基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器

 利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲,采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构,包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100 ns、重复频率20 kHz、峰值电流60 A、峰值电压2 kV的功率脉冲。     

基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器

利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲,采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构,包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100ns、重复频率20kHz、峰值电流60A、峰值电压2kV的功率脉冲。     

感应叠加型固态冲击磁铁脉冲发生器设计与实验

文章介绍了用于冲击磁铁的感应叠加型脉冲发生器的实验装置.电路中采用3.3kV/800A IGBT开关,大尺寸纳米晶磁环,2.5kV/50uF储能电容.设计了基于CPLD的多路延时可调、光耦输入触发驱动电路.探讨了IGBT短路时的失效原因及保护措施.利用现有的组元电路,进行了多个单元叠加的样机实验,给出了实验波形.结果表明输出脉冲上升下降时问较快,脉宽可调,最大脉冲电流可达2kA,可以满足束流注入技术的进一步提高的要求.     

CsI(Tl)晶体量能器中硅光二极管的核计数器效应研究

研究了由于电磁簇射在CsI(Tl)晶体后端的泄漏而引起的硅光二极管“核计数器”效应. 通过GEANT模拟和实验测量分析其在BESⅢ的CsI(Tl)晶体量能器中对能量测量的影响.     

BESⅢ-CsI(Tl)晶体量能器时间信息的研究

BESⅢ-CsI(Tl)晶体量能器采用FADC的DAQ电子学读出系统. 通过扫描信号幅度的分布寻找信号峰位. 为了降低扫描时间窗内(3μs)的低能本底计数、提高能量分辨和降低无效计数率, 除了传统的输出信号峰位(表征沉积能量)之外, 我们引出另一个较粗的时间信息, 即对应信号峰位的扫描步长数, 其步长精度为50ns. 本文将通过电子束流实验研究对这一时间信息的特点及如何利用时间信息进行详细的分析和讨论.     

冲击磁铁回路电感对传输线放电的影响

 分析了脉冲调制器产生短脉冲时冲击磁铁回路电感对脉冲前后沿和宽度不可忽略的影响，从理论上导出了冲击磁铁回路电感与脉冲前后沿的关系，给出并分析了几组实验结果，提出了采用屏蔽结构和适当增加阻抗等两种可行的减小脉冲前沿的方案。     

闪烁光纤量能器单元模型的宇宙线测试

介绍闪烁光纤量能器单元模型宇宙线测试采用的简易实验装置和测量步骤,以及实验数据的分析处理方法.对来自意大利KLOE的铅–光纤量能器单元模型进行了宇宙线测试,对实验数据进行了分析和修正,给出了该单元模型的时间分辨(252ps)和位置分辨(4.1cm)等参数.     

磁矩进动阻尼引起相位滞后的实验测量和理论分析

由于磁矩进动时阻尼作用的存在，脉冲磁场在金属材料中所产生的磁通量一般滞后于场，从而使穿过金属材料的脉冲磁场相位滞后.对于非铁磁性金属材料，这种相位滞后非常微弱，而且由于趋肤效应和涡流的影响，阻尼作用导致的相位滞后难以观测.给出了一种在有金属镀膜的陶瓷真空盒中测量这种相位滞后的实验方法及结果.这种方法采用超薄、有绝缘条纹的隔离分区镀膜技术，在测量中适当选择测量点的位置，因而将趋肤效应和涡流的影响降低到最小.同时对实验测量结果进行了理论分析. 关键词： 相位滞后 磁矩进动阻尼 趋肤效应 涡流     

合肥光源逐圈测量系统试验结果及其在注入调试中的应用

 介绍了合肥光源(HLS)逐圈束流位置测量系统在升级后的注入系统联调中的作用。该逐圈测量系统信号处理器采用对数比电路，数据获取采用NI5102 ADC。为了保证长达2s数据获取，采样数据通过突发的DMA方式实时写入工控机的系统内存。注入Kicker用作为激励束流，以便监测衰减率和研究β振荡。     

BESⅢCsI晶体量能器设计中的优化

在BESⅢ晶体量能器的设计、研制过程中,对其性能进行蒙特卡罗研究,从而优化设计方案.