Photon tunneling and transmittance resonance through a multi-layer structure with a left-handed material

This paper investigates the photon tunneling and transmittance resonance through a multi-layer structure including a left-handed material(LHM).An analytical expression for the transmittance in a five-layer structure is given by the analytical transfer matrix method.The transmittance is studied as a function of the refractive index and the width of the LHM layer.The perfect photon tunneling results from the multi-layer structure,especially from the relation between the magnitude of the refractive index and the width of the LHM layer and those of the adjoining layers.Photons may tunnel through a much greater distance in this structure.Transmittance resonance happens,the peaks and valleys appear periodically at the resonance thickness.For an LHM with inherent losses,the perfect transmittance is suppressed.     

基于脱氢枞胺基希夫碱-多壁碳纳米管修饰电极测定铅

采用脱氢枞胺基希夫碱和多壁碳纳米管复合材料修饰玻碳电极,以循环伏安法和示差脉冲阳极溶出伏安法研究此修饰电极的导电性能,及Pb2+在此电极上的电化学行为。结果表明,修饰电极在0.2 mol/L HAc-NaAc缓冲体系(pH 5.5)中,于!1.1 V下沉积250 s,Pb2+在1.0×10!8~1.0×10!6mol/L范围内与溶出峰电流呈良好的线性关系,线性回归方程为I(μA)=6.6173C(μmol/L)+0.2597(R=0.9971),检出限为5.0×10!9mol/L(S/N=3)。将此修饰电极用于水样品中Pb2+检测,结果令人满意。本方法操作简便,耗时短,具有很好的准确性、灵敏度和选择性,实现了水样中低浓度铅的准确、快速测定。     

一种设计环形汇聚光栅反射镜的新方法

提出了一种利用数学变换来快速设计环形汇聚光栅反射镜的方法.通过分析具体的物理场景,抽象出已有条形汇聚光栅的"线"汇聚特性与所要设计的"点"汇聚特性在数学上对应的变换关系,然后用该数学变换对条形汇聚光栅进行外形上的变换,外形变换后的条形光栅即为可以实现"点"汇聚的环形光栅.用有限元算法对设计的环形汇聚光栅进行仿真,仿真证明采用该方法设计的环形光栅可以很好地实现高反、高汇聚.采用这一方法,设计了直径为29.788μm的环形光栅反射镜,当垂直入射的径向偏振光从设计的环形光栅表面反射回来后将发生汇聚,汇聚焦点位于环形光栅表面10μm处.经计算,反射镜的数值孔径为0.8302,反射率为0.9163,在焦点所在的汇聚面上,汇聚光栅电场分布的半高宽为1.5548μm.     

100Gb/sPM-QPSK相干光接收系统中改进的带内OSNR监测方法（英文）

为保证偏分复用正交相移键控(PM-QPSK)相干光通信系统的传输性能,提出了一种改进的基于高阶统计矩的光信噪比监测方案.该方案针对不同调制格式给出了不同的修正值,因此对调制格式透明.在搭建的100Gb/s PM-QPSK相干接收系统中对该方案进行了数值仿真,结果表明:当光信噪比在5~25dB的范围内,不同占空比调制码型的监测误差均小于0.5dB;光信噪比参考值为14dB时,在0.5dB的监测范围内,色散容忍度为2 400ps/nm,对一阶偏振模色散的容忍度为62ps.     

利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构

采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构. 在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料（H、F、Cl、Br 和I）对GaAs纳米线电子结构的影响. 计算结果表明,不同的原子修饰GaAs 纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力. 表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型. GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定. 使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同. 表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.     

铁、钴、镍/磷二元团簇离子的形成与光解

利用激光直接溅射法产生了铁、钴、镍／磷二元团簇正负离子,并用串级飞行时间质谱仪研究了团族离子的组份和激光光解规律,质谱研究表明,铁、钴、镍易与磷结合成簇,而且样品中磷含量的增加有助于大尺寸团簇离子的生成,当形成的团族簇离子中含金属原子数目较少时,磷原子数目可在较大范围内变动,其中ＭＰ２＾＋、ＭＰ４＾＋、Ｍ２Ｐ４＾＋（Ｍ＝Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ,ｎ＝２、３、４）团簇离子均具有较高的丰度;随着金属原子数目的     

N4O2供体型环状席夫碱Ni(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构、DFT计算及脲酶抑制活性

在镍(Ⅱ)离子存在的条件下,利用模板法以1,2-双(2-甲氧基-6-甲酰基苯氧基)乙烷与乙二胺按照1∶1的化学计量比[2+2]合成,得到N₄O₂型的二十八元大环席夫碱镍(Ⅱ)配合物[Ni(C₄₀H₄₄N₄O₈)]Cl₂·4CH₃OH。通过元素分析、红外光谱、粉末X射线衍射、单晶X射线衍射和密度泛函理论量化计算对镍(Ⅱ)配合物进行了分析和表征。结构分析表明,Ni(Ⅱ)离子与来自C=N基团的4个N原子和来自醚基团的2个O原子进行配位,形成扭曲的八面体几何构型。脲酶抑制活性及分子对接模拟研究表明,该镍(Ⅱ)配合物能较好地抑制脲酶活性。     

利用磁光克尔效应计算材料的介电张量非对角元

利用磁控溅射的方法制备了Ag和Ag/Co双层薄膜样品.通过椭偏测量和磁光克尔测量,得到薄膜样品的有效光学常量和有效磁光参量,并通过数值分析得到介电张量的非对角元.实验结果表明:用通常公式计算和磁光测量与椭偏测量结合计算非磁样品Ag薄膜的光学常量的结果一致,验证了基于磁光测量方法计算介电张量非对角元的正确性.     

The subwavelength tuned magneto-optical Kerr effect in L1_0-FePt films with perpendicular magnetic anisotropy

For L10-FePt films with strong perpendicular anisotropy covered by arrays of hexagonal close-packed polystyrene spheres(PSSs),fine structures are observed in magneto-optical Kerr rotation spectra in the visible spectral range.The reflection minima are found to be located at the same wavelengths as the Kerr rotation peaks.The Kerr rotation enhancement is attributed to the excitation of both the surface plasmon polariton in the dielectric PSS/metal interface and the guide waves(guide mode)in the PSS array.The two-dimensional PSSs/SiO2/FePt system exhibiting a tunable magneto-optical Kerr effect and a high perpendicular magnetic anisotropy will be helpful for designing and fabricating magneto-optics devices.     

表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化

利用第一性原理计算方法研究了表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化．计算结果显示,不论是闪锌矿结构还是纤锌矿结构,GaAs纳米线表面Ga原子上带正电荷的表面悬挂键都是一类稳定的缺陷,并且这种稳定性不会随着纳米线直径的变化而变化．这种表面悬挂键会形成载流子陷阱中心从而从p型掺杂的GaAs纳米线俘获空穴,使得纳米线的掺杂效率下降．和NH3相比,NO2 具有足够的电负性来俘获GaAs纳米线表面悬挂键上的未配对电子,从而有效地钝化GaAs纳米线的表面悬挂键,提高纳米线的p型掺杂效率,并且这种钝化特性不会随着纳米线直径的变化而改变．