基于5-甲氧基间苯二甲酸构筑的两个金属配位聚合物:晶体结构、荧光和催化性质

以5-甲氧基间苯二甲酸(CH_3O-H_2ip),2,2′-二甲基-4,4′-联吡啶(dmbpy)和四水硝酸镉/六水硝酸钴为原料,在混合溶剂中合成2个一维金属有机配位聚合物,{[Cd_2(CH_3O-ip)_2(ethanol)_2(H_2O)_4]·3H_2O}_n(1)和{[Co_2(CH_3O-ip)_2(dmbpy)(H_2O)_4]·H_2O·C_2H_3N}_n(2)(C_2H_3N=乙腈)。通过元素分析、红外光谱、差热分析、X射线粉末衍射和X射线单晶衍射等手段对配合物进行了结构表征。结果显示,化合物1为一维浪形结构,通过O-H…O分子间氢键作用构筑成二维结构;而2为一维梯形结构,通过O-H…O,O-H…N和C-H…O分子间氢键作用构筑成三维结构。常温固态下,考察了配合物1的荧光性质,并考查了化合物1和2对甲基橙的催化降解活性。     

光学相干层析成像系统的蒙特卡罗模拟

将光学相干层析成像系统采样臂的光纤与聚焦系统和被测样品作为一个整体来模拟光学相干层析成像信号的形成机理.通过追迹采样光束中每一光子在聚焦系统和被测样品中的随机传输轨迹,来决定该光子对光学相干层析成像信号是否有贡献及贡献大小.对样品IntralipidTM的模拟结果与实验结果表明：1）高散射系数和弱前向散射是引起光学相干层析成像信号随测量深度增加迅速减弱的主要原因;2）对于确定的聚焦系统,光纤的数值孔径有一最佳取值范围.数值孔径太小,则光学相干层析成像信号很弱;数值孔径超出这一范围继续增大,光学相干层析成像信号变化很小.3）当光纤的光轴偏离聚焦系统的光轴h距离时,光学相干层析成像信号随h的增加而减弱.     

高能碰撞多粒子末态间歇现象与关联积分的研究

用理论分析和Monte Carlo模拟表明:研究间歇现象时用关联积分代替阶乘矩的统计会改变快度bin减小时的反常标度行为. 指出,关联函数积分与阶乘矩可能分别反映不同的物理内容.提出了一种随机移动分bin起点的统计阶乘矩方法以消除分bin造成的人为因素.证明了,“钉子”事件对间歇指数有重要贡献.     

高能P■碰撞末态粒子的结团产生和前后关联

本工作在三火球模型的基础上引进结团（ｃｌｕｓｔｅｒ）机制对多种窗口的前后关联进行ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟．与＝２００，５４６，９００ＧｅＶ的实验数据的符合表明了模型的合理性．同时从理论上说明了ｃｌｕｓｔｅｒ机制对多重数关联的影响表现为短程加强，长程减弱。     

薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟

用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维生长.引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响.薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜4个阶段.模拟结果表明,随着沉积粒子数的增加,成团粒子所占百分比下降.这与实际情况相符. 关键词： 薄膜生长 Monte Carlo方法 Morse势     

水溶性阳离子型吡啶基咔咯镓配合物与人血清蛋白的相互作用

利用紫外吸收光谱、荧光光谱、圆二色(CD)光谱和分子对接计算探究了5,10,15-三[4-(N-甲基-吡啶)]咔咯镓配合物(1-Ga)与人血清蛋白(HSA)的相互作用.结果表明,HSA的荧光能被1-Ga静态猝灭,两者的结合常数为2.82×104L/mol,作用距离为3.342 nm.热力学参数显示1-Ga主要通过氢键和疏水作用与HSA结合,位点标记竞争实验表明1-Ga优先结合HSA的布洛芬位点Ⅱ.此外,紫外吸收光谱和CD光谱显示二者的相互作用会导致HSAα-螺旋结构的减少.分子对接计算结果表明1-Ga优先结合在HSA亚结构域ⅢA的位点Ⅱ疏水袋中.     

基于时间相关单光子计数技术的密码芯片光辐射分析

密码芯片运行时的光辐射可泄露其操作和数据的重要特征信息. 基于单光子探测技术, 设计并构建了针对CMOS半导体集成电路芯片光辐射信号的采集、传输、处理和分析的光电实验系统. 以AT89C52单片机作为实验对象, 采用时间相关单光子计数技术, 对不同工作电压下密码芯片的光辐射强度进行了对比, 分析了芯片指令级光辐射信息的操作依赖性和数据依赖性. 此外, 使用示波器对时间相关单光子计数技术在芯片光辐射分析上的可行性进行了验证. 实验结果表明, 采用时间相关单光子计数技术对密码芯片进行光辐射分析, 是一种直接有效的中低等代价光旁路分析攻击手段, 对密码芯片的安全构成了严重的现实威胁.     

非对称Salamo型N2O3配体构筑的四核铜（Ⅱ）和锌（Ⅱ）配合物：合成、结构及荧光性质

合成了2个新设计的Salamo型N₂O₃配体（H₃L）构筑的四核配合物,{Cu（L）（OAc）Cu（H₂O）}₂（1）和{Zn（L）（OAc）Zn（H₂O）}₂（2）,并通过元素分析、红外光谱、紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及X射线单晶衍射等方法对其进行了表征。配合物1由2个完全去质子化的L^3-配体单元、2个桥联的乙酸根离子和2个配位的水分子组成,形成了一种对称的四核结构。铜（Ⅱ）离子均为五配位且分别具有稍微扭曲的三角双锥和四方锥几何构型。该配合物通过C-H…π相互作用自组装而形成了一种一维链状超分子结构。而配合物2却为非对称的四核结构,由2个完全去质子化的L^3-配体单元、2个配位的水分子以及2个桥联的乙酸根离子组成。该配合物形成了一种三维超分子结构。同时,还研究了配体H₃L及配合物1和2的荧光性质。     

微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列

本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,以CH4, H2, N2作为源气体,以Si棒作为Si源,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列.样品的形貌由场发射扫描电子显微镜(SEM)表征分析.用X射线光电子谱(XPS)、Raman散射谱及X射线衍射(XRD)对样品的键合状态及结构进行表征,结果表明,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物.     

Achieving high-performance multilayer MoSe2 photodetectors by defect engineering

Optoelectronic properties of MoSe₂ are modulated by controlled annealing in air. Characterizations by Raman spectroscopy and XPS demonstrate the introduction of oxygen defects. Considerable increase in electron and hole mobilities reveals the highly improved electron and hole transport. Furthermore, the photocurrent is enhanced by nearly four orders of magnitudes under 7 nW laser exposure after annealing. The remarkable enhancement in the photoresponse is attributed to an increase in hole trapping centers and a reduction in resistance. Furthermore, the annealed photodetector shows a fast time response on the order of 10 ms and responsivity of 3×10⁴ A/W.