段,通过这一测量方法的引入,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化,基本消除了室温背景的黑体辐射在4μm－5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰,在10μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱,从而将光致发光测量推至5μm以上长波红外波段。     

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

采用迁移率谱和多电子拟合过程相结合的混合电导分析法，对分子束外延（MBE）生长的Hg_1-xCd_xTe材料的变磁场实验数据进行了处理．该方法可以将外延层中体电子对电导的贡献与界面电子的贡献区分开，通过对不同温度下变磁场数据的分析，表明该方法是准确和可靠的，可以成为一种半导体材料和器件的常规电学测试和分析手段 关键词：     

Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_1-xCd_xTe n⁺-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D₁(=E_v+0.75E_g)和D₂(=E_v关键词：     

n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究

利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了n-HgCdTe器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势.由定量迁移率谱得到的结果与Shubnikov-de Hass测量结果以及理论计算的结果非常符合. 关键词：     

红外物理与红外技术

1.红外物理与红外技术的范畴“红外物理”与“红外技术”作为学科名称是本世纪50年代末公开出现的。30年代起到二次世界大战期间,法西斯德国研制成硫化铅红外探测器、测辐射热计以及一些红外材料,利用这些元部件做成了多种军用红外系统。有些已达到实验室试验阶段,有些已小批量生产,但都没有来得及到战场上实际使用,德国就无条件投降了。这些红外技术成果就成为盟国的战利品。美国在二次大战期间也在     

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。     

半导体物理学讨论会

中国物理学会主办的半導体物理学討論会于1月30日——2月4日在北京举行。在这次会議中介紹了有关半導体的重要現象及其基本原理以及最近的發展概况,并有部分的与会同志报告了自己的研究成果。参加会議的同志廣泛地交換了如何迅速地开展半導体工作的意見,并一致决議,建議有关部門采取適当措施,以便在國內迅速地开展半導体的科学技術工作。半導体的科学技術对于國民經济的許多部門都有着重大意义,而目前我國半導体科学基礎还十分薄弱,一般科学工作者对于半導体的認識亦很不够。中國物理学会理事会有鑒于此,遂决定召开这次的半導体物     

半导体的应用

半导体的研究和应用,与原子核物理一样,是近代物理学中最年青的部门,也是具有特别重大意义的部门。半导体仪器的发明在很多的技术部门,首先是在无线电技术上,引起了真正的革命。早在1922年,苏联的傑出的无线电爱好者洛谢夫第一个记述了晶体放大器。许多国家的有关无线电技术的杂志都给予这一仪器以很大的注意。但是不久,洛谢夫的姓名不公平地被忘记了。     

Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收

讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词：     

Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的Al_xGa_1-xAs/GaAs异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ₀^*／ｍ₀＝０．０７３，ｍ₁^{*关键词：}