临界现象的突破

法国Grenoble的CEA实验室和Grenoble强磁场实验室（GHMFL）的A．Huxley教授所领导的研究组将一块 锗-铑-铀（URhGe）样品的温度冷却并使其转变为超导体，在不施加磁场的条件下，它的超导转变温度Tc是280mK．正如预期的一样，将磁场逐渐加大到2T的过程中，超导转变温度也在逐渐降低．由于磁场是会破坏物质的超导性的，所以当磁场超过2T时URhGe样品的超导行为消失了,然而当研究组继续加大磁场到8T时，URhGe样品的超导行为又恢复了，当然这时的超导转变温度也变为400mK,将磁场继续增大到13T时，样品的超导性又一次消失了，Huxley的研究组发现UrhGe样品在磁场为12T附近经受了两种不同的相变。     

Er3+/Yb3+共掺碲钨酸盐玻璃的光谱性质和热稳定性的研究

制备了Er³⁺和Yb³⁺共掺的碲钨酸盐玻璃样品65TeO₂-25 WO₃-10R_mO_n(R_mO_n=PbO,BaO),(65+x)TeO₂-(25-x)WO ₃-10La₂O₃ (x=0,5,10), (60+x)TeO₂-(30 -x)WO₃-10Bi₂O₃ (x=0,5,10).测试了玻璃样品的吸收光谱、荧光光谱、能级寿命及热稳定性能.结果表明除含Bi ₂O₃的碲钨酸盐玻璃外，其余玻璃样品均没出现析晶开始温度(T_x)，说明碲钨酸盐 是一种适合于光纤拉制的玻璃基质材料.应用Judd-Ofelt理论计算了强度参数Ω_t(t=2, 4,6)，研究表明Ω₂在碲钨酸盐玻璃中主要受到Er-O键的共价性的影响，而Er^{3 +} 离子周围配位场的非对称性影响可以忽略.测得了Er³⁺在15 μm发射谱的荧光 半高宽 (FWHM=71—77nm)和Er³⁺的⁴I_13/2能级寿命 (τ^m=3—34 ms).应用McCumber理论计算了Er³⁺在15 μm处的受激发射截面(σ^peak=068—103×10^-20 cm²).比较了Er³⁺在不同玻璃基质里 的15 μm荧光带宽和发射截面，研究结果表明碲钨酸盐玻璃是一种制备宽带光纤放大器的理想基质材料.     

中子星内壳层的物态方程和质子丰度

求解了恒定均匀的强磁场中核子的能谱和波函数，在手征表象中给出含核子反常磁矩(AMM)项的Dirac方程的解；并且计算了中子星内壳层物质的物态方程(EOS)和粒子丰度，发现在强磁场中磁能将使中子星内壳层的压强增加但物质仍然是丰中子，AMM项对质子的极化度有明显效应.     

强磁场发展动态与趋势

文章主要介绍了强磁场的发展状况和最近取得的一些进展，包括45T稳态磁场、60T长脉冲磁场、80T非破坏性脉冲磁场和百特斯拉级磁场，同时文章也介绍了强磁场的发展趋势和各磁场实验室的强磁场发展计划．     

强磁场超导体

 超导体可分为Ⅰ类超导体和Ⅱ类超导体,前者只有一个临界磁场--热力学临界场H_c,后者有两个临界磁场--下临界场H_c1和上临界场H_c2。Ⅱ类超导体的H_c2要比Ⅰ类超导体的临界场H_c高得多,这一特性使得Ⅱ类超导体成为超导体的大规模应用的基础.Ⅱ类超导体又有理想Ⅱ类超导体和非理想Ⅱ类超导体之分,后者的主要电磁行为表现为磁化的可逆性,并且没有磁通冻结现象发生,它是均匀介质.理想Ⅱ类超导体几乎没有承载传输电流的能力,因此,它除了有科学价值外,几乎没有什么实用价值.本文将着重介绍非理想Ⅱ类超导体.科学家们已发现了数以千计的非理想Ⅱ类超导体,但是到目前为止其中只有Nb-Zr,Nb-Ti合金.     

科技管理要遵循的两个导向及一个原则

本文主要论述科技管理的必要性，科技管理要服从市场需求和科技发展需求这样二个导向，以及科技管理要遵循市场调节也是有限的这样一个原则．     

超导强磁场

 超导体的零电阻现象,意味着是不消耗电能的.当超导体刚被发现时,科学家自然就想到了这一特性的应用--主要是强磁场及磁场技术有关的能源技术的应用.所谓强磁场,是相对电磁铁的能产生的磁场强度而言的。其值受到铁芯磁饱和强度(约20k奥斯特)的限制,通常只能产生20k奥斯特左右的磁场.     

NeH_2~＋体系的势能函数与动力学研究──（一）基态NeH_2~＋的分析势能函

首次报道了用ａｂｉｎｉｔｉｏＣＩＤ／６—３１Ｇ法计算的ＮｅＨ（Ｘ２Σ~＋）的平衡健长、离解能和谐性力常数。应用简化的多体项展式法，导出了ＮｅＨ（Ｘ~２Σ~＋）的分析势能函数，考察了势能面的主要特征。     

匀强磁场对刚性载流线圈磁力矩公式的一般推导

利用矢量代数和矢量场论的有关结果严谨地推证了匀强磁场中载流线圈所受合磁力矩表达式。     

磁场中圆周轨迹确定法

求解带电粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动题目时，画出粒子的运动轨迹是相当关键的一步．下面就圆周轨迹的画法做一下总结．