射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜结构和光学特性的研究

采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)对SnS_2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试,计算或分析了SnS_2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明:制备SnS_2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下,所制备的SnS_2薄膜沿(001)晶面择优取向生长,可见光透过率和折射率较高,消光系数较小,直接带隙为2.81 e V。在此基础上,进一步制备了n-SnS_2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性,反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS_2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。     

EAST中性束反向注入的初步实验研究

对EAST中性束反向注入过程中等离子体加热和电流驱动进行了实验研究,并采用了美国普林斯顿大学等离子体物理实验室开发的TRANSP 程序对高功率中性束注入过程中能量热输运进行了分析。结果表明,中性束注入可有效提高本底等离子体温度,产生束驱动非感应电流,提高等离子体旋转以及有效改善等离子体约束。     

工科大学物理实验教学现状与改革探索

为了提高大学物理实验课程的教学质量, 充分发挥大学物理实验在培养学生动手能力和创新能力方面 的重要作用, 针对目前大学物理实验课程在教学内容、 教学方式和考核制度等方面存在的问题与不足, 对工科大学 物理实验教学现状做了一些阐述与分析, 并结合合肥工业大学的教学实际, 提出相应的改革对策与措施     

紧凑型聚变裂变混合堆自举电流的数值模拟研究

以平衡程序Jsolver 为基础开展了紧凑型聚变裂变混合堆先进等离子体平衡位形设计,重点研究了反剪切运行模式,并在此位形下研究了自举电流的计算、分布及份额。     

基于细胞群模型的放射生物学分析

采用放射生物学方法,研究了放射性核素靶向治疗中细胞群大小对EUD和TCP的影响, 并以宏观与微观结合的方法,分析了肿瘤中心活性缺失情况下所对应的特征。 研究表明, 在活性均匀分布的情况下,EUD随细胞群(肿瘤)增大而增大。若考虑细胞间液活性的影响, EUD还会增加约47%。当肿瘤内部活性缺失时,若以TCP= 0.90作为衡量标准,周围细胞的211At α粒子的交叉效应,对于细胞核源最大可弥补边长为4层细胞的肿瘤活性中空,而其它源可弥补边长为6层细胞的肿瘤活性中空。临床治疗中,医师按照模拟结果参考给药时,应参考细胞面源的指导药量,以免由于剂量不足而造成的肿瘤控制的局部失败。TCP可以清晰地表现剂量足与不足时的差异,但是当剂量充足或过量时效果就要差些,因此它比较适合于治疗计划的制定。EUD常用于比较不同活性分布的差异,但用户在使用时一定要注意保持前后模型形状、体积的一致性。 The influence of cell cluster dimension on EUD and TCP for targeted radionuclide therapy was studied using the radiobiological method. The radiobiological features of tumor with activity lack in core were evaluated and analyzed by associating EUD,TCP and SF. The results show that EUD will increase with the increase of tumor dimension under the activity homogeneous distribution. If the extra cellular activity was taken into consideration, the EUD will increase 47%. Under the activity lack in tumor center and the requirement of TCP=0.90, the α cross fire influence of 211At could make up the maximum(48 μm)3 activity lack for Nucleus source, but (72 μm)3 for Cytoplasm, Cell Surface, Cell and Voxel sources. In clinic, the physician could prefer the suggested dose of Cell Surface source in case of the future of local tumor control for under dose. Generally TCP could well exhibit the effect difference between under dose and due dose, but not between duedose and over dose,which makes TCP more suitable for the therapy plan choice. EUD could well exhibit the difference between different models and activity distributions,which makes it more suitable for the research work. When the user uses EUD to study the influence of activity inhomogeneous distribution, he should keep the consistency of the configuration and volume of the former and the latter models.     

放疗污染电子对皮肤细胞损伤的蒙特卡罗模拟研究

采用Geant4-DNA低能物理模型研究了污染电子在细胞DNA水平上的物理作用和能量沉积。利用密度聚类算法分析了损伤产额分布;并结合皮肤细胞辐射敏感性参数和临床表征剂量,探讨了低能电子对皮肤细胞的损伤特征。模拟发现,产生的DSB中约20%是cDSB;DSB产额是SSB的约4%;损伤聚类包含的SSB一般3个,20 keV和100 keV电子也可造成5个SSB的聚类损伤;晚反应、高α值的组织更应注意防护低能电子辐射;由于LQ模型中剂量平方项的影响,cDSB损伤致死系数ε随入射电子数目的增加而增大。当105个电子入射时,ε的数值可较单个电子增大3%～15%。可通过调节直接电离损伤概率弥补间接损伤产额,研究细胞辐照损伤的内在机理。本工作建立的低能电子对细胞DNA的损伤模型及结果,可用于评价放疗中低能污染电子对皮肤细胞的损伤效应。     

基于聚(4-乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的小分子有机半导体薄膜制备和表征

采用旋涂法预先在SiO₂衬底表面形成一层聚（4-乙烯基苯酚）（PVP）作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS并五苯）作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌。采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管（OTFT）器件。作为对比,在未经过表面修饰的SiO₂衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO₂衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率。在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm²·V^-1·s^-1;而直接在SiO₂衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm²·V^-1·s^-1。     

将翻转课堂教学模式应用于大学物理教学的实践研究

针对大学物理课程教学所面临的现状和遇到的一些问题,将近年来在国内外颇受关注的翻转课堂教学模式应用于大学物理教学,构建相应的教学流程与模型并组织教学实践,通过测试、问卷调查等形式分析该教学模式对提高大学物理教学效果的作用.     

二维硬X射线探测器自动标定平台研究

结合云台构建了EAST装置中二维硬X射线诊断的自动标定平台,通过调节云台的旋转和俯仰角度自动对探测器的所有像素点进行扫描测试,同时自动控制X射线管的束流能量和强度,从而对探测器每个像素点强度响应的线性度、不同像素点响应的一致性、相邻像素点之间的串扰等进行测量和标定。实验结果表明,探测器7×8像素点对硬X射线均有响应,强度响应的线性度可以达到R=0.999,初步验证了系统功能的可行性。     

PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器

提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器.采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器.光电性能测试结果表明,所设计的器件在200～1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近.在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166mA·W-1,当施加-2V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W-1.此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右.由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的"LASDOP"字母图像,展示了潜在的应用前景.