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高密度电阻率法应用于考古中可提高对地电结构的分辩率。文中简述了改进的佐迪反演方法,给出了数值模拟的实例,并用该方法对商丘周朝古城遗址的两条高密度探测剖面进行了处理,反演后得到了与考古资料较为接近的结果,展现了良好的应用前景。 相似文献
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采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长了钬铥双掺钨酸镱钾(KHo0.04Tm0.06Yb0.9(WO4)2)激光晶体。测试了该晶体的吸收及荧光光谱,计算了其光谱参数。实验结果表明:该晶体在890~1 000 nm范围吸收带较宽,半峰宽为90 nm,计算了主峰1 000 nm处吸收截面为16.92×10-20 cm2;Tm3+在1 690~1 812 nm范围存在较宽的吸收带,半峰宽为118 nm,易于实现Yb→Ho、Yb→Tm、Tm→Ho的能量传递。根据Judd-Ofelt理论,计算了该晶体的光谱强度参数。根据Tm3+、Ho3+、Yb3+离子能级图,讨论了产生1 750~2 200 nm荧光发射的3种能量传递方式。最后计算了主峰2 030 nm处受激发射截面为3.47×10-20 cm2,表明该晶体可作为2 μm波段优异的激光增益介质。 相似文献
33.
三甲基硅基(TMS)广泛存在于有机化合物中,并且在有机合成中有重要的应用。硅杂环化合物因其独特的理化性质而被广泛地应用于有机合成化学、材料化学和药物化学中。因此,将含有TMS基团的化合物直接用于硅杂环化合物合成的研究具有重要的意义。在有机合成化学中,碳硅键的切断是一个非常重要的过程。通过化学计量的有机镁或有机锂等有机金属试剂对C(sp3)-Si键进行切断是碳硅键活化的经典方法,然而该方法的反应条件苛刻,应用有限。过渡金属催化的反应能够在较温和的条件下实现C(sp3)-Si键的切断,这为进一步官能团化C(sp3)-Si键提供了一种新方向,同时也是一种高效构建硅杂环化合物的新方法。目前过渡金属催化活化C(sp3)-Si键的研究主要集中在具有张力环或一些具有特定结构的底物中,对于催化活化惰性C(sp3)-Si键的研究仍然是一个具有挑战性的课题。本文结合本课题组的工作综述了近年来过渡金属催化的TMS中C(sp3)-Si键的方法。 相似文献
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35.
36.
自从Yamauchi等人报导了ZnS:Mn存贮效应以来,对于这种薄膜电致发光器件已进行了不少工作。Suzuki等人,曾报告这种器件的稳定发光状态可以靠瞬时的电压增加也可以靠紫外光入射来开关。 如果写入的基本机理是在ZnS体内产生足够数量的电子—空穴对,那么在降低EL的阈值时电子的轰击应能使器件起动。为了检验这一概念,我们把器件安置在如图1所 相似文献
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38.
Properties of all-solid square-lattice photonic bandgap fibres are studied for the first time to the best of our knowledge. Using the plane-wave expansion method and finite element method, we investigate the mode, effective area, confinement loss and dispersion of such fibres. The simulation results demonstrate that the proposed effective mode area of all-solid square-lattice photonic bandgap fibres is 1.25 times larger than triangular-lattice ones and the confinement loss of the fibres is no more than 0.1 dB/m within the bandgap. 相似文献
39.
关于磁光调制倍频法的讨论和改进 总被引:1,自引:0,他引:1
从理论上证明了磁光调制倍频的原理,着重论述了调制幅度对实验波形的影响,证明了为得到理想的结果,应将调制幅度0θ控制在π/4处.根据磁光调制倍频法的工作原理,分别给出了磁光调制器和测量光路的一种变形,通过改进,利用法拉第效应的非互易性,旋转角变为了原来的2倍. 相似文献
40.