微波作用下（2E）－α，β－不饱腈的立体选择合成

微波照射下氰基亚甲基膦叶立德和芳醛可顺利发生Ｗｉｔｔｉｇ反应，反应具有反应时间短，立体选择性高的特点，以较高产率生成（２Ｅ）－α，β－不饱和腈．     

高性能MgB2长线材制备及性能表征

采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10-30 nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11 m长外径Ф1.75 mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11 m线均分10段后,各点的Jc(4.2 K,10 T)均超过1.0×104 A/cm2,最高值达到1.2×104 A/cm2.在10-18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.     

强磁场的产生及应用

 强磁场通常指的是场强为几特斯拉（T）（1T=10⁴奥斯特）的磁场.强磁场是进行物性研究和应用研究的重要条件之一.在许多领域中有广泛的应用.许多发达国家都有强磁场实验室.本文简单扼要地介绍强磁场产生的方法及其在某些方面的重要应用.一、强磁场的产生强磁场有稳态式和脉冲式两种.产生稳态强磁场的磁体通常是用导体绕成的螺旋管,它可分为三种:普通导体磁体、超导体磁体、由普通导体和超导体结合绕成的混合磁体.普通导体的磁体所能达到的场强一般为20T.     

混合新几何体Γ_(-p，i)K的不等式

近来,Lutwak,Yang和Zhang提出了新几何体Γ_(-p)K的概念,获得一些结论.本文引入混合新几何体Γ_(-p,i)K的概念,即新几何体是它的特殊类,得到了混合新几何体的一些性质,并建立了相关的不等式.     

The Existence of Solutions of （k, n - k） Conjugate Boundary Value Problems in Banach Spaces

In this paper,by use of the Schauder fixed-point theorem,the existence of solution of (k,n-k) Conjugate boundary value problems in Banach spaces is investigated.     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...     

高磁场大分离间隙的高温和低温超导磁体失超特性分析

本文使用失超分析软件Opera3D对低温和高温超导磁体进行失超分析.这个超导磁体具有两个相互垂直的室温孔,磁体的中心磁场为8～10T.为了合理保护超导磁体,通过变换加热器不同的加热功率密度和加热时间,改变保护电路参数等设置,分析各不同方案计算结果的区别,总结规律,为满足工程需求提出更优的失超保护方案.     

晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δ关键词： 强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工     

精选物理例题 避免教学枯燥

传统的物理习题教学是先介绍某种方法的步骤,再用具体的例子来验证它,最后用相似的习题来巩固.这种模式使学生感到课上枯燥无味,容易走神疲倦,物理学的灵气和美感荡然无存.要改变这种状况,就必须在教学实践中创新,认真探索规律、不断总结方法,努力提高习题的教学效率.笔者认为,精选例题能避免习题教学的枯燥,并有助于提高学生